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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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IXYS RF - DE475-501N44A - 场效应管 MOSFET N RF DE475 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:44A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.11ohm
功耗:1.8kW
封装类型:DE-475
针脚数:6
上升时间:5ns
功率, Pd:1800W
封装类型:DE-475
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:5500pF
电流, Id 连续:44A
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国68 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ308N120 - 场效应管 MOSFET N RF DE375 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1200V
电流, Id 连续:8A
最大功耗:880W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-375
晶体管极性:N
上升时间:5ns
功率, Pd:880W
封装类型:DE-375
开态电阻, Rds(on):2.1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:1200V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - DE275X2-102N06A - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:16A
最大功耗:1.18kW
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275X2
晶体管极性:N
上升时间:2ns
功率, Pd:1180W
封装类型:DE-275X2
开态电阻, Rds(on):0.8ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:1800pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡3
英国13 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ2211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:11A
封装类型:DE-275X2
晶体管极性:N Channel
上升时间:4ns
功率, Pd:1180W
封装类型:DE-275X2
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:790pF
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - DE275-501N16A - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
功耗:590W
封装类型:DE-275
针脚数:6
上升时间:2ns
功率, Pd:590W
封装类型:DE-275
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:1800pF
电流, Id 连续:16A
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - DE275-201N25A - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:200V
电流, Id 连续:25A
最大功耗:590W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275
晶体管极性:N
上升时间:5ns
功率, Pd:590W
封装类型:DE-275
开态电阻, Rds(on):0.08ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:200V
电容值, Ciss 典型值:2500pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:11A
最大功耗:590W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275
晶体管极性:N
上升时间:4ns
功率, Pd:540W
封装类型:DE-275
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:790pF
电流, Idm 脉冲:60A
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停产 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ215N12L - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:125V
电流, Id 连续:15A
最大功耗:6W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275
晶体管极性:N
上升时间:4ns
封装类型:DE-275
开态电阻, Rds(on):0.3ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:125V
电容值, Ciss 典型值:425pF
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ210N50L - 场效应管 MOSFET N RF DE275 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:10A
最大功耗:470W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE-275
晶体管极性:N
上升时间:4ns
功率, Pd:470W
封装类型:DE-275
开态电阻, Rds(on):1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:622pF
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V
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上海 0
新加坡 0
英国32 |
1 |
1 |
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IXYS RF - DE150-501N04A - 场效应管 MOSFET N RF DE150 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:4.5A
最大功耗:200W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:150
晶体管极性:N
上升时间:4ns
功率, Pd:200W
封装类型:150
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:700pF
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海2
新加坡 0
英国29 |
1 |
1 |
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IXYS RF - IXZ2210N50L - 场效应管 MOSFET N RF 754 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:10A
最大功耗:470W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:DE275X2
晶体管极性:N
最小增益带宽 ft:175MHz
上升时间:16ns
功率, Pd:360W
封装类型:DE-275X2
开态电阻, Rds(on):1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:383pF
电流, Idm 脉冲:60A
阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS RF - GS08DI25104 - 肖特基二极管 GAAS SOIC8 |
二极管配置:2 Independent
电压, Vr 最高:250V
正向电流 If:2A
正向电压, 于If:1.5V
总电容 Ct 最大值:9pF
封装形式:SOIC
针脚数:8
二极管类型:RF Schottky
封装类型:SOIC
最大正向电流, If:4mA
正向电压 Vf 最大:1.3V
电压, Vrrm:250V
电流, If @ Vf:2A
表面安装器件:表面安装
针脚配置:Dual
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停产 |
1 |
1 |
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IXYS RF - GS150TI_25110 - 肖特基二极管 GAAS DE150 |
二极管配置:三 独立
正向电流 If:2A
正向电压, 于If:1.5V
总电容 Ct 最大值:18pF
封装形式:DE150
针脚数:6
二极管类型:RF Schottky
封装类型:DE150
总功率, Ptot:15W
最大正向电流, If:10A
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vrrm:250V
电流, If @ Vf:2A
表面安装器件:表面安装
针脚配置:Triple
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停产 |
1 |
1 |
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IXYS RF - GS150TC_25110 - 肖特基二极管 GAAS DE150 |
二极管配置:三 共阴极
电压, Vr 最高:250V
正向电流 If:2A
正向电压, 于If:1.5V
总电容 Ct 最大值:18pF
封装形式:DE150
针脚数:6
二极管类型:RF Schottky
封装类型:DE150
总功率, Ptot:15W
最大正向电流, If:10A
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vrrm:250V
电流, If @ Vf:2A
表面安装器件:表面安装
针脚配置:Triple, Common Cathode
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上海 0
新加坡 0
英国12 |
1 |
1 |
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IXYS RF - GS150TA_25104 - 肖特基二极管 GAAS DE150 |
二极管配置:三 共阳极
正向电流 If:2A
正向电压, 于If:1.5V
总电容 Ct 最大值:9pF
封装形式:DE150
二极管类型:RF Schottky
封装类型:DE150
总功率, Ptot:9W
最大正向电流, If:4A
正向电压 Vf 最大:1.5V
电压, Vrrm:250V
电流, If @ Vf:2A
表面安装器件:表面安装
针脚配置:Triple, Common Anode
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上海 0
新加坡 0
英国12 |
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