最小电流感应率 @ Id

• 2600
• 1340
• 2640
• 2630
• 2460
• 2660

最小功率增益 Gp

• 6dB
• 13dB
• 33dB

最小增益带宽 ft

• 30000MHz
• 1500MHz
• 250MHz
• 175MHz
• 4000MHz
• 500MHz
• 550MHz
• 40MHz
• 180MHz
• 170MHz
• 20MHz
• 1000MHz
• 4500MHz
• 300Hz
• 200MHz
• 115MHz
• 30MHz
• 1.5GHz
• 142MHz
• 120MHz
• 100MHz
• 140MHz
• 150MHz
• 0.025MHz
• 50MHz
• 7000MHz
• 2MHz
• 0.2MHz
• 0.8MHz
• 0.4GHz
• 1MHz
• 10MHz
• 145MHz
• 3500MHz
• 130MHz
• 20000MHz
• 6000MHz
• 80MHz
• 7MHz
• 8MHz
• 75MHz
• 70MHz
• 4MHz
• 125MHz
• 60MHz
• 1800MHz
• 300MHz
• 3MHz
• 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

• 6.6A/V
• 5.4A/V
• 5.9A/V
• 6.5A/V
• 18A/V
• 0.6mA/V
• 5.0mA/V
• 9.4A/V
• 2mA/V
• 4.5mA/V
• 0.07mA/V
• 21mA/V
• 10mA/V
• 10.0mA/V
• 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

• 342V
• 26V
• 12V
• 5V
• 15V 双向 DO-214AC
• 24V 双向 DO-214AC
• 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

• 600V 400A 600V
• 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

• 1.2kV
• 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

• 1200V 50A 1200V
• 1700V Case 2
• 1200V SEMITRANS 4
• 1200V D56 150A
• 600V 75A
• 1200V D67 22A
• 1200V Case 2
• 1700V Case 3
• 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

• 180V
• 24V
• 51V
• 43V
• 12V
• 75V
• 11V
• 6.2V

齐纳二极管 VZ

• 68V
• 6V
• 18V

齐纳二极管 Vz

• 130V
• 150V

齐纳二极管 Vz

• 8.2V
• 30V

齐纳二极管 Vz

• 3.3V 500mW
• 3.9V
• 22V
• 3V
• 91V

齐纳二极管 Vz

• 120V
• 36V
• 14V
• 33V

齐纳二极管 Vz

• 20V
• 200V
• 4.4-5V
• 100V
• 39V
• 62V
• 5.6V
• 16V
• 13V

齐纳二极管 Vz

• 3.6V
• 15V
• 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

• 3.3V
• 7.5V
• 160V

压敏电阻 VRMS

• 300V
• 275V
• 35V
• 150V
• 575V
• 625V
• 30V

最大重复雪崩能量 Ear

• 85mJ
• 64mJ
• 30mJ
• 160mJ
• 16.7mJ
• 50mJ
• 45mJ
• 1mJ
• 25mJ
• 0.036mJ
• 41.7mJ
• 0.07mJ
• 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

• 0.4V
• 0.6V
• 0.65V
• 2.8V
• 1V