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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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AVAGO TECHNOLOGIES - HSMS-286Y-BLKG - 肖特基二极管 SOT-523 |
二极管配置:单
电压, Vr 最高:4V
正向电流 If:1mA
正向电压, 于If:350mV
总电容 Ct 最大值:0.3pF
封装形式:SOD-523
针脚数:2
中心频率:2.4925GHz
二极管类型:RF Schottky
器件标记:Px
封装类型:SOD-523
工作温度范围:-65°C to +150°C
正向电压 Vf 最大:0.35V
电压, Vrrm:4V
电流, If @ Vf:1mA
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
针脚配置:Single
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上海30
新加坡202
英国2880 |
1 |
5 |
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AVAGO TECHNOLOGIES - HSMS-282C-BLKG - 肖特基二极管 SOT-323 |
二极管配置:串联
电压, Vr 最高:1V
正向电流 If:10mA
正向电压, 于If:0.5V
总电容 Ct 最大值:1pF
封装形式:SOT-323
针脚数:3
二极管类型:RF Schottky
器件标记:C2
封装类型:SOT-323
正向电压 Vf 最大:0.5V
电压, Vrrm:15V
电流, If @ Vf:10mA
电流, If 平均:1A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
针脚配置:Series
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上海30
新加坡 0
英国298 |
1 |
5 |
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AVAGO TECHNOLOGIES - HSMS-2825-BLKG - 肖特基二极管 SOT-143 |
二极管配置:未连接对
电压, Vr 最高:1V
正向电流 If:1A
正向电压, 于If:0.5V
总电容 Ct 最大值:1pF
封装形式:SOT-143
针脚数:4
二极管类型:RF Schottky
器件标记:C5
封装类型:SOT-143
正向电压 Vf 最大:0.5V
电压, Vrrm:15V
电流, If @ Vf:10mA
电流, If 平均:1A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
针脚配置:Unconnected Pair
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上海275
新加坡 0
英国939 |
1 |
5 |
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AVAGO TECHNOLOGIES - ATF-50189-BLK - 高线性度三极管 GAAS |
电压, Vds 最大:7V
功耗:2.25W
封装类型:SOT-89
针脚数:4
SMD标号:0Gx
功率, Pd:2.25W
封装类型:SOT-89
截止频率 ft, 典型值:2GHz
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最小增益带宽 ft:0.4GHz
漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:1A
电压, Vds 典型值:4.5V
电流, Id 连续:1A
表面安装器件:表面安装
针脚配置:G(1), S(2), D(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:0.38V
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上海4
新加坡181
英国185 |
1 |
1 |
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AVAGO TECHNOLOGIES - ATF-36163-BLKG - 高频三极管 GAAS |
电压, Vds 最大:3V
功耗:180mW
封装类型:SOT-363
针脚数:6
功率, Pd:0.18W
封装类型:SOT-363
封装类型, 替代:SC-70
截止频率 ft, 典型值:12GHz
晶体管类型:MOSFET
最小增益带宽 ft:1.5GHz
电压, Vds 典型值:3V
电流, Id 连续:0.04A
电流, Idm 脉冲:0.04A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
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上海17
新加坡 0
英国63 |
1 |
1 |
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CRYDOM - M50100SB600 - 整流桥模块 |
整流桥模块
100A
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美国 0
上海 0
美国31
新加坡 0 |
1 |
1 |
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CRYDOM - M50100SB1200 - 整流桥模块 |
整流桥模块
100A
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美国 0
上海 0
美国33
新加坡 0 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 100GAL123D - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
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美国 0
上海 0
美国13
新加坡 0 |
1 |
1 |
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NTE ELECTRONICS - 1N5408 - 整流二极管 标准恢复型 |
整流二极管 标准恢复型
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美国 0
上海 0
美国1041
新加坡 0 |
1 |
1 |
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POWEREX - PM200DVA120 - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CD431690B - 晶闸管模块 |
晶闸管模块
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无库存 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1N60LCP - 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):8ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:50W
单脉冲雪崩能量 Eas:20mJ
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:1A
电流, Idm 脉冲:9A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
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上海10
新加坡20
英国977 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKBT 28/14 - 整流桥 |
整流桥
单相
G22
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美国 0
上海 0
美国18
新加坡 0 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK100GD126T - 晶体管 IGBT模块 6单元 114A 1200V 沟槽(Trench)技术 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:114A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 4
封装类型:SEMITOP 4
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:33ns
下降时间:88ns
最大连续电流, Ic:114A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:200A
饱和电压 Vce sat 典型值:1.7V
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上海 0
新加坡 0
英国4 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK50GD126T - 晶体管 IGBT模块 6单元 68A 1200V 沟槽(Trench)技术 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:68A
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 4
封装类型:SEMITOP 4
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:5.6ns
下降时间:5.6ns
最大连续电流, Ic:68A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:100A
饱和电压 Vce sat 典型值:1.7V
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无库存 |
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