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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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DIODES INC. - DMN601DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):2ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-363
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-363
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:305mA
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上海 0
新加坡 0
英国2910 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DMN5L06DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):2ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-363
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-363
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:305mA
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上海 0
新加坡 0
英国4168 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - BSS84DW-7-F - 场效应管 MOSFET P沟道 SOT-363 |
晶体管极性:Dual P Channel
开态电阻, Rds(on):10ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-363
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:-5V
电压, Vds 典型值:-50V
电流, Id 连续:-130mA
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上海 0
新加坡 0
英国1575 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - 场效应管 MOSFET阵列 N/P SOT-363 |
晶体管极性:N/P Channel
开态电阻, Rds(on):13.5ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
工作温度???围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-363
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:115mA
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上海 0
新加坡 0
英国5029 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - BSS138DW-7-F - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-363 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):3.5ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V
工作温度范围:-55??C to +150°C
封装类型:SOT-363
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-363
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:200mA
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上海 0
新加坡 0
英国6430 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - 场效应管 MOSFET N沟道 60V SOT-363 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):13.5ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-363
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:115mA
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上海 0
新加坡 0
英国2409 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5160V-7 - 晶体管 PNP SOT563 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:160mV
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上海 0
新加坡 0
英国3100 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5140V-7 - 晶体管 PNP SOT563 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:140mV
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上海 0
新加坡 0
英国2024 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5240V-7 - 晶体管 PNP SOT563 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:120mV
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上海 0
新加坡 0
英国3075 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5220V-7 - 晶体管 PNP SOT563 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:80mV
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上海 0
新加坡 0
英国3094 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4160V-7 - 晶体管 NPN SOT563 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:110mV
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上海 0
新加坡 0
英国3070 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4140V-7 - 晶体管 NPN SOT563 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:80mV
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上海 0
新加坡 0
英国2000 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4240V-7 - 晶体管 NPN SOT563 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:75mV
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上海 0
新加坡 0
英国3000 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4220V-7 - 晶体管 NPN SOT563 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:260MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:55mV
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上海 0
新加坡 0
英国3050 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5160U-7 - 晶体管 PNP SOT323 0.4W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.4W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.4W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:175mV
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上海 0
新加坡 0
英国2478 |
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