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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
IXYS SEMICONDUCTOR - DHG40C600HB - 快速二极管 600V TO-247AD IXYS SEMICONDUCTOR - DHG40C600HB - 快速二极管 600V TO-247AD
  • 二极管配置:1 Pair Common Cathode
  • 二极管类型:Fast Recovery
  • 电压, Vrrm:600V
  • 平??整流正向电流 IF:20A
  • 正向电压 Vf 最大:2.31V
  • 时间, trr 最大:35ns
  • 电流, Ifs 最大:150A
  • 封装形式:TO-247AD
  • 针脚数:3
  • 外壳温度, Tc If:85°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 电流, If @ Vf:20A
  • 电流, If 平均:20A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态时间 @ IFSM测量:10ms
  • 针脚配置:Common Cathode
  • 时间, trr 典型值:35ns
  • 正向电压, 于If:2.15V
  • 热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W
  • 电流, Ifsm:150A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国8
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - DHG40C1200HB - 快速二极管 1200V TO-247AD IXYS SEMICONDUCTOR - DHG40C1200HB - 快速二极管 1200V TO-247AD
  • 二极管配置:1 Pair Common Cathode
  • 二极管类型:Fast Recovery
  • 电压, Vrrm:1200V
  • 平均整流正向电流 IF:20A
  • 正向电压 Vf 最大:2.69V
  • 时间, trr 最大:75ns
  • 电流, Ifs 最大:135A
  • 封装形式:TO-247AD
  • 针脚数:3
  • 外壳温度, Tc If:95°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 电流, If @ Vf:20A
  • 电流, If 平均:20A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态时间 @ IFSM测量:10ms
  • 针脚配置:Common Cathode
  • 时间, trr 典型值:75ns
  • 正向电压, 于If:2.35V
  • 热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W
  • 电流, Ifsm:135A
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - DHG30I600HA - 二极管 快速恢复型 600V TO-247AD IXYS SEMICONDUCTOR - DHG30I600HA - 二极管 快速恢复型 600V TO-247AD
  • 二极管类型:Fast Recovery
  • 电压, Vrrm:600V
  • 电流, If 平均:30A
  • 正向电压 Vf 最大:2.36V
  • 时间, trr 最大:35ns
  • 电流, Ifs 最大:200A
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装形式:TO-247AD
  • 针脚数:2
  • 外壳温度, Tc If:85°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 时间, trr 典型值:35ns
  • 正向电压, 于If:2.2V
  • 热阻, 结至外壳 A:0.7°C/W
  • 电流, If @ Vf:30A
  • 电流, Ifsm:200A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态时间 @ IFSM测量:10ms
  • 针脚配置:Single
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - DHG20I600HA - 二极管 快速恢复型 600V TO-247AD IXYS SEMICONDUCTOR - DHG20I600HA - 二极管 快速恢复型 600V TO-247AD
  • 二极管类型:Fast Recovery
  • 电压, Vrrm:600V
  • 电流, If 平均:20A
  • 正向电压 Vf 最大:2.31V
  • 时间, trr 最大:35ns
  • 电流, Ifs 最大:150A
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装形式:TO-247AD
  • 针脚数:3
  • 外壳温度, Tc If:85°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 时间, trr 典型值:35ns
  • 正向电压, 于If:2.15V
  • 热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W
  • 电流, If @ Vf:20A
  • 电流, Ifsm:150A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态时间 @ IFSM测量:10ms
  • 针脚配置:Single
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国25
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - DHG20I1200PA - 二极管 快速恢复型 1200V TO-247AD IXYS SEMICONDUCTOR - DHG20I1200PA - 二极管 快速恢复型 1200V TO-247AD
  • 二极管类型:Fast Recovery
  • 电压, Vrrm:1200V
  • 电流, If 平均:20A
  • 正向电压 Vf 最大:2.37V
  • 时间, trr 最大:75ns
  • 电流, Ifs 最大:135A
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装形式:TO-247AD
  • 针脚数:3
  • 外壳温度, Tc If:85°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 时间, trr 典型值:75ns
  • 正向电压, 于If:2.35V
  • 热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W
  • 电流, If @ Vf:20A
  • 电流, Ifsm:135A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态时间 @ IFSM测量:10ms
  • 针脚配置:Single
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国59
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - DHG10I1200PA - 二极管 快速恢复型 1200V TO-220AC IXYS SEMICONDUCTOR - DHG10I1200PA - 二极管 快速恢复型 1200V TO-220AC
  • 二极管类型:Fast Recovery
  • 电压, Vrrm:1200V
  • 电流, If 平均:10A
  • 正向电压 Vf 最大:2.38V
  • 时间, trr 最大:75ns
  • 电流, Ifs 最大:70A
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装形式:TO-220AC
  • 针脚数:2
  • 外壳温度, Tc If:85°C
  • 封装类型:TO-220AC
  • 时间, trr 典型值:75ns
  • 正向电压, 于If:2.38V
  • 热阻, 结至外壳 A:1.8°C/W
  • 电流, If @ Vf:10A
  • 电流, Ifsm:70A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态时间 @ IFSM测量:10ms
  • 针脚配置:Single
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国104
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - DH60-18A - 二极管 快速恢复型 1800V TO-247AD IXYS SEMICONDUCTOR - DH60-18A - 二极管 快速恢复型 1800V TO-247AD
  • 二极管类型:Fast Recovery
  • 电压, Vrrm:1800V
  • 电流, If 平均:60A
  • 正??电压 Vf 最大:2.7V
  • 时间, trr 最大:150ns
  • 电流, Ifs 最大:650A
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装形式:TO-247AD
  • 针脚数:3
  • 外壳温度, Tc If:80°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 时间, trr 典型值:150ns
  • 正向电压, 于If:2.65V
  • 热阻, 结至外壳 A:0.3°C/W
  • 电流, If @ Vf:60A
  • 电流, Ifsm:650A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态时间 @ IFSM测量:10ms
  • 针脚配置:Single
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - DH2X61-18A - 快速二极管 1800V SOT-227B IXYS SEMICONDUCTOR - DH2X61-18A - 快速二极管 1800V SOT-227B
  • 二极管配置:2 Independent
  • 二极管类型:SONIC
  • 电压, Vrrm:1800V
  • 平均整流正向电?? IF:60A
  • 正向电压 Vf 最大:2.61V
  • 时间, trr 最大:350ns
  • 电流, Ifs 最大:650A
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装形式:SOT-227B
  • 针脚数:4
  • 外壳温度, Tc If:25°C
  • 封装类型:SOT-227B
  • 电流, If @ Vf:60A
  • 电流, If 平均:60A
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 通态时间 @ IFSM测量:10ms
  • 针脚配置:Dual
  • 时间, trr 典型值:150ns
  • 模块配置:双
  • 正向电压, 于If:2.61V
  • 热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
  • 相数:1
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - DH20-18A - 二极管 快速恢复型 1800V TO-247AD IXYS SEMICONDUCTOR - DH20-18A - 二极管 快速恢复型 1800V TO-247AD
  • 二极管类型:Fast Recovery
  • 电压, Vrrm:1800V
  • 电流, If 平均:20A
  • 正??电压 Vf 最大:2.9V
  • 时间, trr 最大:230ns
  • 电流, Ifs 最大:150A
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装形式:TO-247AD
  • 针脚数:3
  • 外壳温度, Tc If:80°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 时间, trr 典型值:150ns
  • 正向电压, 于If:2.94V
  • 热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W
  • 电流, If @ Vf:20A
  • 电流, Ifsm:150A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态时间 @ IFSM测量:10ms
  • 针脚配置:Single
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国396
    1 1 询价,无需注册 订购
    POWEREX - CD631215B - 晶闸管二极管模块 POWEREX - CD631215B - 晶闸管二极管模块
  • 晶闸管二极管模块
  • 美国 0
    上海 0
    美国6
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - NTE5536 - 晶闸管 40A NTE ELECTRONICS - NTE5536 - 晶闸管 40A
  • 晶闸管 40A
  • 美国 0
    上海 0
    美国22
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - NTE5079A - 齐纳二极管 NTE ELECTRONICS - NTE5079A - 齐纳二极管
  • 齐纳二极管
  • DO-41/DO-15
  • 美国 0
    上海 0
    美国74
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - 2N4401 - 晶体管 BJT NPN 40V V(BR)CEO 600MA I(C) TO-92 NTE ELECTRONICS - 2N4401 - 晶体管 BJT NPN 40V V(BR)CEO 600MA I(C) TO-92
  • 晶体管 BJT NPN 40V V(BR)CEO 600MA I(C) TO-92
  • 美国 0
    上海 0
    美国1095
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - 2N3773 - 晶体管 BJT NPN 140V V(BR)CEO 16A I(C) TO-3 NTE ELECTRONICS - 2N3773 - 晶体管 BJT NPN 140V V(BR)CEO 16A I(C) TO-3
  • 晶体管 BJT NPN 140V V(BR)CEO 16A I(C) TO-3
  • 美国 0
    上海 0
    美国108
    新加坡20
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - 1N5225B - 齐纳二极管 NTE ELECTRONICS - 1N5225B - 齐纳二极管
  • 齐纳二极管
  • 500mW功耗
  • DO-35
  • 美国 0
    上海 0
    美国1125
    新加坡380
    1 1 询价,无需注册 订购
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