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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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NXP - BU508AW - 晶体管 NPN SOT-249 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
封装类型:TO-247 (SOT-249)
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.7μs
封装类型:TO-247 (SOT-249)
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:电源高电压开关
最大连续电流, Ic:8A
电压, Vces:1500V
电流, Ic hFE:0.1A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:6
饱和电流, Ic:4.5A
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - BU508AF - 晶体管 NPN SOT-199 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
截止频率 ft, 典型值:7MHz
封装类型:SOT-199
针脚数:3
下降时间 @ Ic:1μs
封装类型:SOT-199
总功率, Ptot:34W
晶体管数:1
晶体管类型:Power High Voltage Switching
最大连续电流, Ic:8A
电压, Vcbo:1500V
电压, Vces:1500V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:6
饱和电流, Ic:4.5A
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上海1 新加坡 0 英国 0 |
1 |
1 |
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NXP - BU2532AW - 晶体管 NPN TO-247 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:800V
封装类型:TO-247
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.1μs
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:电源高电压开关
最大连续电流, Ic:16A
电压, Vces:1500V
电流, Ic hFE:7A
电流, Ic 最大:16A
直流电流增益 hfe, 最小值:6
饱和电流, Ic:7A
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - BU2525AX - 晶体管 NPN SOT-399 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:800V
封装类型:SOT-399
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.35μs
封装类型:SOT-399
总功率, Ptot:45W
晶体管数:1
晶体管类型:电源高电压开关
最大连续电流, Ic:12A
电压, Vces:1500V
电流, Ic hFE:8A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:5
饱和电流, Ic:8A
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - BU2525AW - 晶体管 NPN TO-247 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:800V
封装类型:TO-247
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.35μs
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:电源高电压开关
最大连续电流, Ic:12A
电压, Vces:1500V
电流, Ic hFE:8A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:5
饱和电流, Ic:8A
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - BU2520AX - 晶体管 NPN SOT-399 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:800V
封装类型:SOT-399
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.5μs
封装类型:SOT-399
总功率, Ptot:45W
晶体管数:1
晶体管类型:电源高电压开关
最大连续电流, Ic:10A
电压, Vces:1500V
电流, Ic hFE:6A
电流, Ic 最大:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:5
饱和电流, Ic:6A
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - BU2508DF - 晶体管 NPN SOT-199 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
封装类型:SOT-199
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.6μs
封装类型:SOT-199
总功率, Ptot:45W
晶体管数:1
晶体管类型:电源高电压开关
最大连续电流, Ic:8A
电压, Vcbo:1500V
电压, Vces:1500V
电流, Ic hFE:4.5A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:4
饱和电流, Ic:4.5A
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - BU2508AF - 晶体管 NPN SOT-199 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
封装类型:SOT-199
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.6μs
封装类型:SOT-199
总功率, Ptot:45W
晶体管数:1
晶体管类型:高压,高速
最大连续电流, Ic:8A
电压, Vces:1500V
电流, Ic hFE:4.5A
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:4
饱和电流, Ic:8A
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - BSV52 - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:12V
截止频率 ft, 典型值:500MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:40
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:B2*
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:225W
时间, t off:18ns
时间, t on:12ns
晶体管数:1
晶体管类型:通用开关
最大连续电流, Ic:0.1A
最小增益带宽 ft:500MHz
电压, Vcbo:20V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:0.1A
直流电流增益 hfe, 最大值:120
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
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上海 0 新加坡18 英国4903 |
1 |
10 |
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NXP - BSR16 - TRANSISTOR PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标???:T8p
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:250mW
时间, t off:100ns
时间, t on:45ns
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:0.6A
最小增益带宽 ft:200MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:0.6A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
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无库存 |
1 |
5 |
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NXP - BSR14 - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:0.8A
直流电流增益 hFE:40
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:U8p
功耗:250mW
器件标记:BSR14
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:250mW
时间, t off:285ns
时间, t on:35ns
晶体管数:1
晶体管类型:转换晶体管
最大连续电流, Ic:0.8A
最小增益带宽 ft:300MHz
电压, Vcbo:75V
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:800mA
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 新加坡1245 英国2624 |
1 |
5 |
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NXP - BF821 - 晶体管PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:-300V
截止频率 ft, 典型值:60MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:-50mA
直流电流增益 hFE:50
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:1W
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.25W
晶体管数:1
晶体管类型:高压 BJT
最大连续电流, Ic:-50mA
最小增益带宽 ft:60MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:-300V
电流, Ic hFE:-25mA
电流, Ic 最大:-50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:50
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-800mV
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上海 0 新加坡25 英国2883 |
1 |
5 |
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NXP - BF820 - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:300V
截止频率 ft, 典型值:60MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:50mA
直流电流增益 hFE:50
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:1V
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.25W
晶体管数:1
晶体管类型:高压 BJT
最大连续电流, Ic:50mA
最小增益带宽 ft:60MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:300V
电流, Ic hFE:25mA
电流, Ic 最大:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:50
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:600mV
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上海 0 新加坡115 英国4335 |
1 |
5 |
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NXP - BCX71H - 晶体管PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:180
工作温度范围:-65°C to +150??C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:BH
功耗:250mW
器件标记:BCX71H
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:50mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:180
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-250mV
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上海200 新加坡600 英国7774 |
1 |
10 |
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NXP - BCX70H - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:180
工作温度范围:-65°C to +150??C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:AH
功耗:250mW
器件标记:BCX70H
噪声因子(NF), 最大:6dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:180
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:350mV
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上海60 新加坡58 英国3268 |
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