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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - DCF010-TL-E - 高速二极管 双路 共阳极 SOT323 |
二极管类型:Small Signal
电流, If 平均:100mA
电压, Vrrm:85V
正向电压 Vf 最大:1.2V
时间, trr 最大:4ns
电流, Ifs 最大:6A
封装形式:SOT-323
针脚数:3
封装类型:SOT-323
时间, trr 典型值:4ns
电流, Ifsm:4A
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - DCD010-TB-E - 高速二极管 双路 SOT23 |
二极管类型:Small Signal
电流, If 平均:100mA
电压, Vrrm:20V
正向电压 Vf 最大:1V
电流, Ifs 最大:300mA
针脚数:3
封装类型:CP
电流, Ifsm:300mA
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国3000 |
1 |
1 |
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SANYO - DCC010-TB-E - 高速二极管 双路 SOT23 |
二极管类型:Small Signal
电流, If 平均:100mA
电压, Vrrm:85V
正向电压 Vf 最大:1.2V
时间, trr 最大:4ns
电流, Ifs 最大:4A
针脚数:3
封装类型:CP
时间, trr 典型值:4ns
电流, Ifsm:4A
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡310
英国200 |
1 |
1 |
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SANYO - DCB010-TB-E - 高速二极管 双路 共阴极 SOT23 |
二极管类型:Small Signal
电流, If 平均:100mA
电压, Vrrm:85V
正向电压 Vf 最大:1.2V
时间, trr 最大:4ns
电流, Ifs 最大:6A
针脚数:3
封装类型:CP
时间, trr 典型值:4ns
电流, Ifsm:4A
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国173 |
1 |
1 |
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SANYO - DCA010-TB-E - 高速二极管 双路 共阳极 SOT23 |
二极管类型:Small Signal
电流, If 平均:100mA
电压, Vrrm:85V
正向电压 Vf 最大:1.2V
时间, trr 最大:4ns
电流, Ifs 最大:6A
针脚数:3
封装类型:CP
时间, trr 典型值:4ns
电流, Ifsm:4A
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国95 |
1 |
1 |
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SANYO - SBX201C-TB-E - 肖特基二极管 2V 0.05A SOT23 |
二极管配置:1 Pair Series Connection
二极管类型:Schottky Barrier
电压, Vrrm:2V
平均整流正向电流 IF:50mA
正向电压 Vf 最大:320mV
封装形式:SOT-89
针脚数:3
封装类型:CP
电流, If 平均:50mA
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国30 |
1 |
1 |
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SANYO - EFC4606-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EFCP |
模块配置:Dual Series N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:24V
开态电阻, Rds(on):38mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.6W
封装类型:EFCP
封装类型:EFCP
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:24V
电流, Id 连续:6A
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上海 0
新加坡 0
英国90 |
1 |
1 |
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SANYO - EFC4602-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A EFCP |
模块配置:Dual Series N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):36.5mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.6W
封装类型:EFCP
封装类型:EFCP
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:6A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - EFC4601-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EFCP |
模块配置:Dual Series N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:24V
开态电阻, Rds(on):44mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.6W
封装类型:EFCP
封装类型:EFCP
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:24V
电流, Id 连续:6A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - EMH2412-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EMH8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:24V
开态电阻, Rds(on):25mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.4W
封装类型:EMH8
封装类型:EMH8
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:24V
电流, Id 连续:6A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - EMH2407-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A EMH8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):25mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.4W
封装类型:EMH8
封装类型:EMH8
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:6A
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上海 0
新加坡 0
英国75 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8664R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 7A ECH8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:7A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):23.5mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.4W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECH8
封装类型:ECH8
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:7A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8663R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 8A ECH8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):20.5mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.5W
封装类型:ECH8
封装类型:ECH8
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:8A
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上海 0
新加坡 0
英国70 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH5852-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 0.9A CPH5 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):145mohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:900mW
工作温度范围:-55°C to +125°C
封装类型:CPH5
封装类型:CPH5
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.9A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
???国26 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH5837-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 0.8A MCPH5 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):145mohm
电压 @ Rds???量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +125°C
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH5
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国24 |
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