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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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STMICROELECTRONICS - VN5050J-E - 芯片 驱动器 高压侧 车用 PWRSSO-12 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:12
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSSO
器件标号:5050
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:1
输出电流:18A
通道配置:1/1
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VN5016AJ-E - 芯片 驱动器 高压侧 车用 POWERSSO12 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:12
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSSO
器件标号:5016
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:1
输出电流:60A
通道配置:1/1
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VN05N-E - 芯片 固态继电器 高压侧 60V PENTAWATT |
驱动芯片类型:高边
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Pentawatt
功耗, Pd:56W
器件标号:05
电源电压 最大:26V
电源电压 最小:7V
表面安装器件:通孔安装
输出数:1
输出电压:60V
输出电流:13A
通道配置:1/1
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上海 0
新加坡 0
英国67 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VN02NSP-E - 芯片 固态继电器 高压侧 智能 60V PENTAWATT |
驱动芯片类型:高边
针脚数:10
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:PowerSO
功耗, Pd:29W
器件标号:02
电源电压 最大:26V
电源电压 最小:7V
表面安装器件:表面安装
输出数:1
输出电压:60V
输出电流:6A
通道配置:1/1
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上海 0
新加坡30
英国180 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.135ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡10
英国 0 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.135ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FP
封装类型:TO-220FP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国1 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.28ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:5.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国50 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.28ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FP
封装类型:TO-220FP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:5.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国50 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.28ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:5.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国2265 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):1.3mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:PolarPAK
封装类型:PolarPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:19A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国2929 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.055ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D2PAK
封装类型:D2PAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:250V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国982 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STTS75M2E - 芯片 温度传感器 数字式 I2C |
针脚数:8
封装类型:SOIC
传感器 / 换能器类型:温度
器件标号:75
工作温度范围:-55°C to +125°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.7V
精度:± 0.5°C
表面安装器件:表面安装
输出电压:6V
输出电流:10mA
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STCN75M2E - 芯片 温度传感器 数字式 I2C |
针脚数:8
封装类型:SOIC
传感器 / 换能器类型:温度
器件标号:75
工作温度范围:-55°C to +125°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.7V
精度:± 0.5°C
表面安装器件:表面安装
输出电压:6V
输出电流:10mA
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上海 0
新加坡47
英国109 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STDS75M2E - 芯片 温度传感器 数字式 I2C |
针脚数:8
封装类型:SOIC
传感器 / 换能器类型:温度
器件标号:75
工作温度范围:-55°C to +125°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.7V
精度:± 0.5°C
表面安装器件:表面安装
输出电压:6V
输出电流:10mA
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上海 0
新加坡 0
英国123 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STLM75M2E - 芯片 温度传感器 数字式 I2C |
针脚数:8
封装类型:SOIC
传感器 / 换能器类型:温度
器件标号:75
工作温度范围:-55°C to +125°C
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.7V
精度:± 0.5°C
表面安装器件:表面安装
输出电压:6V
输出电流:10mA
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上海 0
新加坡50
英国117 |
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