简体中文NXP - PSMN4R0-30YL - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 99A SOT669
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PSMN4R0-30YL
库存状态：上海 0 , 新加坡60, 英国83
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13.73
价格：
库存编号：
制造商编号：PSMN4R0-30YL
库存状态：上海 0 , 新加坡60, 英国83
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13.73
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 13.73 |
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 漏极电流, Id 最大值:99A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):2.72mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:69W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-669
- 功率, Pd:69W
- 封装类型:SOT-669
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:99A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.004ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 漏极电流, Id 最大值:99A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):2.72mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:69W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-669
- 功率, Pd:69W
- 封装类型:SOT-669
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:99A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.004ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
