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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANREX - PK250HB160 - 双晶闸管模块 |
电压, Vdrm:1600V
电流, Igt:100mA
电流, It 平均:250A
电流, It ??效值:390A
电压, Vgt:3V
封装类型:模块
外宽:92mm
外部深度:60mm
外部长度/高度:42mm
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
热阻, 结至外壳 A:0.14°C/W
电压, Vrrm:1600V
电流, Itsm:5000A
螺纹尺寸:M8
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无库存 |
1 |
1 |
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SANREX - PK160FG160 - 双晶闸管模块 |
电压, Vdrm:1600V
电流, Igt:100mA
电流, It 平均:160A
电流, It ??效值:251A
电压, Vgt:3V
封装类型:模块
外宽:94mm
外部深度:31mm
外部长度/高度:34mm
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
热阻, 结至外壳 A:0.18°C/W
电压, Vrrm:1600V
电流, Itsm:5000A
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无库存 |
1 |
1 |
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SANREX - PK130FG160 - 双晶闸管模块 |
电压, Vdrm:1600V
电流, Igt:50mA
电流, It 平均:130A
电流, It 有效值:205A
电压, Vgt:3V
封装类型:模块
外宽:92mm
外部深度:30mm
外部长度/高度:25mm
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
热阻, 结至外壳 A:0.2°C/W
电压, Vrrm:1600V
电流, Itsm:3200A
螺纹尺寸:M5
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无库存 |
1 |
1 |
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SANREX - PK90FG160 - 双晶闸管模块 |
电压, Vdrm:1600V
电流, Igt:50mA
电流, It 平均:90A
电流, It 有效值:140A
电压, Vgt:3V
封装类型:模块
外宽:92mm
外部深度:25mm
外部长度/高度:31mm
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
热阻, 结至外壳 A:0.3°C/W
电压, Vrrm:1600V
电流, Itsm:2100A
螺纹尺寸:M5
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无库存 |
1 |
1 |
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SANREX - PK70FG160 - 双晶闸管模块 |
电压, Vdrm:1600V
电流, Igt:70mA
电流, It 平均:70A
电流, It 有效值:110A
电压, Vgt:3V
封装类型:模块
外宽:92mm
外部深度:25mm
外部长度/高度:31mm
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
热阻, 结至外壳 A:0.33°C/W
电压, Vrrm:1600V
电流, Itsm:1800A
螺纹尺寸:M5
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无库存 |
1 |
1 |
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SANREX - PK55FG160 - 双晶闸管模块 |
电压, Vdrm:1600V
电流, Igt:50mA
电流, It 平均:55A
电流, It 有效值:86A
电压, Vgt:3V
封装类型:模块
外宽:92mm
外部深度:25mm
外部长度/高度:31mm
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
电压, Vrrm:1600V
电流, Itsm:1600A
螺纹尺寸:M5
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT50J325 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-3P(LH) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
最大功耗:240W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (LH)
上升时间:70ns
下降时间典型值:50ns
功率, Pd:240W
功耗:240W
封装类型:TO-3P (LH)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:50A
热阻, 结至外壳 A:0.521°C/W
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:100A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡39
英国126 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT30J324 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-3P(N) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:30A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
最大功耗:170W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (N)
上升时间:70ns
下降时间典型值:50ns
功率, Pd:170W
功耗:170W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:30A
热阻, 结至外壳 A:0.735°C/W
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:60A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国60 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT20J321 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-220NIS |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220NIS
上升时间:40ns
下降时间典型值:40ns
功率, Pd:45W
功耗:45W
封装类型:TO-220NIS
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:20A
热阻, 结至外壳 A:2.78°C/W
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡7
英国77 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT15J321 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-220NIS |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220NIS
上升时间:40ns
下降时间典型值:30ns
下降时间最大:150ns
功率, Pd:30W
功耗:30W
封装类型:TO-220NIS
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:15A
热阻, 结至外壳 A:4.16°C/W
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:30A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国147 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT30J301 - 晶体管 IGBT 600V TO-3P(N) |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:120ns
功率, Pd:155W
功耗:155W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:30A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:60A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT20J301 - 晶体管 IGBT 600V TO-3P(N) |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:120ns
功率, Pd:130W
封装类型:TO-3P (N)
最大连续电流, Ic:20A
电流, Icm 脉冲:40A
针脚格式:GCE
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停产 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT15Q301 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N) |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:50ns
功率, Pd:170W
功耗:170W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:15A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:30A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT15J301 - 晶体管 IGBT 600V TO-220NIS |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:35W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220NIS
上升时间:120ns
下降时间典型值:150ns
功率, Pd:35W
功耗:35W
封装类型:TO-220NIS
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:15A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:30A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT10Q301 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N) |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:70ns
功率, Pd:140W
功耗:140W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:10A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:20A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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无库存 |
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