简体中文DIODES INC. - ZVN2106GTA - 场效应管 MOSFET N SOT-223 每卷1K
制造商：DIODES INC.
库存编号：
制造商编号：ZVN2106GTA
库存状态：无库存
包装规格：1,000
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3,351.10
价格：
库存编号：
制造商编号：ZVN2106GTA
库存状态：无库存
包装规格：1,000
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3,351.10
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 2 | CNY 3,351.10 |
| 3+ | CNY 3,290.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:710mA
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOT-223
- SMD标号:ZVN2106
- 功率, Pd:2W
- 外宽:6.7mm
- 外部深度:7.3mm
- 外部长度/高度:1.7mm
- 封装类型:SOT-223
- 带子宽度:12mm
- 总功率, Ptot:2W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:1000
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:0.7A
- 电流, Idm 脉冲:8A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.4V
产品属性：
重量（公斤）：0.12
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:710mA
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOT-223
- SMD标号:ZVN2106
- 功率, Pd:2W
- 外宽:6.7mm
- 外部深度:7.3mm
- 外部长度/高度:1.7mm
- 封装类型:SOT-223
- 带子宽度:12mm
- 总功率, Ptot:2W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:1000
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:0.7A
- 电流, Idm 脉冲:8A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.4V
