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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DSA20C100PB - 肖特基二极管 TO-220AB |
二极管配置:1 Pair Common Cathode
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:100V
平均整流正向电流 IF:10A
正向电压 Vf 最大:0.72V
电流, Ifs 最大:220A
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-220
针脚数:3
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:62W
电流, If 平均:10A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
反向电流, Ir 最大值:0.2μA
正向电压, 于If:0.72V
电流, Ifsm:220A
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DSA10I100PM - 肖特基二极管 TO220ACFP |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:100V
电流, If 平均:10A
正向电压 Vf 最大:0.72V
电流, Ifs 最大:220A
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-220FP
针脚数:3
封装类型:TO-220FP
总功率, Ptot:35W
正向电压, 于If:0.72V
电流, Ifsm:220A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
反向电流, Ir 最大值:0.2μA
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上海 0
新加坡 0
英国120 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DSA20C60PN - 肖特基二极管 TO220ABFP |
二极管配置:1 Pair Common Cathode
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:60V
平均整流正向电流 IF:10A
正向电压 Vf 最大:0.68V
电流, Ifs 最大:100A
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-220FPAB
针脚数:3
封装类型:TO-220FPAB
总功率, Ptot:35W
电流, If 平均:10A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
反向电流, Ir 最大值:0.3mA
正向电压, 于If:0.68V
电流, Ifsm:100A
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上海 0
新加坡 0
英国104 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DSA20C45PB - 肖特基二极管 TO-220AB |
二极管配置:1 Pair Common Cathode
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:45V
平均整流正向电流 IF:10A
正向电压 Vf 最大:0.62V
电流, Ifs 最大:90A
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-220
针脚数:3
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:60W
电流, If 平均:10A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
反向电流, Ir 最大值:0.02mA
正向电压, 于If:0.62V
电流, Ifsm:90A
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DSB15IM45IB - 肖特基二极管 TO-262 |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:45V
电流, If 平均:15A
正向电压 Vf 最大:0.55V
电流, Ifs 最大:160A
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装形式:TO-262
针脚数:3
封装类型:TO-262
总功率, Ptot:70W
正向电压, 于If:0.55V
电流, Ifsm:160A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
反向电流, Ir 最大值:10mA
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上海 0
新加坡 0
英国30 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DSB10I45PM - 肖特基二极管 TO220ACFP |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:45V
电流, If 平均:10A
正向电压 Vf 最大:0.53V
电流, Ifs 最大:110A
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装形式:TO-220FPAB
针脚数:3
封装类型:TO-220FPAB
总功率, Ptot:30W
正向电压, 于If:0.53V
电流, Ifsm:110A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
反向电流, Ir 最大值:6mA
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DSA15IM45IB - 肖特基二极管 TO-262 |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:45V
电流, If 平均:15A
正向电压 Vf 最大:0.63V
电流, Ifs 最大:140A
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-262
针脚数:3
封装类型:TO-262
总功率, Ptot:85W
正向电压, 于If:0.63V
电流, Ifsm:140A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
反向电流, Ir 最大值:2.5mA
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上海 0
新加坡 0
英国295 |
1 |
1 |
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NTE ELECTRONICS - 2N3585 - 晶体管 NPN 高电压 |
晶体管 NPN 高电压
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美国 0
上海 0
美国100
新加坡 0 |
1 |
1 |
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NTE ELECTRONICS - 2N3583 - 晶体管 NPN 高电压 |
晶体管 NPN 高电压
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美国 0
上海 0
美国29
新加坡 0 |
1 |
1 |
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CRYDOM - B532-2T - 晶闸管模块 |
晶闸管模块
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK85MH10T - 场效应管模块 MOSFET H桥 100V |
模块配置:H Bridge Inverter
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:80A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.007ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
外部长度/高度:15.43mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:4
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:螺丝安装
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:80A
电流, Idm 脉冲:120A
芯片封装类型:A
阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
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上海 0
新加坡2
英国5 |
1 |
1 |
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NTE ELECTRONICS - 2N2405 - 硅晶体管 NPN 小信号 |
硅晶体管 NPN 小信号
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美国 0
上海 0
美国110
新加坡 0 |
1 |
1 |
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RENESAS - 2SJ221-E - 场效应管 MOSFET P TO-220 每管50 |
晶体管极性:P沟道
电压, Vds 最大:100V
开态??阻, Rds(on):0.22ohm
功耗:75W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:75W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-100V
电流, Id 连续:20A
电流, Idm 脉冲:80A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
阈值电压, Vgs th 最高:-2V
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无库存 |
50 |
1 |
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ZETEX - ZVN3306FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:150mA
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:0.33W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:MC
功率, Pd:0.33W
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:0.33W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
每卷数量:3000
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:0.15A
电流, Idm 脉冲:3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V
阈值电压, Vgs th 最高:2.4V
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无库存 |
3,000 |
1 |
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ZETEX - BS170FTA - 场效应管 MOSFET N SOT-23 每卷3K |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:150μA
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:0.33W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:MV
功率, Pd:0.33W
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:0.33W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
每卷数量:3000
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:0.15A
电流, Idm 脉冲:3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
阈值电压, Vgs th 最高:3V
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无库存 |
3,000 |
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