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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
ZETEX - ZXM61N03FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K ZETEX - ZXM61N03FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:1.4A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.22ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:806mW
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:N03
  • 功率, Pd:625W
  • 封装类型:SOT-23
  • 带子宽度:8mm
  • 总功率, Ptot:625W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:3000
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:1.4A
  • 电流, Idm 脉冲:7.3A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.22ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 无库存 3,000 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZVP2106GTA - 场效应管 MOSFET P SOT-223 每卷1K ZETEX - ZVP2106GTA - 场效应管 MOSFET P SOT-223 每卷1K
  • 晶体管极性:P沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:-450mA
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):5ohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 电压, Vgs 最高:-20V
  • 功耗:2W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-223
  • SMD标号:ZVP2106
  • 功率, Pd:2W
  • 外宽:6.7mm
  • 外部深度:7.3mm
  • 外部长度/高度:1.7mm
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:2W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:1000
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds 典型值:-60V
  • 电流, Id 连续:0.45A
  • 电流, Idm 脉冲:4A
  • 表??安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-3.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:-3.5V
  • 无库存 1,000 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - FMMT720TA - 晶体管 PNP 每卷3K ZETEX - FMMT720TA - 晶体管 PNP 每卷3K
  • 晶体管极性:PNP
  • 电压, Vceo:40V
  • 截止频率 ft, 典型值:190MHz
  • 功耗, Pd:625mW
  • 集电极直流电流:1.5A
  • 直流电流增益 hFE:480
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:720
  • 功耗:625mW
  • 器件标记:MT720
  • 封装类型:SOT-23
  • 带子宽度:8mm
  • 总功率, Ptot:625mW
  • 时间, t off:435ns
  • 时间, t on:40ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用小信号
  • 最大连续电流, Ic:1.5A
  • 最小增益带宽 ft:150MHz
  • 每卷数量:3000
  • 电压, Vcbo:40V
  • 电流, Ic hFE:100mA
  • 电流, Ic 最大:1.5A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:300
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:330mV
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1
    3,000 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - FMMT718TA - 晶体管 PNP 每卷3K ZETEX - FMMT718TA - 晶体管 PNP 每卷3K
  • 晶体管极性:PNP
  • 电压, Vceo:20V
  • 截止频率 ft, 典型值:180MHz
  • 功耗, Pd:625mW
  • 集电极直流电流:1.5A
  • 直流电流增益 hFE:475
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:3
  • SMD标号:718
  • 功耗:625mW
  • 器件标记:MT718
  • 封装类型:SOT-23
  • 带子宽度:8mm
  • 总功率, Ptot:625mW
  • 时间, t off:670ns
  • 时间, t on:40ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用小信号
  • 最大连续电流, Ic:1.5A
  • 最小增益带宽 ft:150MHz
  • 每卷数量:3000
  • 电压, Vcbo:20V
  • 电流, Ic hFE:100mA
  • 电流, Ic 最大:1.5A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:300
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:220mV
  • 无库存 3,000 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - FZT1151ATA - 晶体管 PNP 每卷1K ZETEX - FZT1151ATA - 晶体管 PNP 每卷1K
  • 晶体管极性:PNP
  • 电压, Vceo:40V
  • 截止频率 ft, 典型值:145MHz
  • 功耗, Pd:2.5W
  • 集电极直流电流:3A
  • 直流电流增益 hFE:450
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FZT1151A
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:2.5W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:3A
  • 最小增益带宽 ft:145MHz
  • 每卷数量:1000
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:45V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:1.8A
  • 电流, Ic hFE:0.5A
  • 电流, Ic 最大:3A
  • 电流, Icm 脉冲:5A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:250
  • 表面安装器???:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:300mV
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1
    1,000 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - FZT951TA - 晶体管 PNP 每卷1K ZETEX - FZT951TA - 晶体管 PNP 每卷1K
  • 晶体管极性:PNP
  • 电压, Vceo:60V
  • 截止频率 ft, 典型值:120MHz
  • 功耗, Pd:3W
  • 集电极直流电流:6A
  • 直流电流增益 hFE:200
  • 工作???度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FZT951
  • 功耗:3W
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:3W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:6A
  • 每卷数量:1000
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:150V
  • 电流, Ic hFE:2A
  • 电流, Ic 最大:6A
  • 电流, Icm 脉冲:20A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:100
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:50mV
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1
    1,000 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - FZT853TA - 晶体管 NPN 每卷1K ZETEX - FZT853TA - 晶体管 NPN 每卷1K
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:100V
  • 截止频率 ft, 典型值:130MHz
  • 功耗, Pd:3W
  • 集电极直流电流:6A
  • 直流电流增益 hFE:200
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FZT853
  • 功耗:3W
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:3W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:6A
  • 每卷数量:1000
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:200V
  • 电流, Ic hFE:2A
  • 电流, Ic 最大:6A
  • 电流, Icm 脉冲:10A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:100
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:50mV
  • 无库存 1,000 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - FZT857TA - 晶体管 NPN 每卷1K ZETEX - FZT857TA - 晶体管 NPN 每卷1K
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:300V
  • 截止频率 ft, 典型值:80MHz
  • 功耗, Pd:3W
  • 集电极直流电流:3.5A
  • 直流电流增益 hFE:200
  • 工??温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • SMD标号:FZT857
  • 功耗:3W
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:3W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:3.5A
  • 每卷数量:1000
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:350V
  • 电流, Ic @ hfe测量 npn:0.5A
  • 电流, Ic hFE:1A
  • 电流, Ic 最大:3.5A
  • 电流, Icm 脉冲:5A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:100
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:100mV
  • 无库存 1,000 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - FZT651TA - 晶体管 NPN 每卷1K ZETEX - FZT651TA - 晶体管 NPN 每卷1K
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:60V
  • 截止频率 ft, 典型值:175MHz
  • 功耗, Pd:2W
  • 集电极直流电流:3A
  • 直流电流增益 hFE:200
  • 工作???度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FZT651
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:2W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:3A
  • 最小增益带宽 ft:140MHz
  • 每卷数量:1000
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:80V
  • 电流, Ic hFE:0.5A
  • 电流, Ic 最大:3A
  • 电流, Icm 脉冲:6A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:100
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国4
    1,000 1 询价,无需注册 订购
    TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ48A R6 - 二极管 TVS 1500W 每卷3K TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ48A R6 - 二极管 TVS 1500W 每卷3K
  • 电压, Vrwm:48V
  • 击穿电压范围:53.3V to 58.9V
  • 钳位电压 最大:77.4V
  • 二极管配置:Unidirectional
  • 峰值脉冲电流:20A
  • 封装形式:SMC
  • 针脚数:2
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:GFX
  • 二极管类型:TVS, 单向
  • 击穿电压 最小:53.3V
  • 外宽:7.11mm
  • 外部深度:6.22mm
  • 外部长度/高度:2.62mm
  • 封装类型:SMC
  • 封装类型, 替代:DO-214AB
  • 带子宽度:16mm
  • 截止电压:48V
  • 最高击穿电压:58.9V
  • 每卷数量:3000
  • 测试电流:1mA
  • 脉冲峰值功率:1500W
  • 表面安装器件:表面安装
  • 钳位电压, 8/20us 最大:77.4V
  • ???性, 单向/双向:单向
  • 漏电流:5μA
  • 无库存 3,000 1 询价,无需注册 订购
    TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148RY - 二极管 0.5A 0805 每卷5K TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148RY - 二极管 0.5A 0805 每卷5K
  • 二极管类型:小信号
  • 电流, If 平均:150mA
  • 电压, Vrrm:100V
  • 正向电压 Vf 最大:1V
  • 时间, trr 最大:5ns
  • 电流, Ifs 最大:2.0A
  • 封装形式:0805
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 反向电流, Ir 最大值:25nA
  • 外宽:1.45mm
  • 外部深度:0.95mm
  • 外部长度/高度:2.2mm
  • 封装类型:0805
  • 带子宽度:8mm
  • 总功率, Ptot:500mW
  • 时间, trr 典型值:5ns
  • 每卷数量:5000
  • 电压, Vr 最高:75V
  • 电流, If @ Vf:100mA
  • 电流, Ifsm:500mA
  • 结温, Tj 最低:-65°C
  • 结温, Tj 最高:200°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 无库存 5,000 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZHCS2000TA - 肖特基二极管 每卷3K ZETEX - ZHCS2000TA - 肖特基二极管 每卷3K
  • 二极管类型:肖特基
  • 电压, Vrrm:40V
  • 电流, If 平均:2A
  • 正向电压 Vf 最大:500mV
  • 时间, trr 最大:5.5ns
  • 电流, Ifs 最大:20A
  • 封装形式:SOT-23
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:ZS2
  • 外宽:3.00mm
  • 外部深度:3.00mm
  • 外部长度/高度:1.45mm
  • 封装类型:SOT-23
  • 带子宽度:8mm
  • 总功率, Ptot:1100mW
  • 最大正向电流, If:2000mA
  • 正向电压, 于If:0.42V
  • 正向电流 If:2000mA
  • 每卷数量:3000
  • 电流, If @ Vf:2000mA
  • 电流, Ifsm:20A
  • 结温, Tj 最高:125°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国2
    3,000 1 询价,无需注册 订购
    TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1AL - 二极管 快速 SMF GP 0.8A 50V TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1AL - 二极管 快速 SMF GP 0.8A 50V
  • 二极管类型:快速恢复
  • 电压, Vrrm:50V
  • 电流, If 平均:0.8A
  • 正向电压 Vf 最大:1.3V
  • 时间, trr 最大:150ns
  • 电流, Ifs 最大:30A
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装形式:SMA
  • 针脚数:2
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SMA
  • 时间, trr 典型值:150ns
  • 正向电压, 于If:1.3V
  • 热阻, 结至外壳 A:105°C/W
  • 电流, Ifsm:30A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海 0
    新加坡110
    英国1010
    1 10 询价,无需注册 订购
    TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL - 二极管 超快 SMF 1A 600V TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL - 二极管 超快 SMF 1A 600V
  • 二极管类型:超快恢复
  • 电压, Vrrm:600V
  • 电流, If 平均:1A
  • 正向电压 Vf 最大:1.7V
  • 时间, trr 最???:35ns
  • 电流, Ifs 最大:30A
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装形式:SMF
  • 针脚数:2
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SMF
  • 时间, trr 典型值:35ns
  • 正向电压, 于If:1.7V
  • 热阻, 结至外壳 A:85°C/W
  • 电流, Ifsm:30A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1HL - 二极管 超快 SMF 1A 500V TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1HL - 二极管 超快 SMF 1A 500V
  • 二极管类型:超快恢复
  • 电压, Vrrm:500V
  • 电流, If 平均:1A
  • 正向电压 Vf 最大:1.7V
  • 时间, trr 最???:35ns
  • 电流, Ifs 最大:30A
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装形式:SMF
  • 针脚数:2
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SMF
  • 时间, trr 典型值:35ns
  • 正向电压, 于If:1.7V
  • 热阻, 结至外壳 A:85°C/W
  • 电流, Ifsm:30A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
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