FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQD1N60TF - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 1A DPAK
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:FQD1N60TF
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 3.82
价格:
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制造商编号:FQD1N60TF
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多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 3.82
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1+ | CNY 3.82 |
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):11.5ohm
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:D-PAK
- SMD标号:FQD1N60TF
- 功率, Pd:2.5W
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:D-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:1A
- 电流, Idm 脉冲:4A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V
产品属性:
重量(公斤):0.002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):11.5ohm
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:D-PAK
- SMD标号:FQD1N60TF
- 功率, Pd:2.5W
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:D-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:1A
- 电流, Idm 脉冲:4A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V