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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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MOSPEC - U12C20A - 二极管 超快 12A TO-220 |
二极管配置:1 Pair Common Anode
二极管类型:Fast Recovery
电压, Vrrm:200V
平均整流正向电流 IF:6A
正向电压 Vf 最大:0.975V
时间, trr 最大:35ns
电流, Ifs 最大:100A
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装形式:TO-220
针脚数:3
封装类型:TO-220
电流, If @ Vf:6A
电流, If 平均:6A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:K1(1), K2(3), commonA(2)
正向电压, 于If:0.975V
电流, Ifsm:100A
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上海 0
新加坡 0
英国740 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH36N60P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:36A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.19ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:650W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:102nC
功率, Pd:650W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.19°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:5800pF
电流, Id 连续:36A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns
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上海 0
新加坡 0
英国77 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:30A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.2ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:460W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:70nC
功率, Pd:460W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.27°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:4150pF
电流, Id 连续:30A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns
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上海 0
新加坡13
英国179 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:24A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:650W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:100nC
功率, Pd:650W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.19°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:800V
电容值, Ciss 典型值:5800pF
电流, Id 连续:24A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:250ns
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上海 0
新加坡 0
英国19 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:170A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.009ohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:714W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:198nC
功率, Pd:714W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.21°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电容值, Ciss 典型值:6000pF
电流, Id 连续:170A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:150ns
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上海 0
新加??30
英国40 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:460W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:70nC
功率, Pd:460W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.27°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:800V
电容值, Ciss 典型值:4000pF
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:250ns
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:120A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.022ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:714W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:152nC
功率, Pd:714W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.21°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电容值, Ciss 典型值:6000pF
电流, Id 连续:120A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns
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上海 0
新加?? 0
英国30 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:120A
电压, Vds 最大:150V
开态电阻, Rds(on):0.016ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:600W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:150nC
功率, Pd:600W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.25°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:150V
电容值, Ciss 典型值:4900pF
电流, Id 连续:120A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns
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上海 0
新加?? 0
英国100 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - 场效应管 MOSFET N型 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:110A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.015ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:480W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:110nC
功率, Pd:480W
封装类型:TO-247
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.31°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电容值, Ciss 典型值:3550pF
电流, Id 连续:110A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:150ns
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上海 0
新加?? 0
英国65 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA16N50P - 场效应管 MOSFET N TO-263 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:43nC
功率, Pd:300W
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.42°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:2250pF
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
时间, trr 最大:200ns
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上海 0
新加坡 0
英国34 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA10N80P - 场效应管 MOSFET N TO-263 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:10A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):1.1ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:40nC
功率, Pd:300W
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.42°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:800V
电容值, Ciss 典型值:2300pF
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
时间, trr 最大:250ns
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上海 0
新加坡 0
英国56 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DSEI12-10A - 二极管 快速恢复型 12A TO-220AC |
二极管类型:Fast Recovery
电压, Vrrm:1000V
电流, If 平均:12A
正向电压 Vf 最大:2.1V
时间, trr 最大:60ns
电流, Ifs 最大:75A
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装形式:TO-220AC
针脚数:2
外壳温度, Tc If:100°C
封装类型:TO-220AC
时间, trr 典型值:50ns
正向电压, 于If:2.1V
热阻, 结至外壳 A:1.6°C/W
电流, If @ Vf:12A
电流, Ifsm:65A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态时间 @ IFSM测量:10ms
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡6
英国 0 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DPG15I300PA - 二极管 快速恢复型 15A TO-220AC |
二极管类型:Fast Recovery
电压, Vrrm:300V
电流, If 平均:15A
正向电压 Vf 最大:1.25V
时间, trr 最大:35ns
电流, Ifs 最大:150A
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-220AC
针脚数:2
外壳温度, Tc If:140°C
封装类型:TO-220AC
时间, trr 典型值:35ns
正向电压, 于If:1V
热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W
电流, If @ Vf:15A
电流, Ifsm:150A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态时间 @ IFSM测量:10ms
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国43 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DPG15I200PA - 二极管 快速恢复型 15A TO-220AC |
二极管类型:Fast Recovery
电压, Vrrm:200V
电流, If 平均:15A
正向电压 Vf 最大:1.25V
时间, trr 最大:35ns
电流, Ifs 最大:150A
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-220AC
针脚数:2
外壳温度, Tc If:140°C
封装类型:TO-220AC
时间, trr 典型值:35ns
正向电压, 于If:1V
热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W
电流, If @ Vf:15A
电流, Ifsm:150A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态时间 @ IFSM测量:10ms
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡12
英国337 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - DPG120C300QB - 快速二极管 120A TO-3P |
二极管配置:1 Pair Common Cathode
二极管类型:Fast Recovery
电压, Vrrm:300V
平均整流??向电流 IF:60A
正向电压 Vf 最大:1.4V
时间, trr 最大:35ns
电流, Ifs 最大:550A
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-3P
针脚数:3
外壳温度, Tc If:125°C
封装类型:TO-3P
电流, If @ Vf:60A
电流, If 平均:60A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态时间 @ IFSM测量:10ms
针脚配置:Common Cathode
时间, trr 典型值:35ns
正向电压, 于If:1.1V
热阻, 结至外壳 A:0.55°C/W
电流, Ifsm:550A
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无库存 |
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