| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
SEMIKRON - SKKD 46/16 G6 - 双二极管模块 57A 1600V |
相数:Single
电压, Vrrm:1600V
电流, If 平??:57A
正向电压 Vf 最大:1.35V
模块配置:双
封装类型:Semipack 1
工作温度范围:-40°C to +125°C
表面安装器件:螺丝安装
|
无库存 |
1 |
1 |
  |
 |
TOSHIBA - SSM6P05FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 0.2A 20V SOT23 |
模块配置:Dual P Channel
晶体管极性:PP
漏极电流, Id 最大值:-200mA
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):3.3ohm
电压 @ Rds测量:-4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
功耗:300mW
封装类型:US6
封装类型:US6
晶体管类型:Small Signal MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.2A
|
上海 0
新加坡 0
英国2685 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM6N7002FU(TE85LF - 场效应管 MOSFET N沟道 0.2A 60V SOT23 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:NN
漏极电流, Id 最大值:200mA
电???, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):3ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
功耗:300mW
封装类型:US6
封装类型:US6
晶体管类型:Small Signal MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:0.2A
|
上海 0
新加坡 0
英国4930 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 50V SOT23 |
场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 50V SOT23
|
上海 0
新加坡 0
英国4866 |
1 |
1 |
|
 |
TOSHIBA - SSM6L16FE(TE85LF) - 场效应管 MOSFET NP沟道 SSOTFMLP |
模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:100mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):4ohm
电压 @ Rds测量:-4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
功耗:150mW
封装类型:ES6
封装类型:ES6
晶体管类型:Small Signal MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.1A
|
上海 0
新加坡 0
英国2093 |
1 |
1 |
|
|
TOSHIBA - 2SK3471(TE12LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.5A 500V SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:500mA
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):18ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:1.5W
封装类型:SOT-89
封装类型:PW-Mini
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:0.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
|
上海 0
新加坡 0
英国389 |
1 |
1 |
|
|
TOSHIBA - 2SK3176(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 30A 200V TO3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:30A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.052ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
封装类型:TO-3P
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:30A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
TOSHIBA - 2SK2998(TPE6F) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.5A 500V TO92 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:500mA
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):18ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:900mW
封装类型:TO-92MOD
封装类型:TO-92MOD
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:0.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
|
上海 0
新加坡2
英国1388 |
1 |
1 |
|
|
TOSHIBA - 2SK2989(TPE6F) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 50V TO92 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:50V
开态电阻, Rds(on):0.15ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:900mW
封装类型:TO-92MOD
封装类型:TO-92MOD
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.2V
|
上海 0
新加坡 0
英国2122 |
1 |
1 |
|
|
TOSHIBA - 2SK2613(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 8A 1000V TO3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:1kV
开态电阻, Rds(on):1.7ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
封装类型:TO-3P
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
|
上海 0
新加坡100
英国289 |
1 |
1 |
|
|
TOSHIBA - 2SJ668(TE16L1NQ) - 场效应管 MOSFET P沟道 5A 60V DPAK |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-5A
电压, Vds 最大:-60V
开态电阻, Rds(on):0.17ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:20W
封装类型:DPAK
封装类型:PW-MOLD
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2V
|
上海 0
新加坡888
英国1776 |
1 |
1 |
|
|
DIODES ZETEX - SBR40U45CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 40A 45V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:45V
正向电压 Vf 最大:520mV
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装形式:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220AB
电流, If 平均:40A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
电流, Ifsm:280A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
DIODES ZETEX - SBR40U300CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 40A 300V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:300V
正向电压 Vf 最大:890mV
工作温度范围:-65°C to +175°C
封装形式:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220AB
电流, If 平均:40A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
时间, trr 典型值:32ns
电流, Ifsm:235A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
DIODES ZETEX - SBR40U200CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 40A 150V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:200V
正向电压 Vf 最大:890mV
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装形式:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220AB
电流, If 平均:40A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
时间, trr 典型值:38ns
电流, Ifsm:240A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
DIODES ZETEX - SBR40U150CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 40A 150V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:150V
正向电压 Vf 最大:860mV
工作温度范围:-65°C to +175°C
封装形式:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220AB
电流, If 平均:40A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
电流, Ifsm:250A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
| 共 837 页 | 第 776 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
简体中文