IC产品 DIODES. - 北京中其伟业科技有限公司

中其伟业 >> IC产品 >>

图片	型号	产品描述	库存状况	包装规格	单位价格 (不含税)
	DIODES INC. - ZXMP6A18K - 场效应管 MOSFET P D-PAK	晶体管极性:P 漏极电流, Id 最大值:-10.4A 电压, Vds 最大:60V 开态电阻, Rds(on):0.055ohm 电压 @ Rds测量:-10V 电压, Vgs 最高:-20V 功耗:10.1W 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:D-PAK 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:ZXMP 6A18 功率, Pd:4.3W 功率, Pd 50mm2 PCB:4.3W 外宽:6.8mm 外部深度:10.5mm 外部长度/高度:2.55mm 封装类型:DPAK 封装类型, 替代:TO-252 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:-60V 电流, Id 连续:10.4A 电流, Idm 脉冲:37.5A 表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on 最大:0.055ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:-1V 阈值电压, Vgs th 最低:1V	上海 0 新加坡10 英国2435	1	1
	DIODES INC. - ZXMP4A16K - 场效应管 MOSFET P D-PAK	晶体管极性:P 漏极电流, Id 最大值:-9.9A 电压, Vds 最大:40V 开态电阻, Rds(on):0.06ohm 电压 @ Rds测量:-10V 电压, Vgs 最高:-20V 功耗:9.5W 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:D-PAK 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 功率, Pd:9.5W 外宽:6.8mm 外部深度:10.5mm 外部长度/高度:2.55mm 封装类型:DPAK 封装类型, 替代:TO-252 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:-40V 电流, Id 连续:9.9A 电流, Idm 脉冲:35A 表面安装器件:表??安装阈值电压, Vgs th 典型值:-1V	上海 0 新加坡 0 英国496	1	1
	DIODES INC. - ZXMN0545G4 - 场效应管 MOSFET N SOT-223	晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:140mA 电压, Vds 最大:450V 开态电阻, Rds(on):50ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:2W 工作温度范围:-80oC to +150oC 封装类型:SOT-223 功率, Pd:2W 外宽:6.7mm 外部深度:7.3mm 外部长度/高度:1.7mm 封装类型:SOT-223 带子宽度:12mm 应用代码:HVGP 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:450V 电流, Id 连续:0.14A 电流, Idm 脉冲:0.6A 表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th 典型值:3V 阈值电压, Vgs th 最高:3V	无库存	1	1
	DIODES INC. - ZXMP2120E5 - 场效应管 MOSFET P SOT23-5	晶体管极性:P 电压, Vds 最大:200V ??态电阻, Rds(on):28ohm 电压 @ Rds测量:10V 封装类型:SOT-23 针脚数:5 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 功率, Pd:0.75W 封装类型:SOT-23 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V 电压, Vds 典型值:-200V 电流, Id 连续:0.122A 电流, Idm 脉冲:0.7A 表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th 典型值:-3.5V 阈值电压, Vgs th 最低:-1.5V	无库存	1	1
	DIODES INC. - ZXMP2120G4 - 场效应管 MOSFET P SOT-223	晶体管极性:P 漏极电流, Id 最大值:-200mA 电压, Vds 最大:200V 开态电阻, Rds(on):25ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:-20V 功耗:2W 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:SOT-223 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 功率, Pd:2W 外宽:6.7mm 外部深度:7.3mm 外部长度/高度:1.7mm 封装类型:SOT-223 带子宽度:12mm 应用代码:DCDC 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V 电压, Vds 典型值:-200V 电流, Id 连续:0.2A 电流, Idm 脉冲:1A 表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th 典型值:-3.5V 阈值电压, Vgs th 最高:-3.5V	上海 0 新加坡 0 英国187	1	1
	DIODES INC. - ZXTC2045E6 - 晶体管 NPN/PNP SOT23-6	模块配置:双晶体管极性:NPN / PNP 电压, Vceo:30V 功耗, Pd:1.7W 集电极直流电流:1.5A 直流电流增益 hFE:300 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 器件标记:2045 封装类型:SOT-23 晶体管类型:Bipolar 表面安装器件:表面安装 SMD标号:2045 hFE, 最大:500 hFE, 最小:180 功耗:1.1W 总功率, Ptot:1.1W 最大连续电流, Ic:0.75A 电压, Vcbo:40V 电流, Ic hFE:100mA 电流, Ic 最大:1.5A 直流电流增益 hfe, 最大值:500 直流电流增益 hfe, 最小值:180 饱和电压, Vce sat 最大:375mV	无库存	1	1
	DIODES INC. - ZXTP2041F - 晶体管 PNP SOT-23	晶体管极性:PNP 电压, Vceo:40V 截止频率 ft, 典型值:150MHz 功耗, Pd:350mW 集电极直流电流:1A 直流电流增益 hFE:300 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:P41 hFE, 最大:800 hFE, 最小:300 功耗:350mW 封装类型:SOT-23 总功率, Ptot:0.35W 晶体管类型:双极的最大连续电流, Ic:1A 电压, Vcbo:40V 电流, Ic hFE:100mA 电流, Ic 最大:1A 直流电流增益 hfe, 最大值:800 直流电流增益 hfe, 最小值:300 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:0.2V 助焊剂类型: 电流, Ic hFE -不要使用 ?? ID 1182:100mA	上海 0 新加坡 0 英国205	1	1
	DIODES INC. - ZXTP2039F - 晶体管 PNP SOT-23	晶体管极性:PNP 电压, Vceo:60V 截止频率 ft, 典型值:150MHz 功耗, Pd:350mW 集电极直流电流:1A 直流电流增益 hFE:100 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:P39 hFE, 最大:300 hFE, 最小:100 功耗:350mW 封装类型:SOT-23 总功率, Ptot:0.35W 晶体管类型:双极的最大连续电流, Ic:1A 电压, Vcbo:80V 电流, Ic hFE:500mA 电流, Ic 最大:1A 直流电流增益 hfe, 最大值:300 直流电流增益 hfe, 最小值:100 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:0.2V 助焊剂类型:	上海 0 新加坡85 英国5391	1	1
	DIODES INC. - ZXTN2040F - 晶体管 NPN SOT-23	晶体管极性:NPN 电压, Vceo:40V 截止频率 ft, 典型值:150MHz 功耗, Pd:350mW 集电极直流电流:1A 直流电流增益 hFE:300 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:N40 hFE, 最大:900 hFE, 最小:300 功耗:350mW 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:0.35W 晶体管数:1 晶体管类型:双极的最大连续电流, Ic:1A 电压, Vcbo:40V 电流, Ic hFE:1mA 电流, Ic 最大:1A 直流电流增益 hfe, 最大值:900 直流电流增益 hfe, 最小值:300 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:0.2V 助焊剂类型: 电流, Ic hFE -不要使用见 ID 1182:1mA	上海 0 新加坡10 英国113	1	1
	DIODES INC. - ZXTN2038F - 晶体管 NPN SOT-23	晶体管极性:NPN 电压, Vceo:60V 截止频率 ft, 典型值:150MHz 功耗, Pd:350mW 集电极直流电流:1A 直流电流增益 hFE:100 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:P38 hFE, 最大:300 hFE, 最小:100 功耗:350mW 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:350mW 晶体管数:1 晶体管类型:双极的最大连续电流, Ic:1A 电压, Vcbo:80V 电流, Ic hFE:500mA 电流, Ic 最大:1A 直流电流增益 hfe, 最大值:300 直流电流增益 hfe, 最小值:100 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:0.2V 助焊剂类型: 电流, Ic hFE -不要使用见 ID 1182:500mA	上海 0 新加坡 0 英国1292	1	1
	DIODES INC. - ZXTP25060BFH - 晶体管 PNP SOT-23	晶体管极性:PNP 电压, Vceo:60V 截止频率 ft, 典型值:250MHz 功耗, Pd:1.25W 集电极直流电流:3A 直流电??增益 hFE:200 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:028 hFE, 最大:300 hFE, 最小:100 功耗:1.25W 封装类型:SOT-23 总功率, Ptot:1.25W 晶体管类型:双极的最大连续电流, Ic:3A 电压, Vcbo:150V 电流, Ic hFE:10mA 电流, Ic 最大:3.5A 直流电流增益 hfe, 最大值:300 直流电流增益 hfe, 最小值:100 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:55mV 助焊剂类型: 电流, Ic hFE -不要使用见 ID 1182:10mA	上海280 新加坡 0 英国3975	1	1
	DIODES INC. - ZXTP25100BFH - 晶体管 PNP SOT-23	晶体管极性:PNP 电压, Vceo:100V 截止频率 ft, 典型值:200MHz 功耗, Pd:1.25W 集电极直流电流:2A 直流电???增益 hFE:200 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:056 hFE, 最大:300 hFE, 最小:100 功耗:1.25W 封装类型:SOT-23 总功率, Ptot:1.25W 晶体管类型:双极的最大连续电流, Ic:2A 电压, Vcbo:140V 电流, Ic hFE:10mA 电流, Ic 最大:2A 直流电流增益 hfe, 最大值:300 直流电流增益 hfe, 最小值:100 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:90mV 助焊剂类型: 电流, Ic hFE -不要使用见 ID 1182:10mA	上海 0 新加坡 0 英国4141	1	1
	DIODES INC. - ZXTP25140BFH - 晶体管 PNP SOT-23	晶体管极性:PNP 电压, Vceo:140V 截止频率 ft, 典型值:75MHz 功耗, Pd:1.25W 集电极直流电流:1A 直流电??增益 hFE:200 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:026 hFE, 最大:300 hFE, 最小:100 功耗:1.25W 封装类型:SOT-23 总功率, Ptot:1.25W 晶体管类型:双极的最大连续电流, Ic:1A 电压, Vcbo:180V 电流, Ic hFE:10mA 电流, Ic 最大:1A 直流电流增益 hfe, 最大值:300 直流电流增益 hfe, 最小值:100 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:50mV 助焊剂类型: 电流, Ic hFE -不要使用见 ID 1182:10mA	上海 0 新加坡6 英国1057	1	1
	DIODES INC. - ZXTP23140BFH - 晶体管 PNP SOT-23	晶体管极性:PNP 电压, Vceo:140V 截止频率 ft, 典???值:130MHz 封装类型:SOT-23 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:955 hFE, 最大:300 hFE, 最小:100 功耗:1.25W 封装类型:SOT-23 总功率, Ptot:1.25W 晶体管类型:双极的最大连续电流, Ic:2.5A 电压, Vcbo:160V 电流, Ic hFE:1000mA 电流, Ic 最大:2.5A 直流电流增益 hfe, 最大值:300 直流电流增益 hfe, 最小值:100 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:55mV 助焊剂类型: 电流, Ic hFE -不要使用见 ID 1182:1000mA	无库存	1	1
	DIODES INC. - ZXTN25060BFH - 晶体管 NPN SOT-23	晶体管极性:NPN 电压, Vceo:60V 截止频率 ft, 典型值:185MHz 功耗, Pd:1.25W 集电极直流电流:3.5A 直流电流增益 hFE:200 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SMD标号:028 hFE, 最大:300 hFE, 最小:100 功耗:1.25W 封装类型:SOT-23 带子宽度:8mm 总功率, Ptot:1.25W 晶体管数:1 晶体管类型:双极的最大连续电流, Ic:3.5A 电压, Vcbo:100V 电流, Ic hFE:10mA 电流, Ic 最大:3A 直流电流增益 hfe, 最大值:300 直流电流增益 hfe, 最小值:100 表面安装器件:表面安装饱和电压, Vce sat 最大:40mV 助焊剂类型: 电流, Ic hFE -不要使用见 ID 1182:10mA	上海 0 新加坡 0 英国6174	1	1
共 26 页 \| 第 14 页 \| 首页上一页下一页尾页