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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TOSHIBA - 2SK2611(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:9A
电压, Vds 最大:900V
开态电阻, Rds(on):1.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:900V
电流, Id 连续:9A
电流, Idm 脉冲:27A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡28
英国291 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK2610(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:900V
开态电阻, Rds(on):2.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:900V
电流, Id 连续:5A
电流, Idm 脉冲:15A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国251 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK2607(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:9A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):1.2ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:800V
电流, Id 连续:9A
电流, Idm 脉冲:27A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国145 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK2232(F) - 场效应管 MOSFET N TO-220 隔离 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:25A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.08ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:35W
封装类型:TO-220FP
针脚数:3
功率, Pd:35W
封装类型:TO-220FP
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:25A
电流, Idm 脉冲:100A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2V
阈值电压, Vgs th 最高:2V
隔离电压:2kV
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上海 0
新加坡20
英国 0 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SJ380(F) - 场效应管 MOSFET P TO-220IS |
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:-12A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.32ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:35W
封装类型:TO-220IS
针脚数:3
功率, Pd:35W
封装类型:TO-220IS
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-100V
电流, Id 连续:12A
电流, Idm 脉冲:48A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
阈值电压, Vgs th 最高:2V
隔离电压:2kV
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上海 0
新加坡5
英国405 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK1119(F) - 场效应管 MOSFET N TO-220 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:1000V
开态电阻, Rds(on):3.8ohm
电压 @ Rds测量:10V
???压, Vgs 最高:20V
功耗:100W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:100W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电流, Id 连续:4A
电流, Idm 脉冲:12A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
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上海 0
新加坡140
英国1033 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK1120(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:1000V
开态电阻, Rds(on):1.8ohm
电压 @ Rds测量:10V
??压, Vgs 最高:20V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电流, Id 连续:8A
电流, Idm 脉冲:24A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
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上海 0
新加坡100
英国31 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SC5200-0 - 晶体管NPN 2-21F1A |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:230V
截止频率 ft, 典型值:30MHz
功耗, Pd:150W
集电极直流电流:15A
???流电流增益 hFE:60
封装类型:TO-264
针脚数:3
功耗:150W
器件标记:2SC5200
基极电流, Ib:1.5A
封装类型:TO-264
总功率, Ptot:150W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:15A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:230V
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:55
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:15A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
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上海119
新加坡56
英国871 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TA79015S(Q) - 芯片 稳压器 -15V |
压降:2V
输出数:1
针脚数:3
封装类型:TO-220NIS
工作温度范围:-30°C to +75°C
封装类型:TO-220NIS
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:75°C
器件标号:79015
容差, 工作电压 +:4%
电压整流器类型:负固定
电源电压 最大:-30V
电源电压 最小:-17.5V
精度, %:4%
芯片标号:79015
表面安装器件:通孔安装
输入电压 最大:-17V
输入电压 最小:-35V
输出电压 最大:-15V
输出电流 最大:1A
电压:-15V
输出电压:-15V
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停产 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TA79005S(Q) - 芯片 稳压器 -5.0V |
压降:2V
输出数:1
针脚数:3
封装类型:TO-220NIS
工作温度范围:-30°C to +75°C
封装类型:TO-220NIS
工???温度最低:-30°C
工作温度最高:75°C
器件标号:79005
容差, 工作电压 +:4%
电压整流器类型:负固定
电源电压 最大:-25V
电源电压 最小:-7V
精度, %:4%
芯片标号:79005
表面安装器件:通孔安装
输入电压 最大:-7V
输入电压 最小:-35V
输出电压 最大:-5V
输出电流 最大:1A
电压:-5V
输出电压:-5V
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TA78M05S(Q) - 芯片 稳压器 +5.0V |
压降:1.7V
针脚数:3
封装类型:TO-220NIS
工作??度范围:-30°C to +85°C
封装类型:TO-220NIS
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:85°C
器件标号:78
容差, 工作电压 +:4%
电压整流器类型:正固定
芯片标号:78M05
输入电压 最大:35V
输入电压 最小:6.7V
输出电流 最大:0.5A
电压:5V
输出电压:5V
|
无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TA78L15S(F) - 芯片 稳压器 +15V |
压降:1.7V
输出数:1
针脚数:3
封装类型:TO-92
工作温度范围:-30°C to +75°C
封装类型:TO-92
工作温??最低:-30°C
工作温度最高:75°C
器件标号:78
容差, 工作电压 +:4%
电压整流器类型:正固定
电源电压 最大:30V
电源电压 最小:20V
精度, %:4%
芯片标号:78L15
表面安装器件:通孔安装
输入电压 最大:35V
输入电压 最小:16.7V
输出电压 最大:15V
输出电流 最大:0.1A
电压:15V
输出电压:15V
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上海 0
新加坡 0
英国2150 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TA78L12S(F) - 芯片 稳压器 +12V |
压降:1.7V
输出数:1
针脚数:3
封装类型:TO-92
工作温度范围:-30°C to +75°C
封装类型:TO-92
工作温??最低:-30°C
工作温度最高:75°C
器件标号:78
器件标记:TA78L12S(F)
容差, 工作电压 +:4%
电压整流器类型:正固定
电源电压 最大:27V
电源电压 最小:14.5V
精度, %:4%
芯片标号:78L12
表面安装器件:通孔安装
输入电压 最大:35V
输入电压 最小:13.7V
输出电压 最大:12V
输出电流 最大:0.1A
电压:12V
输出电压:12V
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上海 0
新加坡 0
英国797 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TA78L24F(F) - 芯片 稳压器 +24V |
压降:1.7V
输出数:1
针脚数:3
封装类型:SOT-89
工作温度范围:-30°C to +85°C
封装类型:SOT-89
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:85°C
器件标号:78
容差, 工作电压 +:5%
电压整流器类型:正固定
电源电压 最大:38V
电源电压 最小:27.5V
精度, %:5%
芯片标号:78L24
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:40V
输入电压 最小:25.7V
输出电压 最大:24V
输出电流 最大:0.15A
电压:24V
输出电压:24V
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上海 0
新加坡20
英国1757 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TA78L18F(F) - 芯片 稳压器 +18V |
压降:1.7V
输出数:1
针脚数:3
封装类型:SOT-89
工作温度范围:0°C to +125°C
封装类型:SOT-89
工作温度最低:0°C
工作温度最高:125°C
器件标号:78
容差, 工作电压 +:5%
电压整流器类型:正固定
电源电压 最大:33V
电源电压 最小:21.4V
精度, %:5%
芯片标号:78L18
表面安装器件:表面安装
输入电压 最大:40V
输入电压 最小:19.7V
输出电压 最大:18V
输出电流 最大:0.15A
电压:18V
输出电压:18V
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上海 0
新加坡50
英国696 |
1 |
1 |
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