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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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NXP - BCX56-16 - 晶体管NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:100
工作温度范??:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
针脚数:3
SMD标号:BL
功耗:0.5W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:500mW
晶体管数:1
晶体管类型:中等功率BJT
最大连续电流, Ic:1000mA
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:1000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海1200 新加坡10 英国688 |
1 |
5 |
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NXP - BCX56 - 晶体管NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:0.5W
集电极直流电流:1000mA
直流电流增益 hFE:63
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
针脚数:3
SMD标号:BH
功耗:0.5W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:500mW
晶体管数:1
晶体管类型:中等功率BJT
最大连续电流, Ic:1000mA
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:1000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:63
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海 0 新加坡 0 英国494 |
1 |
5 |
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NXP - BCX55-16 - 晶体管NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:0.5W
集电极直流电流:1000mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度??围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
针脚数:3
SMD标号:BM
功耗:0.5W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:500mW
晶体管数:1
晶体管类型:中等功率BJT
最大连续电流, Ic:1000mA
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:1000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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无库存 |
1 |
5 |
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NXP - BCX55 - 晶体管NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:0.5W
集电极直流电流:1000mA
直流电流增益 hFE:63
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
针脚数:3
SMD标号:BE
功耗:0.5W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:500mW
晶体管数:1
晶体管类型:中等功率BJT
最大连续电流, Ic:1000mA
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:1000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:63
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海 0 新加坡50 英国89 |
1 |
5 |
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NXP - BCX54 - 晶体管NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:0.5W
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:63
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
针脚数:3
SMD标号:BA
功耗:0.5W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:500mW
晶体管数:1
晶体管类型:中等功率BJT
最大连续电流, Ic:1000mA
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:1000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:63
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海120 新加坡25 英国15 |
1 |
5 |
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NXP - BCX53-16 - 晶体管PNP SOT-89 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:0.5W
集电极直流电流:1000mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
针脚数:3
SMD标号:AL
功耗:0.5W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:1300mW
晶体管数:1
晶体管类型:中等功率BJT
最大连续电流, Ic:1000mA
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:-100V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:1000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-0.5V
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上海290 新加坡10 英国 0 |
1 |
10 |
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NXP - BCX51-16 - 晶体管PNP SOT-89 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:0.5W
集电极直流电流:1000mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
针脚数:3
SMD标号:AD
功耗:0.5W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:1300mW
晶体管数:1
晶体管类型:中等功率BJT
最大连续电流, Ic:1000mA
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:-45V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:1000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-0.5V
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上海170 新加坡159 英国 0 |
1 |
5 |
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NXP - BCX51 - 晶体管PNP SOT-89 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:0.5W
集电极直流电流:1000mA
直流电流增益 hFE:63
工作温度范围:-65°C to +150??C
封装类型:SOT-89
针脚数:3
SMD标号:AA
功耗:0.5W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:0.5W
晶体管数:1
晶体管类型:中等功率BJT
最大连续电流, Ic:1000mA
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:1000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-0.5V
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上海 0 新加坡20 英国355 |
1 |
5 |
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NXP - BCX19 - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:U1
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:200mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:500mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:620mV
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上海 0 新加坡999 英国33666 |
1 |
10 |
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NXP - BCX17 - 晶体管PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:T1
功耗:250mW
器件标记:BCX17
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:200mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:500mA
最小增益带宽 ft:80MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-620mV
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上海770 新加坡19 英国16365 |
1 |
10 |
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NXP - BCW72 - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:K2
功耗:250mW
器件标记:BCW72
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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上海 0 新加坡10 英国 0 |
1 |
10 |
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NXP - BCW71 - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:90
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:K1
功耗:250mW
器件标记:BCW71
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:110
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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上海2590 新加坡 0 英国2210 |
1 |
10 |
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NXP - BCW70 - 晶体管PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:H2
功耗:250mW
器件标记:BCW70
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:215
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-300mV
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上海1610 新加坡330 英国 0 |
1 |
10 |
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NXP - BCW60D - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:32V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:380
工作温度范围:-65°C to +150??C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:AD
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:32V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:380
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:350mV
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上海 0 新加坡 0 英国1768 |
1 |
10 |
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NXP - BCW60B - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:32V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:180
工作温度范围:-65°C to +150??C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:AB
功耗:250mW
器件标记:BCW60B
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:32V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:180
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:350mV
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上海 0 新加坡10 英国6135 |
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