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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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NXP - PMP4501V - 晶体管 双 NPN SOT-666 |
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-666
封装类型:SOT-666
晶体管类型:General Purpose
最小增益带宽 ft:100MHz
表面安装器件:表面安装
SMD标号:EB
功率 Ptot (每器件):300mW
功耗:200mW
总功率, Ptot:200mW
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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无库存 |
1 |
5 |
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NXP - PMP4201V - 晶体管 双 NPN SOT-666 |
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-666
封装类型:SOT-666
晶体管类型:General Purpose
最小增益带宽 ft:100MHz
表面安装器件:表面安装
SMD标号:EA
功率 Ptot (每器件):300mW
功耗:200mW
总功率, Ptot:200mW
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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无库存 |
1 |
5 |
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NXP - PMD9050D - 晶体管 NPN/PNP 40V SSOT-6 |
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SSOT-6
封装类型:SSOT-6
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
SMD标号:9G
功耗:290mW
总功率, Ptot:290mW
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:24
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海 0
新加坡 0
英国495 |
1 |
5 |
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NXP - PMD9010D - 晶体管 NPN/PNP 45V SSOT-6 |
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SSOT-6
封装类型:SSOT-6
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
SMD标号:AA
功耗:290mW
总功率, Ptot:290mW
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:24
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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上海 0
新加坡 0
英国425 |
1 |
5 |
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NXP - PMD9003D - 晶体管 NPN/PNP 50V SSOT-6 |
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SSOT-6
封装类型:SSOT-6
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
SMD标号:9D
功耗:290mW
总功率, Ptot:290mW
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:20mA
电阻, R1:10kohm
电阻, R2:10kohm
直流电流增益 hfe, 最小值:30
饱和电压, Vce sat 最大:150mV
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上海 0
新加坡 0
英国345 |
1 |
5 |
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NXP - PMD9002D - 晶体管 NPN/PNP 50V SSOT-6 |
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SSOT-6
封装类型:SSOT-6
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
SMD标号:9C
功耗:290mW
总功率, Ptot:290mW
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:20mA
电阻, R1:4.7kohm
电阻, R2:4.7kohm
直流电流增益 hfe, 最小值:30
饱和电压, Vce sat 最大:150mV
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上海 0
新加坡 0
英国462 |
1 |
5 |
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NXP - PMD9001D - 晶体管 NPN/PNP 50V SSOT-6 |
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:45V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SSOT-6
封装类型:SSOT-6
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
SMD标号:9B
功耗:290mW
总功率, Ptot:290mW
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:200mA
电阻, R1:2.2kohm
电阻, R2:2.2kohm
直流电流增益 hfe, 最小值:24
饱和电压, Vce sat 最大:150mV
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上海 0
新加坡 0
英国385 |
1 |
5 |
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NXP - PMD3001D - 晶体管 NPN/PNP 40V 1A SSOT-6 |
模块配置:双
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:40V
功耗, Pd:580mW
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:450
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SSOT-6
封装类型:SSOT-6
晶体管类型:Bipolar
表面安装器件:表面安装
SMD标号:9F
功耗:330mW
总功率, Ptot:330mW
最大连续电流, Ic:1000mA
电压, Vcbo:40V
电流, Ic hFE:2000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:50
饱和电压, Vce sat 最大:80mV
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上海285
新加坡 0
英国4720 |
1 |
5 |
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NXP - PMD2001D - 晶体管 NPN/PNP 40V SSOT-6 |
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:40V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SSOT-6
封装类型:SSOT-6
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
SMD标号:9E
功耗:320mW
总功率, Ptot:320mW
最大连续电流, Ic:600mA
电压, Vcbo:40V
电流, Ic hFE:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:50
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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上海 0
新加坡 0
英国4234 |
1 |
5 |
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NXP - BCM857BV - 晶体管 双 PNP SOT-666 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:175MHz
工作温??范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-666
封装类型:SOT-666
晶体管类型:Double
最小增益带宽 ft:100MHz
表面安装器件:表面安装
SMD标号:3B
功率 Ptot (每器件):300mW
功耗:200mW
总功率, Ptot:200mW
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
饱和电压, Vce sat 最大:-200mV
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无库存 |
1 |
5 |
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TEXAS INSTRUMENTS - ULN2803AN.. - 芯片 达林顿晶体管阵列 500mA x8 |
芯片 达林顿晶体管阵列 500mA x8
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美国 0
上海80
美国 0
新加坡900 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MBT2222ADW1T1G - 双极性晶体管 HFE 300 |
双极性晶体管 HFE 300
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美国 0
上海 0
美国14900
新加坡722 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZDT6790TA - 晶体管 NPN/PNP SM-8 |
模块配置:双
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:2.75W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:500
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SM-8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SM-8
晶体管类型:Bipolar
最小增益带宽 ft:150MHz
表面安装器件:表面安装
功率 Ptot (每器件):2.25W
功耗:2.75W
峰值电流, Icm:6A
总功率, Ptot:2.75W
时间, t off:1300ns
时间, t on:33ns
最大连续电流, Ic:2A
电压, Vcbo:45V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:150
饱和电??, Vce sat 最大:0.5V
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上海 0
新加坡35
英国 0 |
1 |
1 |
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ANALOG DEVICES - MAT04FPZ - 芯片 四晶体管 |
模块配置:Quad
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:30mA
直流电流增益 hFE:600
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:PDIP
针脚数:14
封装类型:PDIP
晶体管数:4
表面安装器件:通孔安装
器件标号:4
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
最大连续电流, Ic:30mA
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停产 |
1 |
1 |
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ANALOG DEVICES - SSM2220SZ - 芯片 双音频晶体管 |
晶体管极性:Dual PNP
电压, Vceo:36V
集电极直流电流:20mA
直流电流增益 hFE:165
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
表面安装器件:表面安装
器件标号:2220
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
带宽:190MHz
电源电流:20mA
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上海 0
新加坡 0
英国62 |
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