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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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DIODES INC. - DSS4320T-7 - 晶体管 NPN SOT23 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:70mV
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上海 0
新加坡 0
英国250 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4540X-13 - 晶体管 NPN SOT89 0.9W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:70MHz
功耗, Pd:0.9W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.9W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:90mV
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上海 0
新加坡 0
英国195 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS60600MZ4-13 - 晶体管 PNP SOT223 1.2W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:150
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:50mV
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上海 0
新加坡 0
英国766 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DJT4030P-13 - 晶体管 PNP SOT223 1.2W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:150mV
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上海 0
新加坡 0
英国639 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DMJT9435-13 - 晶体管 PNP SOT223 1.2W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:160MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.8A
直流电流增益 hFE:125
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.8A
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:210mV
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上海 0
新加坡 0
英国495 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS60601MZ4-13 - 晶体管 NPN SOT223 1.2W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:150
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:40mV
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上海 0
新加坡 0
英国2010 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DJT4031N-13 - 晶体管 NPN SOT223 1.2W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:105MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:100mV
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上海 0
新加坡 0
英国1267 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXLD1366DACTC - 芯片 LED驱动器 1A 60V DFN633 |
驱动芯片类型:LED
拓扑结构:降压
输入电压范围:6V to 60V
输出电压:60V
输出电???:1A
输出数:1
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:DFN
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
LED显示类型:LED
器件标号:1366
封装类型:DFN
电源电压 最大:60V
电源电压 最小:6V
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国1112 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXLD1366ET5TA - 芯片 LED驱动器 1A 60V TSOT23-5 |
驱动芯片类型:LED
拓扑结构:降压
输入电压范围:6V to 60V
输出电压:60V
输出电???:1A
输出数:1
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:TSOT-23
针脚数:5
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
LED显示类型:LED
器件标号:1366
封装类型:TSOT-23
电源电压 最大:60V
电源电压 最小:6V
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡17
英国3556 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXLD1356DACTC - 芯片 LED驱动器 550mA 60V TSOT23-5 |
驱动芯片类型:LED
拓扑结构:降压
输入电压范围:6V to 60V
输出电压:60V
输出电流:550mA
输出数:1
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:DFN
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
LED显示类型:LED
器件标号:1356
封装类型:DFN
电源电压 最大:60V
电源电压 最小:6V
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国57 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXLD1356ET5TA - 芯片 LED驱动器 550mA 60V DFN633 |
驱动芯片类型:LED
拓扑结构:降压
输入电压范围:6V to 60V
输出电压:60V
输出电流:550mA
输出数:1
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:TSOT-23
针脚数:5
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
LED显示类型:LED
器件标号:1356
封装类型:TSOT-23
电源电压 最大:60V
电源电压 最小:6V
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡28
英国5882 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXSBMR16PT8TA - 肖特桥式整流器+续流二极管 |
相数:单相
电压, Vrrm:40V
电流, If 平均:0.4A
正向电压 Vf 最大:640mV
功耗, Pd:1W
安装类型:SMD
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SM-8
电流, Ifs 最大:13A
相数:1
表面安装器件:表面安装
通态时间 @ IFSM测量:100μs
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上海 0
新加坡 0
英国1954 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXMN3G32DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SO-8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:Dual N
漏极电流, Id 最大值:7.1A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.028ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
功耗:2.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:7.1A
电流, Idm 脉冲:33.6A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.028ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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上海 0
新加坡 0
英国55 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXMN3F30FHTA - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:4.6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.047ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.4W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:4.6A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.047ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.065ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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上海 0
新加坡53
英国2427 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXMN2F34MATA - 场效应管 MOSFET N沟道 DFN322 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5.1A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.06ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:1.35W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DFN322
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DFN322
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:5.1A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.12ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.06ohm
阈值电压, Vgs th 最低:0.5V
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上海 0
新加坡200
英国572 |
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5 |
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