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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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NXP - BZV85-C36 - 二极管齐纳击穿 1.3W 36V |
电压, Vz:36V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:8mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海 0
新加坡465
英国1157 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C33 - 二极管齐纳击穿 1.3W 33V |
电压, Vz:33V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C33
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:8mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海10
新加坡230
英国5771 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C30 - 二极管齐纳击穿 1.3W 30V |
电压, Vz:30V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C30
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:8mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海25
新加坡15
英国3334 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C27 - 二极管齐纳击穿 1.3W 27V |
电压, Vz:27V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C27
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:8mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海 0
新加坡234
英国8681 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C18 - 二极管齐纳击穿 1.3W 18V |
电压, Vz:18V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C18
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:15mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海500
新加坡5040
英国186 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C15 - 二极管齐纳击穿 1.3W 15V |
电压, Vz:15V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C15
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:15mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海130
新加坡94
英国163 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C12 - 二极管齐纳击穿 1.3W 12V |
电压, Vz:12V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C12
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:20mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海 0
新加坡366
英国4764 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C10 - 二极管齐纳击穿 1.3W 10V |
电压, Vz:10V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C10
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:25mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海95
新加坡4995
英国3999 |
1 |
5 |
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NXP - BZX79-C68 - 齐纳二极管 500MW 68V |
电压, Vz:68V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:Zener
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:2mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:2mA
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上海 0
新加坡10
英国2130 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C62 - 齐纳二极管 500MW 62V |
电压, Vz:62V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:Zener
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:2mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:2mA
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上海 0
新加坡176
英国7814 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C51 - 齐纳二极管 500MW 51V |
电压, Vz:51V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:Zener
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:2mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:2mA
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上海480
新加坡80
英国7189 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C43 - 齐纳二极管 500MW 43V |
电压, Vz:43V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:Zener
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:2mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:2mA
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上海 0
新加坡50
英国8615 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C9V1 - 二极管齐纳击穿 500MW 9.1V |
电压, Vz:9.1V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海2179
新加坡58
英国8633 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C8V2 - 二极管齐纳击穿 500MW 8.2V |
电压, Vz:8.2V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海543
新加坡605
英国9862 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C7V5 - 二极管齐纳击穿 500MW 7.5V |
电压, Vz:7.5V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海25
新加坡 0
英国5621 |
1 |
10 |
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| 共 88 页 | 第 74 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
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