简体中文TOSHIBA - 2SK3878(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 9A 900V TO3P
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：2SK3878(F)
库存状态：上海 0 , 新加坡20, 英国3
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 26.80
价格：
库存编号：
制造商编号：2SK3878(F)
库存状态：上海 0 , 新加坡20, 英国3
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 26.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 26.80 |
| 25 - 99 | CNY 23.80 |
| 100 - 249 | CNY 21.40 |
| 250+ | CNY 19.70 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:9A
- 电压, Vds 最大:900V
- 开态电阻, Rds(on):1.3ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-3P
- 封装类型:TO-3P
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:900V
- 电流, Id 连续:9A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.01143
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:9A
- 电压, Vds 最大:900V
- 开态电阻, Rds(on):1.3ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-3P
- 封装类型:TO-3P
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:900V
- 电流, Id 连续:9A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
