简体中文SEMIKRON - SK85MH10T - 场效应管模块 MOSFET H桥 100V
制造商：SEMIKRON
库存编号：
制造商编号：SK85MH10T
库存状态：上海 0 , 新加坡2, 英国5
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 474.50
价格：
库存编号：
制造商编号：SK85MH10T
库存状态：上海 0 , 新加坡2, 英国5
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 474.50
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 4 | CNY 474.50 |
| 5 - 14 | CNY 347.90 |
| 15+ | CNY 339.50 |
描述信息：
- 模块配置:H Bridge Inverter
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:80A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:SEMITOP 2
- 外宽:40.5mm
- 外部深度:28mm
- 外部长度/高度:15.43mm
- 封装类型:SEMITOP 2
- 晶体管数:4
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:螺丝安装
- 安装孔中心距:38mm
- 安装孔直径:2mm
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 电流, Id 连续:80A
- 电流, Idm 脉冲:120A
- 芯片封装类型:A
- 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.02
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 模块配置:H Bridge Inverter
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:80A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:SEMITOP 2
- 外宽:40.5mm
- 外部深度:28mm
- 外部长度/高度:15.43mm
- 封装类型:SEMITOP 2
- 晶体管数:4
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:螺丝安装
- 安装孔中心距:38mm
- 安装孔直径:2mm
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 电流, Id 连续:80A
- 电流, Idm 脉冲:120A
- 芯片封装类型:A
- 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
