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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TOSHIBA - GT10J303 - 晶体管 IGBT 600V TO-220NIS |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220NIS
上升时间:120ns
下降时间典型值:150ns
功率, Pd:30W
功耗:30W
封装类型:TO-220NIS
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:10A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:20A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡1
英国10 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT5J311 - 晶体管 IGBT 600V TO-220NIS |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220NIS
上升时间:120ns
下降时间典型值:150ns
功率, Pd:45W
功耗:45W
封装类型:TO-220NIS
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:5A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:10A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT50J102 - 晶体管 IGBT 600V TO-3P(LH) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:200W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (LH)
上升时间:120ns
下降时间典型值:150ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-3P (LH)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:50A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:100A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡9
英国67 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT25Q102 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(LH) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:25A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1200V
工作温度范???:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (LH)
上升时间:100ns
下降时间典型值:160ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-3P (LH)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:25A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:50A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡108
英国38 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT20J101 - 晶体管 IGBT 600V TO-3P(N) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:20A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:130W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55??C to +150°C
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:12ns
功率, Pd:130W
功耗:130W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:20A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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上海 0
新加坡 0
英国170 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT15Q102 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:170W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:50ns
功率, Pd:170W
功耗:170W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:15A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:30A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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上海 0
新加坡 0
英国55 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT10Q101 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:10A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:140W
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:70ns
功率, Pd:140W
功耗:140W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:10A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:20A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - CRS09 - 肖特基二极管 1.5A |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:30V
电流, If 平均:1.5A
正向电压 Vf 最大:0.46V
电流, Ifs 最大:30A
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装形式:3-2A1A
针脚数:2
封装类型:3-2A1A
正向电压, 于If:0.46V
电流, Ifsm:30A
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
反向电流, Ir 最大值:50μA
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上海 0
新加坡 0
英国520 |
1 |
5 |
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TOSHIBA - CRS08 - 肖特基二极管 1.5A |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:30V
电流, If 平均:1.5A
正向电压 Vf 最大:0.36V
电流, Ifs 最大:30A
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装形式:3-2A1A
针脚数:2
封装类型:3-2A1A
正向电压, 于If:0.36V
电流, Ifsm:30A
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
反向电流, Ir 最大值:1000μA
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上海 0
新加坡207
英国7740 |
1 |
5 |
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TOSHIBA - CRS06 - 肖特基二极管 1A |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:20V
电流, If 平均:1A
正向电压 Vf 最大:0.36V
电流, Ifs 最大:20A
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装形式:3-2A1A
针脚数:2
封装类型:3-2A1A
正向电压, 于If:0.36V
电流, Ifsm:20A
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
反向电流, Ir 最大值:1000μA
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上海 0
新加坡 0
英国348 |
1 |
5 |
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TOSHIBA - CRS05 - 肖特基二极管 1A |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:30V
电流, If 平均:1A
正向电压 Vf 最大:0.45V
电流, Ifs 最大:30A
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装形式:3-2A1A
针脚数:2
封装类型:3-2A1A
正向电压, 于If:0.45V
电流, Ifsm:30A
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
反向电流, Ir 最大值:200μA
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上海 0
新加坡 0
英国2872 |
1 |
5 |
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TOSHIBA - CRS04 - 肖特基二极管 1A |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:40V
电流, If 平均:1A
正向电压 Vf 最大:0.49V
电流, Ifs 最大:20A
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装形式:3-2A1A
针脚数:2
封装类型:3-2A1A
正向电压, 于If:0.51V
电流, Ifsm:20A
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
反向电流, Ir 最大值:100μA
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上海 0
新加坡17
英国116 |
1 |
5 |
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TOSHIBA - CRS02 - 肖特基二极管 1A |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:30V
电流, If 平均:1A
正向电压 Vf 最大:0.4V
电流, Ifs 最大:20A
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装形式:3-2A1A
针脚数:2
封装类型:3-2A1A
正向电压, 于If:0.4V
电流, Ifsm:20A
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
反向电流, Ir 最大值:50μA
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上海 0
新加坡 0
英国877 |
1 |
5 |
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TOSHIBA - 2SK3759 - 场效应管 MOSFET N 500V TO-220AB |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.85ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:74W
封装类型:TO-220AB
功率, Pd:74W
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:8A
电流, Idm 脉冲:32A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国94 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK3799 - 场效应管 MOSFET N 900V TO-220SIS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:900V
开态电阻, Rds(on):1.3ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:50W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:50W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:900V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国252 |
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