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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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ROHM - UMF9NTR - 双晶体管 2SC5585+2SK3019 |
模块配置:双
晶体管极性:NPN + N MOSFET
电压, Vceo:12V
截止频率 ft, 典型值:320MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:270
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:UMT
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:500mA
输入类型:NPN + N MOSFET
输出电压 最大:12V
输出电流 最大:0.5A
通道数:2
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上海 0
新加坡 0
英国864 |
1 |
1 |
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ROHM - UMF8NTR - 双晶体管 NPN+数字 SC-88 |
模块配置:双
晶体管极性:NPN(Digital) + PNP
电压, Vceo:12V
截止频率 ft, 典型值:320MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:270
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:500mA
电源电压 最大:50V
输入电压 最大:40V
输入电压 最小:-10V
输出电流 最大:30mA
通道数:2
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上海 0
新加坡 0
英国2058 |
1 |
1 |
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ROHM - UMF6NTR - 双晶体管 2SK3018+2SA2018 |
模块配置:双
晶体管极性:PNP + N MOSFET
电压, Vceo:-12V
截止频率 ft, 典型值:260MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:-500mA
直流电流增益 hFE:270
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:UMT
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:-500mA
输入类型:PNP + MOSFET
输出电压 最大:12V
输出电流 最大:0.1A
通道数:2
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上海 0
新加坡 0
英国2477 |
1 |
1 |
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ROHM - UMF5NTR - 双晶体管 DTC144E+2SA2018 SC886 |
模块配置:双
晶体管极性:NPN(Digital) + PNP
电压, Vceo:-12V
截止频率 ft, 典型值:260MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:-500mA
直流电流增益 hFE:270
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:-500mA
电源电压 最大:50V
输入电压 最大:40V
输入电压 最小:-10V
输出电流 最大:100mA
通道数:2
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上海 0
新加坡 0
英国2150 |
1 |
1 |
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ROHM - UMF32NTR - 双晶体管 DTA143T+2SK3019 |
模块配置:双
晶体管极性:PNP + N MOSFET
电压, Vceo:-50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:-100mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:EMT6
针脚数:6
封装类型:EMT
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:-100mA
输入类型:PNP + MOSFET
输出电压 最大:30V
输出电流 最大:0.1A
通道数:2
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上海 0
新加坡 0
英国2501 |
1 |
1 |
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ROHM - UMF28NTR - 双晶体管 PNP+数字 SC-88 |
模块配置:双
晶体管极性:NPN(Digital) + PNP
电压, Vceo:-50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:-150mA
直流电流增益 hFE:180
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:100mA
电源电压 最大:50V
输入电压 最大:40V
输入电压 最小:-10V
输出电流 最大:100mA
通道数:2
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上海 0
新加坡 0
英国2219 |
1 |
1 |
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ROHM - IMX1T110 - 晶体管 双 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:150mA
直流电流??益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-74
针脚数:6
封装类型:SMT-6
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:150mA
输出电压 最大:50V
输出电流 最大:150mA
通道数:2
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上海 0
新加坡400
英国472 |
1 |
5 |
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ROHM - EMF9T2R - 场效应管 MOSFET NPN + N通道 |
晶体管极性:N-Channel + PNP
电压, Vceo:12V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:EMT
针脚数:6
封装类型:EMT
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:500mA
输出电压 最大:12V
输出电流 最大:0.1A
通道数:2
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无库存 |
1 |
5 |
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ROHM - EMF8T2R - 晶体管 NPN +数字 SMD |
晶体管极性:RET-NPN + PNP
电压, Vceo:12V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:EMT
针脚数:6
封装类型:EMT
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:500mA
电源电压 最大:50V
输出电压 最大:12V
输出电流 最大:0.1A
通道数:2
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无库存 |
1 |
5 |
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ROHM - EMF6T2R - 场效应管 MOSFET NPN + N通道 |
晶体管极性:N-Channel + PNP
电压, Vceo:-12V
工作温度范围:-55°C to +150??C
封装类型:EMT
针脚数:6
封装类型:EMT
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:-500mA
输出电压 最大:12V
输出电流 最大:0.5A
通道数:2
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无库存 |
1 |
5 |
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ROHM - EMF5T2R - 晶体管 PNP 数字 SMD |
晶体管极性:RET-NPN + PNP
电压, Vceo:-12V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:EMT
针脚数:6
封装类型:EMT
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:-500mA
电源电压 最大:50V
输出电压 最大:12V
输出电流 最大:0.1A
通道数:2
|
无库存 |
1 |
5 |
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ROHM - EMF33T2R - 场效应管 MOSFET + PNP数字 |
晶体管极性:N-Channel + RET-PNP
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类??:EMT
针脚数:6
封装类型:EMT
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:-500mA
电源电压 最大:-12V
输出电压 最大:30V
输出电流 最大:0.1A
通道数:2
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无库存 |
1 |
5 |
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ROHM - EMF32T2R - 场效应管 MOSFET + PNP数字 |
晶体管极性:N-Channel + RET-PNP
电压, Vceo:-50V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:EMT
针脚数:6
封装类型:EMT
晶体管数:2
表面安装器件:表面安装
最大连续电流, Ic:-100mA
输出电压 最大:30V
输出电流 最大:0.1A
通道数:2
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无库存 |
1 |
5 |
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NXP - PMP5501V - 晶体管 双 PNP SOT-666 |
晶体管极性:Dual PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:175MHz
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-666
封装类型:SOT-666
晶体管类型:General Purpose
最小增益带宽 ft:100MHz
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ED
功率 Ptot (每器件):300mW
功耗:200mW
总功率, Ptot:200mW
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
饱和电压, Vce sat 最大:-200mV
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上海 0
新加坡 0
英国405 |
1 |
5 |
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NXP - PMP5201V - 晶体管 双 PNP SOT-666 |
模块配置:双
晶体管极性:Dual PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:175MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:-100mA
直流??流增益 hFE:290
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-666
封装类型:SOT-666
晶体管类型:Bipolar
最小增益带宽 ft:100MHz
表面安装器件:表面安装
SMD标号:EC
功率 Ptot (每器件):300mW
功耗:200mW
总功率, Ptot:200mW
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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上海 0
新加坡 0
英国1965 |
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5 |
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