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STMICROELECTRONICS - VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220 STMICROELECTRONICS - VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:70V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223 STMICROELECTRONICS - VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):60mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • 封装类型:SOT-223
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:3.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡44
    英国579
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223 STMICROELECTRONICS - VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • 针???数:3
  • 封装类型:SOT-223
  • 电源电压 最大:45V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出电流:2.6A
  • 上海 0
    新加坡60
    英国1005
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNH3SP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥 30-MPSO STMICROELECTRONICS - VNH3SP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥 30-MPSO
  • 驱动芯片类型:电机驱动器
  • 针脚数:30
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • ??装类型:MPSO
  • 器件标号:3
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:5.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:2
  • 输出电流:30A
  • 通道配置:2/2
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNH3ASP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥 30-MPSO STMICROELECTRONICS - VNH3ASP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥 30-MPSO
  • 驱动芯片类型:电机驱动器
  • 针脚数:30
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:MPSO
  • 器件标号:3
  • 电源电压 最大:16V
  • 电源电压 最小:5.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:2
  • 输出电流:30A
  • 通道配置:2/2
  • 上海 0
    新加坡9
    英国61
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNH2SP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥 STMICROELECTRONICS - VNH2SP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥
  • 驱动芯片类型:电机驱动器
  • 针脚数:30
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:MPSO
  • 器件标号:2
  • 电源电压 最大:16V
  • 电源电压 最小:5.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:2
  • 输出电流:30A
  • 通道配置:2/2
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国287
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND830-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 16-SOIC STMICROELECTRONICS - VND830-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 16-SOIC
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:16
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装??型:SOIC
  • 功耗, Pd:8.3W
  • 器件标号:830
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:5.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:2
  • 输出电流:6A
  • 通道配置:2/2
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国268
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND830SP-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 PWRSO10 STMICROELECTRONICS - VND830SP-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 PWRSO10
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:10
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:PowerSOIC
  • 功耗, Pd:73.5W
  • 器件标号:830
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:5.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:2
  • 输出电流:6A
  • 通道配置:2/2
  • 上海 0
    新加坡20
    英国111
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK STMICROELECTRONICS - VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):60mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:3.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND600SP-E - 芯片 驱动器 双路 36V 25A PWRSO-10 STMICROELECTRONICS - VND600SP-E - 芯片 驱动器 双路 36V 25A PWRSO-10
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:10
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:PowerSOIC
  • 功耗, Pd:96.1W
  • 器件标号:600
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:5.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:2
  • 输出电流:40A
  • 通道配置:2/2
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND5025AK-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 POWERSSO24 STMICROELECTRONICS - VND5025AK-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 POWERSSO24
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:24
  • 工作温度范围:-40°C to +150??C
  • 封装类型:PowerSSO
  • 器件标号:5025
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:4.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:2
  • 输出电流:40A
  • 通道配置:2/2
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND5012AK-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 POWERSSO24 STMICROELECTRONICS - VND5012AK-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 POWERSSO24
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:24
  • 工作温度范围:-40°C to +150??C
  • 封装类型:PowerSSO
  • 器件标号:5012
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:4.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:2
  • 输出电流:60A
  • 通道配置:2/2
  • 上海 0
    新加坡10
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND5004ASP30-E - 芯片 驱动器 高压侧 30-MPSO STMICROELECTRONICS - VND5004ASP30-E - 芯片 驱动器 高压侧 30-MPSO
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:30
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:MPSO
  • 器件标号:5004
  • 电源电压 最大:27V
  • 电源电压 最小:4.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:2
  • 输出电流:100A
  • 通道配置:2/2
  • 上海 0
    新加坡5
    英国112
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):250mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:0.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国4785
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):35mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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