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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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POWEREX - LS431650 - 晶闸管模块 |
晶闸管模块
500A
1600V
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM300DY-24NF - 晶体管 IGBT模块 890W Vceo:1200V 300A 1200V |
晶体管 IGBT模块 890W Vceo:1200V 300A 1200V
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM1400DU-24NF - 晶体管 IGBT模块 1400A 1200V |
晶体管 IGBT模块 1400A 1200V
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美国 0
上海 0
美国6
新加坡 0 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN6A09K - 场效应管 MOSFET N D-PAK |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.045ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:ZXMN 6A09K
上升时间:4.6ns
下降时间:14.5ns
功率, Pd 50mm2 PCB:4.3W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
应用代码:GPSW
时间, trr 典型值:25.6ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:7.3A
电流, Idm 脉冲:40A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.045ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN4A06K - 场效应管 MOSFET N D-PAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:10.9A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.05ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs ??高:20V
功耗:9.5W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:ZXMN 4A06
上升时间:3.8ns
下降时间:10.9ns
功率, Pd 50mm2 PCB:4.2W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
应用代码:GPSW
时间, trr 典型值:16ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:7.2A
电流, Idm 脉冲:35.3A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.05ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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上海 0
新加坡6
英国63 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXTN25050DFH - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:1.25W
集电极直流电流:4A
直流电流增益 hFE:450
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:017
hFE, 最大:900
hFE, 最小:300
功耗:1.25W
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:1.25W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:4A
电压, Vcbo:150V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:4A
直流电流增益 hfe, 最大值:900
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:60mV
助焊剂类型:
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:10mA
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上海 0
新加坡 0
英国750 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM200DY-12NF - 晶体管 IGBT模块 600W Vceo:600V 200A 600V |
晶体管 IGBT模块 600W Vceo:600V 200A 600V
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM100DY-24NF - 晶体管 IGBT模块 650W Vceo:1200V 100A 1200V |
晶体管 IGBT模块 650W Vceo:1200V 100A 1200V
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM150E3U-24H - 晶体管 IGBT模块 890W Vceo:1.2kV |
晶体管 IGBT模块 890W Vceo:1.2kV
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无库存 |
1 |
1 |
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FENGHUA - FNR-14K181 - 压敏电阻 50J 115VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:50J
额定电压, 直流:150V
额定电压, 交流:115V
主体直径:17mm
变阻器电压, 于1mA:180V
??部深度:5.4mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
引线直径:0.8mm
引线长度:30mm
引脚节距:7.5mm
电容:1250μF
电流, 峰值 8/20us 最大:4500A
钳位电压, 8/20us 最大:300V
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上海1000
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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FENGHUA - FNR-07K181 - 压敏电阻 10J 115VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:10J
额定电压, 直流:150V
额定电压, 交流:115V
主体直径:9mm
变阻器电压, 于1mA:180V
外部深度:6mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
引线直径:0.6mm
引线长度:30mm
引脚节距:5mm
电容:300μF
电流, 峰值 8/20us 最大:1200A
钳位电压, 8/20us 最大:300V
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上海900
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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FENGHUA - FNR-14K151 - 压敏电阻 40J 95VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:40J
额定电压, 直流:125V
额定电压, 交流:95V
主体直径:17mm
变阻器电压, 于1mA:150V
外部深度:5.4mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
引线直径:0.8mm
引线长度:30mm
引脚节距:7.5mm
电容:1500μF
电流, 峰值 8/20us 最大:4500A
钳位电压, 8/20us 最大:250V
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上海1000
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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FENGHUA - FNR-14K121 - 压敏电阻 32J 75VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:32J
额定电压, 直流:100V
额定电压, 交流:75V
主体直径:17mm
变阻器电压, 于1mA:120V
外部深度:5.4mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
引线直径:0.8mm
引线长度:30mm
引脚节距:7.5mm
电容:1900μF
电流, 峰值 8/20us 最大:4500A
钳位电压, 8/20us 最大:200V
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上海1000
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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FENGHUA - FNR-07K121 - 压敏电阻 7.8J 75VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:7.8J
额定电压, 直流:100V
额定电压, 交流:75V
主体直径:9mm
变阻器电压, 于1mA:120V
外部深度:6mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
引线直径:0.6mm
引线长度:30mm
引脚节距:5mm
电容:450μF
电流, 峰值 8/20us 最大:1200A
钳位电压, 8/20us 最大:200V
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上海990
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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FENGHUA - FNR-07K101 - 压敏电阻 28J 60VAC |
瞬态能量 10/1000us 最大:28J
额定电压, 直流:85V
额定电压, 交流:60V
主体直径:9mm
变阻器电压, 于1mA:100V
外部??度:6mm
封装类型:放射状
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
引线直径:0.6mm
引线长度:30mm
引脚节距:5mm
电容:500μF
电流, 峰值 8/20us 最大:1200A
钳位电压, 8/20us 最大:165V
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上海1000
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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