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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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NXP - BUK9508-55B - 场效应管 MOSFET N沟道 55V 75A TO-220AB |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:110A
电压, Vds 最大:55V
开态电阻, Rds(on):6.2mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:15V
功耗:203W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220AB
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:55V
电流, Id 连续:25A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - TJA1041AT - 芯片 收发器 CAN总线 高速 14SOIC |
工作温度范围:-40°C to +150°C
针脚数:14
封装类型:SOIC
器件标号:1041
电源电压 最大:5.25V
电源电??? 最小:2.8V
电源电流:55mA
表面安装器件:表面安装
控制接口:CAN
数据率, 最高:1Mbps
通信功能:CAN收发器
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上海 0
新加坡 0
英国321 |
1 |
1 |
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NXP - TJA1021T - 芯片 收发器 LIN总线 2.1/SAE J2602 8SOIC |
工作温度范围:-40°C to +150°C
针脚数:8
封装类型:SOIC
器件标号:1021
电源电压 最大:27V
电源电压 最小:5.5V
电源电流:2mA
表面安装器件:表面安装
控制接口:LIN
数据率, 最高:20Kilobaud
通信功能:LIN收发器
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无库存 |
1 |
1 |
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NXP - LPC2292FBD144 - 芯片 16/32位微控制器 ARM7 256K闪存 144LQFP |
Controller Family/Series:LPC2
磁芯尺寸:16bit / 32bit
输入/输出数:112
程序存储器大小:256KB
存储器容量, RAM:16KB
处理器速度:60MHz
振荡器类型:External
计时器数:2
周边设备:ADC, RTC, Timer, PWM
接口:CAN, I2C, SPI, UART
PWM通道数:6
封装形式:LQFP
电源电压范围:1.65V to 1.95V, 3V to 3.6V
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:144
封装类型:LQFP
接口类型:I2C, SPI, SSP, UART
时钟频率:60MHz
模数转换器输入数:8
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:1.65V
芯片标号:LPC2292
表面安装器件:表面安装
输入/输出线数:112
闪存容量:256KB
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上海 0
新加坡 0
英国82 |
1 |
1 |
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NXP - LPC2212FBD144 - 芯片 16/32位微控制器 ARM7 128K闪存 144LQFP |
Controller Family/Series:LPC2
磁芯尺寸:16bit / 32bit
输入/输出数:112
程序存储器大小:128KB
存储器容量, RAM:16KB
处理器速度:60MHz
振荡器类型:External
计时器数:2
周边设备:ADC, RTC, Timer, PWM
接口:I2C, SPI, UART
PWM通道数:6
封装形式:LQFP
电源电压范围:1.65V to 1.95V, 3V to 3.6V
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:144
封装类型:LQFP
接口类型:I2C, SPI, SSP, UART
时钟频率:60MHz
模数转换器输入数:8
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:1.65V
芯片标号:LPC2212
表面安装器件:表面安装
输入/输出线数:112
闪存容量:128KB
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上海 0
新加坡4
英国3 |
1 |
1 |
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NXP - LPC2138FBD64 - 芯片 16/32位微控制器 ARM7 512K闪存 64LQFP |
Controller Family/Series:LPC2
磁芯尺寸:16bit / 32bit
输入/输出数:47
程序存储器大小:512KB
存储器容量, RAM:32KB
处理器速度:60MHz
振荡器类型:External
计时器数:2
周边设备:ADC, DAC, RTC, Timer, PWM
接口:I2C, UART
PWM通道数:6
封装形式:LQFP
电源电压范围:3V to 3.6V
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:64
存储器类型:FLASH
封装类型:LQFP
接口类型:I2C, SPI, SSP, UART
时钟频率:60MHz
模数转换器输入数:16
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:LPC2138
表面安装器件:表面安装
输入/输??线数:47
闪存容量:512KB
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上海 0
新加坡2
英国758 |
1 |
1 |
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NXP - LPC2134FBD64 - 芯片 16/32位微控制器 ARM7 128K闪存 64LQFP |
Controller Family/Series:LPC2
磁芯尺寸:16bit / 32bit
输入/输出数:47
程序存储器大小:128KB
存储器容量, RAM:16KB
处理器速度:60MHz
振荡器类型:External
计时器数:2
周边设备:ADC, DAC, RTC, Timer, PWM
接口:I2C, UART
PWM通道数:6
封装形式:LQFP
电源电压范围:3V to 3.6V
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:64
存储器类型:FLASH
封装类型:LQFP
接口类型:I2C, SPI, SSP, UART
时钟频率:60MHz
模数转换器输入数:16
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:LPC2134
表面安装器件:表面安装
输入/输??线数:47
闪存容量:128KB
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上海 0
新加坡5
英国283 |
1 |
1 |
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NXP - 74AHCT1G08GW - 芯片 单路2输入与门 74AHCT 5TSSOP |
逻辑类型:AND
输出电流:8mA
输入数:1
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:TSSOP
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:TSSOP
器件标号:74
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
芯片标号:74AHCT1G08
表面安装器件:表面安装
输出电流 最大:8mA
逻辑芯片功能:2 Input AND Gate
逻辑芯片基本号:7408
逻辑芯片系列:AHCT
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上海 0
新加坡990
英国2556 |
1 |
1 |
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NXP - 74AHC1G02GW - 芯片 单路2输入或非门 74AHC SC88A-5 |
逻辑类型:NOR
输出电流:8mA
输入数:2
电源电压范围:2V to 5.5V
封装类型:TSSOP
针脚数:5
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:TSSOP
器件标号:74
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2V
芯片标号:74AHC1G02
表面安装器件:表面安装
输出电流 最大:8mA
逻辑芯片功能:2 Input NOR Gate
逻辑芯片基本号:74102
逻辑芯片系列:AHC
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上海 0
新加坡 0
英国3623 |
1 |
1 |
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NXP - PSMN9R0-30YL - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 55A SOT669 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:55A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):6.16mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:46W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-669
功率, Pd:46W
封装类型:SOT-669
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:55A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.008ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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上海 0
新加坡83
英国 0 |
1 |
1 |
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NXP - PSMN7R0-30YL - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 65A SOT669 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:65A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):4.92mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:51W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-669
功率, Pd:51W
封装类型:SOT-669
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:65A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.007ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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上海 0
新加坡90
英国954 |
1 |
1 |
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NXP - PSMN6R0-30YL - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 73A SOT669 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:73A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):4.26mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:55W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-669
功率, Pd:55W
封装类型:SOT-669
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:73A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.006ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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上海 0
新加坡80
英国253 |
1 |
1 |
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NXP - PSMN5R0-30YL - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 84A SOT669 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:84A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):3.63mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:61W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-669
功率, Pd:61W
封装类型:SOT-669
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:84A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.005ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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上海 0
新加坡73
英国220 |
1 |
1 |
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NXP - PSMN4R0-30YL - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 99A SOT669 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:99A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):2.72mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:69W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-669
功率, Pd:69W
封装类型:SOT-669
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:99A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.004ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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上海 0
新加坡60
英国83 |
1 |
1 |
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NXP - PSMN3R5-30YL - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 100A SOT669 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:100A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):2.43mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:74W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-669
功率, Pd:74W
封装类型:SOT-669
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:100A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.0035ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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上海 0
新加坡35
英国203 |
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