TOSHIBA - 2SK2698(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P
制造商:TOSHIBA
库存编号:
制造商编号:2SK2698(F)
库存状态:上海 0 , 新加坡121, 英国249
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 37.42
价格:
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制造商编号:2SK2698(F)
库存状态:上海 0 , 新加坡121, 英国249
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 37.42
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 24 | CNY 37.42 |
25 - 99 | CNY 29.78 |
100 - 249 | CNY 24.29 |
250+ | CNY 23.69 |
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:15A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.4ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- 功率, Pd:150W
- 封装类型:TO-3P
- 引脚节距:5.45mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:15A
- 电流, Idm 脉冲:60A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性:
重量(公斤):0.006
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:15A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.4ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- 功率, Pd:150W
- 封装类型:TO-3P
- 引脚节距:5.45mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:15A
- 电流, Idm 脉冲:60A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V