简体中文STMICROELECTRONICS - STGD3NB60SD-1 - 晶体管 IGBT I-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STGD3NB60SD-1
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
库存编号：
制造商编号：STGD3NB60SD-1
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
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描述信息：
- 晶体管类型:IGBT - PowerMESH - Low Drop
- 饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
- 封装类型:I-PAK
- 上升时间:150000ns
- 下降时间:720ns
- 功率, Pd:48W
- 功耗:48W
- 封装类型:I-PAK
- 晶体管极性:N
- 最大连续电流, Ic:3A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:25A
- 表面安装器件:通孔安装
产品属性：
重量（公斤）：0.00029
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT - PowerMESH - Low Drop
- 饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
- 封装类型:I-PAK
- 上升时间:150000ns
- 下降时间:720ns
- 功率, Pd:48W
- 功耗:48W
- 封装类型:I-PAK
- 晶体管极性:N
- 最大连续电流, Ic:3A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:25A
- 表面安装器件:通孔安装
