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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7380QTRPBF - 场效应管 MOSFET |
场效应管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7379QTRPBF - 场效应管 MOSFET |
场效应管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7342QTRPBF - 场效应管 MOSFET |
场效应管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7313QTRPBF - 场效应管 MOSFET |
场效应管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7304QTRPBF - 场效应管 MOSFET |
场效应管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7303QTRPBF - 场效应管 MOSFET |
场效应管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXMN3G32DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SO-8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:Dual N
漏极电流, Id 最大值:7.1A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.028ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
功耗:2.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:7.1A
电流, Idm 脉冲:33.6A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.028ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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上海 0
新加坡 0
英国55 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SI4539ADY-T1-E3 - 双MOSFET NP 每卷2500 |
模块配置:NP
晶体管极性:N沟道/P沟道互补
漏极电流, Id 最大值:4.4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.036ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:1.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
每卷数量:2500
表面安装器件:表面安装
N沟道栅极电荷 Qg:13nC
P沟道栅极电荷 Qg:15nC
功率, Pd:1.1W
带子宽度:12mm
最高电压, Vds P沟道:30V
漏极连续电???, Id P沟道:3.7A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds N沟道 1:30V
电压, Vds P沟道 1:30V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:5.9A
电流, Idm 脉冲:30A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.036ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.053ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.053ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.09ohm
通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.053ohm
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上海 0
新加坡 0
英国1 |
2,500 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7316QPBF - 双MOSFET PP SO-8 |
模块配置:Dual P Channel
晶体管极性:Dual P
漏极电流, Id 最大值:-4.9A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.042ohm
电压 @ Rds测量:-10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:2.0W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:30V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:4.9A
电流, Idm 脉冲:30A
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停产 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7313QPBF - 双MOSFET NN SO-8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:Dual N
漏极电流, Id 最大值:6.5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.023ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:2.0W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:30V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6.5A
电流, Idm 脉冲:30A
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停产 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7103QPBF - 双MOSFET NN SO-8 |
晶体管极性:Dual N
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:50V
开态电阻, Rds(on):130mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
功耗:2.4W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:2.4W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:50V
电压, Vds 典型值:50V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:3A
电流, Idm 脉冲:25A
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停产 |
1 |
1 |
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ROHM - US6K1TR - 场效应管 MOSFET 双 NN |
晶体管极性:Dual N
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.34ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
封装类型:TUMT6
封装类型:TUMT6
晶体管类型:Low Gate Drive
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:1W
电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:1.5A
电流, Idm 脉冲:6A
阈值电压, Vgs th 最低:1.5V
阈值电压, Vgs th 最高:0.5V
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上海 0
新加坡 0
英国2023 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - NTMD6N02R2G - 场效应管 MOSFET |
场效应管 MOSFET
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美国 0
上海 0
美国438
新加坡 0 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7907PBF. - 场效应管 MOSFET |
场效应管 MOSFET
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无库存 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7504TRPBF - 场效应管 MOSFET |
场效应管 MOSFET
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无库存 |
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1 |
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