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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小增益带宽 ft

  • 1.5GHz
  • 0.4GHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 9.4A/V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.65V
  • 1V

最低阈值电压, Vgs th P沟道

  • -0.65V
  • 1V

最高阈值电压, Vgs th P沟道

  • -1.5V
  • 3V
  • 2V

最大电流感应率 @ Id

  • 2900
  • 2880
  • 2940
  • 1480
  • 2970
  • 2720

总功率, Ptot

  • 625mW
  • 18W
  • 208W
  • 160W
  • 240W
  • 2W
  • 55W
  • 325W
  • 3.6W
  • 0.5W
  • 360W
  • 0.33W
  • 0.83W
  • 1.5W
  • 80W
  • 2.5W
  • 0.23W
  • 156W
  • 35W
  • 1.8W
  • 125W
  • 600W
  • 1.7W
  • 415W
  • 3.9W
  • 284W
  • 0.36W
  • 625W
  • 75W
  • 95W
  • 431W
  • 40W
  • 300W
  • 110W
  • 25W
  • 313W
  • 750W
  • 1W
  • 42W
  • 1.1W
  • 8.3W
  • 150W
  • 83W
  • 41W
  • 0.7W
  • 50W
  • 270W
  • 15W
  • 38W
  • 375W
  • 260W
  • 417W
  • 1.0W

重复雪崩电流, Iar

  • 5A
  • 8.5A
  • 21.5A
  • 9A
  • 4.4A
  • 4A
  • 2A
  • 8.6A
  • 30A
  • 1.6A
  • 3.5A
  • 5.8A
  • 20A
  • 32A
  • 14A
  • 26A
  • 5.5A
  • 6.2A
  • 6A
  • 3A
  • 10A
  • 7A
  • 1.8A

重量

  • 0.000036kg
  • 6g

正向电压 Vf 最大

  • 0.58V
  • 0.62V

针脚格式

  • 1 g
  • 1G, (2+Tab)D, 3S
  • 1 S1
  • 1G 2+插口 D 3S
  • 1 S
  • 1G,(2+Tab)D, 3S

针脚配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • G(1),D(2),S(3)
  • 1(G),2(D),3(S)
  • G(1),D(2)S(3)
  • 1(G),2(D),3(S), 4-TAB(D)
  • 1(G),2(S),3(A),4(K),5(D)
  • D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1)
  • D(5,6,7,8), S(1,2,3), G(4)
  • 1(A),2(S),3(G),4(D),5(K)
  • S(1+2+3),D(5+6+7+8),G(4)
  • 1(G1),2(S2),3(G2),4(D2),5(S1),6(D1)
  • a
  • (1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D
  • D(1+2+5+6), G(3), S(4)
  • D(1+2+5+6),S(4),G(3)
  • 1g, 2s, 3d
  • G(3), D(1,2,5,6), S(4)
  • 1S1,2G1,3S2,4G2,(5&6)D2,(8&7)D1
  • D(1+5+8), S(2+3+6+7), G(4)
  • 1(G), 2(D), 3(S)
  • G(1), S(2), D(3)
  • 1G 2 信号方位 3D 4+5 S
  • G(1),S(2,5,6),D(3,4)
  • A(1&2), S(3), G(4), C(7&8), D(6&5)
  • b
  • 1(G),2(D), 3(S), TAB(D)
  • 1G, 2Sense, 3D, (4+5)S
  • 1(G), 2(S),3(D)
  • D(5,6,7,8), G(4), S(1,2,3)
  • S(1), G(2), D(3)

针脚数

  • 3
  • 8
  • 5
  • 6
  • 10
  • 4
  • 2
  • 8
  • 7

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 0.6V
  • -0.6V
  • 4.9V
  • 1.1V
  • 1.35V
  • 800mV
  • -800mV
  • 1.6V
  • -1.6V
  • 3.75V
  • 8V
  • 5.4V
  • -1.25V
  • 1.25V
  • 0.38V
  • -1.4V
  • 1.4V
  • 1.75V
  • 3.8V
  • 5V
  • 0.85V
  • -0.85V
  • 2.6V
  • 2.35V
  • 3.9V
  • 3.5V
  • -0.64V
  • 2.9V
  • 4V
  • -4V
  • 1.45V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 0.95V
  • -0.95V
  • 1.68V
  • 3.15V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • -1.9V
  • 1.9V
  • -0.5V
  • 1.7V
  • -1.7V
  • 1.55V
  • 1.3V
  • 2V
  • -2V
  • 2.8V
  • 3.75V
  • 1.85V
  • -0.83V
  • -2.5V
  • 2.5V
  • 4.9V
  • 1.74V
  • 2.4V
  • 0.81V
  • 2.91V
  • 1.5V
  • -1.5V
  • 1.3V
  • 4.5V
  • 0.85V
  • 2.2V
  • 3.2V
  • 1.1V
  • 4.2V
  • 3V
  • -3V
  • 0.9V
  • -0.9V
  • 5V
  • -1.45V
  • 1V
  • -1V
  • -1.8V
  • 1.8V
  • 1.58V
  • -1.9V
  • 1.9V
  • 2.25V
  • 3V
  • -3V
  • 0.67V
  • 1.7V
  • -1.7V
  • 2.85V
  • -2.8V
  • 2.8V
  • 1.05V
  • -4.5V
  • 4.5V
  • 0.7V
  • -0.7V
  • 2.4V
  • -0.45V
  • 0.45V
  • 900mV
  • -900mV
  • 2.35V
  • -0.8V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • -0.7V
  • -1.2V
  • 1.2V
  • 10V
  • 2.1V
  • 5.5V
  • 1.4V
  • -1.4V
  • 3.1V
  • 0.65V
  • -2.1V
  • 2.1V
  • 3.2V
  • 850mV
  • -0.72V
  • 2.25V
  • -1.2V
  • 2.6V
  • 2.9V
  • -0.86V
  • 20V
  • -4V
  • 4V
  • -1.75V
  • 1.75V
  • 0.6V
  • -2V
  • 2V
  • 2.3V
  • 1.8V
  • -0.9V
  • 0.5V
  • -0.5V
  • 5.5V
  • 2.32V
  • -1V
  • 1V
  • -0.88V
  • 820mV
  • -3.5V
  • 3.5V
  • 0.75V
  • 2.3V
  • 0.8V
  • -0.8V
  • 2.5V
  • -2.5V

阈值电压, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • -0.8V
  • 2.1V
  • 0.5V
  • 0.1V
  • 1.2V
  • -1.2V
  • -3V
  • 3V
  • 0.45V
  • -3V
  • 3V
  • 0.3V
  • 1.35V
  • 1.4V
  • 1.55V
  • 1.3V
  • 0.65V
  • 2V
  • -2V
  • -1V
  • 1V
  • 0.45V
  • -0.45V
  • 3.5V
  • 0.4V
  • -0.4V
  • 0.35V
  • 1.6V
  • 2.8V
  • 0.7V
  • -0.7V
  • 2.5V
  • -2.5V
  • 0.5V
  • 1.5V
  • 1.5V
  • -1.5V
  • -3.5V
  • 2V
  • -0.7V
  • 0.6V
  • -0.6V
  • -0.6V
  • 0.6V
  • -0.4V
  • 0.4V
  • 1.4V
  • 1.35V
  • 1V
  • -1V
  • 4V

阈值电压, Vgs th 最高

  • -3.5V
  • 3.5V
  • 2.2V
  • -2V
  • 2V
  • 4.5V
  • 0.7V
  • 4V
  • 2.25V
  • 5V
  • -5V
  • 3V
  • 2.4V
  • 1.4V
  • 4V
  • -4V
  • 4.8V
  • 2V
  • -2V
  • 3.9V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 2.7V
  • 4.4V
  • 2.6V
  • 5.5V
  • -0.45V
  • 4.9V
  • 0.85V
  • 5V
  • 2.5V
  • 1.3V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.8V
  • 1.2V
  • 2.35V
  • -3V
  • 3V
  • 2.45V
  • -1V
  • 1V
  • -2.5V
  • 2.5V
  • -1.45V

引脚节距

  • 11mm
  • 5.45mm
  • 2.285mm
  • 5.08mm
  • 2.28mm
  • 1.27mm
  • 1.7mm
  • 2.54mm

引线长度

  • 9.65mm
  • 9.8mm
  • 16.3mm
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
VISHAY SILICONIX - SIR402DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8 VISHAY SILICONIX - SIR402DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:20.7A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.006ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:4.2W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PowerPAK
  • 上升时间:20ns
  • 功率, Pd:36W
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:35A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V
    		• 上海40
    新加坡 0
    英国 0    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI2312BDS-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N SOT-23 VISHAY SILICONIX - SI2312BDS-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N SOT-23
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:5A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.031ohm
  • 电压 @ Rds测量:20V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 功耗:750mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:3
  • 上升时间:30ns
  • 功率, Pd:0.75W
  • 封装类型:SOT-23
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:8V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.45V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:0.85V
    		• 上海160
    新加坡36
    英国895    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI7120DN-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N PPAK1212 VISHAY SILICONIX - SI7120DN-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N PPAK1212
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6.3A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电???, Rds(on):0.019ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PowerPAK
  • 上升时间:12ns
  • 功率, Pd:1.5W
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3.5V
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI7463DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P VISHAY SILICONIX - SI7463DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-18.6A
  • 电压, Vds 最大:-40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.0092ohm
  • 电压 @ Rds测量:20V
  • 电压, Vgs 最高:-3V
  • 功耗:1.9W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PowerPAK
  • 针脚数:8
  • 上升时间:25ns
  • 功率, Pd:1.9W
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电流, Id 连续:18.6A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国69    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI7942DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双路 NN SO-8 VISHAY SILICONIX - SI7942DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双路 NN SO-8
  • 晶体管极性:Dual N
  • 漏极电流, Id 最大值:5.9A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.049ohm
  • 电压 @ Rds测量:20V
  • 电压, Vgs 最高:4V
  • 功耗:1.4W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SO
  • 针脚数:8
  • 上升时间:15ns
  • 功率, Pd:1.4W
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电流, Id 连续:5.9A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4V
    		• 上海25
    新加坡 0
    英国 0    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI7465DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P PPAK SO-8 VISHAY SILICONIX - SI7465DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P PPAK SO-8
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-5A
  • 电压, Vds 最大:-60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.064ohm
  • 电压 @ Rds测量:20V
  • 电压, Vgs 最高:-3V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PowerPAK
  • 针脚数:8
  • 上升时间:9ns
  • 功率, Pd:1.5W
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V
    		• 上海50
    新加坡70
    英国 0    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI7489DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P PPAK SO-8 VISHAY SILICONIX - SI7489DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P PPAK SO-8
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-28A
  • 电压, Vds 最大:-100V
  • 开态电??, Rds(on):0.041ohm
  • 电压 @ Rds测量:20V
  • 电压, Vgs 最高:-3V
  • 功耗:5.2W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PowerPAK
  • 针脚数:8
  • 上升时间:20ns
  • 功率, Pd:83W
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电流, Id 连续:28A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI7460DP-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N PPAK SO-8 VISHAY SILICONIX - SI7460DP-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N PPAK SO-8
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:11A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.0096ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:1.9W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PowerPAK
  • 针脚数:8
  • 上升时间:16ns
  • 功率, Pd:1.9W
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:18A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI7192DP-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N PPAK SO-8 VISHAY SILICONIX - SI7192DP-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N PPAK SO-8
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:60A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态??阻, Rds(on):0.0019ohm
  • 电压 @ Rds测量:20V
  • 电压, Vgs 最高:1V
  • 功耗:6.25W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PowerPAK
  • 针脚数:8
  • 上升时间:10ns
  • 功率, Pd:104W
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:60A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
    		• 上海20
    新加坡18
    英国 0    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SUD50N03-16P-E3 - 场效应管 MOSFET N D-PAK VISHAY SILICONIX - SUD50N03-16P-E3 - 场效应管 MOSFET N D-PAK
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:15A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.016ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:6.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:TO-252
  • 上升时间:20ns
  • 功率, Pd:40.8W
  • 封装类型:TO-252
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:15A
  • 结温, Tj 最高:175°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V
    		• 上海60
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    英国264    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI7852ADP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8 VISHAY SILICONIX - SI7852ADP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:12A
  • 电压, Vds 最大:80V
  • ???态电阻, Rds(on):0.017ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PowerPAK
  • 上升时间:9ns
  • 功率, Pd:62.5W
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:80V
  • 电流, Id 连续:30A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
    		• 上海25
    新加坡 0
    英国 0    		 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SIR890DP-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N SO-8 VISHAY SILICONIX - SIR890DP-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N SO-8
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:50A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.0029ohm
  • 电压 @ Rds测量:20V
  • 电压, Vgs 最高:2.6V
  • 功耗:5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PowerPAK
  • 针脚数:8
  • 上升时间:10ns
  • 功率, Pd:50W
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:50A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2.6V
    		• 上海30
    新加坡 0
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  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-16A
  • 电压, Vds 最大:-30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
  • 电压 @ Rds测量:25V
  • 电压, Vgs 最高:-3V
  • 功耗:3.7W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PowerPAK
  • 针脚数:8
  • 上升时间:13ns
  • 功率, Pd:52W
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:16A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V
    		• 上海46
    新加坡100
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    VISHAY SILICONIX - SI4840BDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8 VISHAY SILICONIX - SI4840BDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:12.4A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.009ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SO
  • 上升时间:150ns
  • 功率, Pd:6W
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电流, Id 连续:19A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - SI4559ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8 VISHAY SILICONIX - SI4559ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:4.3A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:3V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SO
  • 针脚数:8
  • 功耗, N沟道 1:3.1W
  • 功耗, P沟道 1:3.4W
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
  • 最高阈值电压, Vgs th P沟道:3V
  • 漏极连续电流, Id N沟道:5.3A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:3.9A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 结温, Tj 最低:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.058ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.12ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.072ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.15ohm
    		• 上海55
    新加坡 0
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