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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2301CX - 场效应管 MOSFET P 20V SOT-23 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.065ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-8V
功耗:1.25W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:1.25W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:2.3A
电流, Idm 脉冲:10A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.122ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.095ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:-0.45V
阈值电压, Vgs th 最低:-0.45V
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上海285
新加坡 0
英国1225 |
1 |
5 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1N60CP - 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):8ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:50W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:50W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
应用代码:GPSW
时间, trr 典型值:21ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:1A
电流, Idm 脉冲:9A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:8ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
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无库存 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2N7002CX - 场效应管 MOSFET N 60V SOT-23 |
场效应管 MOSFET N 60V SOT-23
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上海 0
新加坡10
英国1230 |
1 |
5 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2N7000CT - 场效应管 MOSFET N 60V TO-92 |
场效应管 MOSFET N 60V TO-92
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上海 0
新加坡 0
英国6521 |
1 |
5 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - DBLS209G - 电桥整流器 2A DBLS |
相数:单相
电压, Vrrm:1400V
电流, If 平均:2A
正向电压 Vf 最大:1.3V
安装类型:SMD
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体高度, 最大:1.14mm
器件标记:DBLS209G
外宽:8.51mm
外部深度:6.5mm
外部长度/高度:8.51mm
封装类型:DIL
电流, Ifs 最大:50A
相数:1
表面安装器件:表面安装
输入电压 有效值:980V
输出电流 最大:2A
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无库存 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - DBLS207G - 电桥整流器 2A DBLS |
相数:单相
电压, Vrrm:1000V
电流, If 平均:2A
正向电压 Vf 最大:1.15V
安装类型:SMD
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体高度, 最大:1.14mm
器件标记:DBLS207G
外宽:8.51mm
外部深度:6.5mm
外部长度/高度:8.51mm
封装类型:DIL
电流, Ifs 最大:50A
相数:1
表面安装器件:表面安装
输入电压 有效值:700V
输出电流 最大:2A
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上海 0
新加坡 0
英国1440 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - DBLS205G - 电桥整流器 2A DBLS |
相数:单相
电压, Vrrm:600V
电流, If 平均:2A
正向电压 Vf 最大:1.15V
安装类型:SMD
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体高度, 最大:1.14mm
器件标记:DBLS205G
外宽:8.51mm
外部深度:6.5mm
外部长度/高度:8.51mm
封装类型:DIL
电流, Ifs 最大:50A
相数:1
表面安装器件:表面安装
输入电压 有效值:420V
输出电流 最大:2A
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上海 0
新加坡 0
英国4439 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - DBLS203G - 电桥整流器 2A DBLS |
相数:单相
电压, Vrrm:200V
电流, If 平均:2A
正向电压 Vf 最大:1.15V
安装类型:SMD
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体高度, 最大:1.14mm
器件标记:DBLS203G
外宽:8.51mm
外部深度:6.5mm
外部长度/高度:8.51mm
封装类型:DIL
电流, Ifs 最大:50A
相数:1
表面安装器件:表面安装
输入电压 有效值:140V
输出电流 最大:2A
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上海 0
新加坡 0
英国2549 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - DBL209G - 电桥整流器 2A DBL |
相数:单相
电压, Vrrm:1400V
电流, If 平均:2A
正向电压 Vf 最大:1.3V
安装类型:Through Hole
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体高度, 最大:1.14mm
器件标记:DBL209G
外宽:8.51mm
外部深度:6.5mm
外部长度/高度:8.51mm
封装类型:DIL
电流, Ifs 最大:50A
相数:1
表面安装器件:通孔安装
输入电压 有效值:980V
输出电流 最大:2A
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上海 0
新加坡 0
英国6951 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - DBL207G - 电桥整流器 2A DBL |
相数:单相
电压, Vrrm:1000V
电流, If 平均:2A
正向电压 Vf 最大:1.15V
安装类型:Through Hole
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体高度, 最大:1.14mm
器件标记:DBL207G
外宽:8.51mm
外部深度:6.5mm
外部长度/高度:8.51mm
封装类型:DIL
电流, Ifs 最大:50A
相数:1
表面安装器件:通孔安装
输入电压 有效值:700V
输出电流 最大:2A
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无库存 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - DBL205G - 电桥整流器 2A DBL |
相数:单相
电压, Vrrm:600V
电流, If 平均:2A
正向电压 Vf 最大:1.15V
安装类型:Through Hole
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体高度, 最大:1.14mm
器件标记:DBL205G
外宽:8.51mm
外部深度:6.5mm
外部长度/高度:8.51mm
封装类型:DIL
电流, Ifs 最大:50A
相数:1
表面安装器件:通孔安装
输入电压 有效值:420V
输出电流 最大:2A
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上海 0
新加坡 0
英国2340 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - DBL203G - 电桥整流器 2A DBL |
相数:单相
电压, Vrrm:200V
电流, If 平均:2A
正向电压 Vf 最大:1.15V
安装类型:Through Hole
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体高度, 最大:1.14mm
器件标记:DBL203G
外宽:8.51mm
外部深度:6.5mm
外部长度/高度:8.51mm
封装类型:DIL
电流, Ifs 最大:50A
相数:1
表面安装器件:通孔安装
输入电压 有效值:140V
输出电流 最大:2A
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXTN25100DFHTA - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:175MHz
功耗, Pd:1.25W
集电极直流电流:2.5A
直流电流增益 hFE:450
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
hFE, 典型值:450
hFE, 最大:900
hFE, 最小:300
功耗:1.25W
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:1.25W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:2.5A
电压, Vcbo:180V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:2.5A
直流电流增益 hfe, 典型值:450
直流电流增益 hfe, 最大值:900
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:95mV
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:10mA
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上海 0
新加坡 0
英国683 |
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1 |
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POWEREX - CM431690 - 晶闸管二极管模块 |
晶闸管二极管模块
90A
1600V
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美国 0
上海 0
美国19
新加坡 0 |
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1 |
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SEMIKRON - SKM 145GB123D - 晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V Case 2 |
晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V Case 2
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美国 0
上海 0
美国9
新加坡 0 |
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