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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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ROHM - IMH2AT110 - 双晶体管 SC-74 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:100mA
??流电流增益 hFE:68
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-457
封装类型:SOT-457
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:300mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:68
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上海 0 新加坡 0 英国4900 |
1 |
10 |
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ROHM - IMH1AT110 - 双晶体管 SC-74 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:100mA
??流电流增益 hFE:56
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-457
封装类型:SOT-457
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:300mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:56
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无库存 |
1 |
10 |
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ROHM - IMH15AT110 - 双晶体管 SC-74 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-457
封装类型:SOT-457
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:300mW
最大连续电流, Ic:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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上海 0 新加坡 0 英国2620 |
1 |
10 |
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ROHM - IMH11AT110 - 双晶体管 SC-74 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:30
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-457
封装类型:SOT-457
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:300mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:30
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上海 0 新加坡 0 英国1410 |
1 |
10 |
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ON SEMICONDUCTOR - MC1413BDG - 芯片 晶体管阵列 |
晶体管极性:NPN Darlington
电压, Vceo:50V
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:1000
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:16-SOIC
针脚数:16
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:16-SOIC
晶体管数:7
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:500mA
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERSIL - HFA3101BZ - 芯片 晶体管阵列 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:8V
截止频率 ft, 典型值:10GHz
集电极直流电流:30mA
直流电流增益 hFE:70
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERSIL - HFA3128BZ - 芯片 晶体管阵列 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:12V
截止频率 ft, 典型值:5.5GHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:37mA
直流电流增益 hFE:60
工作温度范围:-55°C to +125°C
封装类型:SOIC
针脚数:16
封装类型:SOIC
晶体管数:5
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:65mA
电源电压 最小:12V
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERSIL - HFA3127BZ - 芯片 晶体管阵列 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:8V
截止频率 ft, 典型值:8GHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:37mA
直流电流增益 hFE:130
封装类型:SOIC
针脚数:16
封装类型:SOIC
晶体管数:5
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:11.3mA
电源电压 最小:12V
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上海 0 新加坡 0 英国50 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - ULQ2003A - 芯片 晶体管阵列 7NPN 16DIP |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:1000
工作温度范围:-40°C to +105°C
封装类型:PDIP
针脚数:16
封装类型:PDIP
晶体管数:7
器件标号:2003
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:105°C
最大连续电流, Ic:500mA
输入类型:TTL & CMOS
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
通道数:7
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上海 0 新加坡 0 英国12 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - ULN2802A - 芯片 晶体管阵列 8NPN 18DIP |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
功耗, Pd:2.25W
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:1000
工作温度范围:-20°C to +85°C
封装类型:PDIP
针脚数:18
封装类型:PDIP
晶体管数:8
器件标号:2802
工作温度最低:-20°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:500mA
输入类型:PMOS
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:500mA
通道数:18
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上海 0 新加坡80 英国908 |
1 |
1 |
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INTERSIL - HFA3096BZ - 芯片 晶体管阵列 超高频 |
晶体管极性:NPN & PNP
电压, Vceo:8V
截止频率 ft, 典型值:8GHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:37mA
直流电流增益 hFE:130
工作温度范围:-55°C to +125°C
封装类型:SOIC
针脚数:16
封装类型:SOIC
表面安装器件:表面安装
器件标号:3096
封装形式:SOIC
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:125°C
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上海 0 新加坡 0 英国342 |
1 |
1 |
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INTERSIL - HFA3128BZ.. - 芯片 晶体管阵列 超高频 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:12V
截止频率 ft, 典型值:5.5GHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:37mA
直流电流增益 hFE:60
工作温度范围:-55°C to +125°C
封装类型:SOIC
针脚数:16
封装类型:SOIC
晶体管数:5
表面安装器件:表面安装
器件标号:3128
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:125°C
最大连续电流, Ic:34mA
通道数:5
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上海 0 美国 0 新加坡 0 英国104 |
1 |
1 |
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INTERSIL - HFA3127BZ.. - 芯片 晶体管阵列 超高频 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:12V
截???频率 ft, 典型值:8GHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:37mA
直流电流增益 hFE:130
工作温度范围:-55°C to +125°C
封装类型:SOIC
针脚数:16
封装类型:SOIC
晶体管数:5
表面安装器件:表面安装
器件标号:3127
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:125°C
最大连续电流, Ic:34mA
通道数:5
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERSIL - HFA3101BZ.. - 芯片 晶体管阵列 吉尔伯特(GILBERT)单元 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:8V
截止频率 ft, 典型值:10GHz
集电极直流电流:30mA
直流电流增益 hFE:70
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:SOIC
晶体管数:6
表面安装器件:表面安装
器件标号:3101
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:30mA
通道数:1
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上海 0 新加坡 0 英国127 |
1 |
1 |
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ROHM - UMT1NTN - 双晶体管 PNP+PNP |
模块配置:双
晶体管极性:Dual PNP
电压, Vceo:-50V
截止频率 ft, 典型值:140MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:-150mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:UMT
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:-150mA
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:150mA
通道数:2
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上海 0 新加坡500 英国3794 |
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