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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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STMICROELECTRONICS - VNP10N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.1ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:70V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNN7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A SOT-223 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):60mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:3.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡44
英国579 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNN1NV04TR-E - 功率场效应管 MOSFET M0-3 40V 1.7A SOT223 |
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SOT-223
针???数:3
封装类型:SOT-223
电源电压 最大:45V
表面安装器件:表面安装
输出电流:2.6A
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上海 0
新加坡60
英国1005 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNH3SP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥 30-MPSO |
驱动芯片类型:电机驱动器
针脚数:30
工作温度范围:-40°C to +150°C
??装类型:MPSO
器件标号:3
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:30A
通道配置:2/2
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNH3ASP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥 30-MPSO |
驱动芯片类型:电机驱动器
针脚数:30
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:MPSO
器件标号:3
电源电压 最大:16V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:30A
通道配置:2/2
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上海 0
新加坡9
英国61 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNH2SP30-E - 芯片 电机驱动器 H桥 |
驱动芯片类型:电机驱动器
针脚数:30
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:MPSO
器件标号:2
电源电压 最大:16V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:30A
通道配置:2/2
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上海 0
新加坡 0
英国287 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VND830-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 16-SOIC |
驱动芯片类型:高边
针脚数:16
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装??型:SOIC
功耗, Pd:8.3W
器件标号:830
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:6A
通道配置:2/2
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上海 0
新加坡 0
英国268 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VND830SP-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 PWRSO10 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:10
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSOIC
功耗, Pd:73.5W
器件标号:830
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:6A
通道配置:2/2
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上海 0
新加坡20
英国111 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):60mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:3.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VND600SP-E - 芯片 驱动器 双路 36V 25A PWRSO-10 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:10
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSOIC
功耗, Pd:96.1W
器件标号:600
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:40A
通道配置:2/2
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VND5025AK-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 POWERSSO24 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:24
工作温度范围:-40°C to +150??C
封装类型:PowerSSO
器件标号:5025
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:40A
通道配置:2/2
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上海 0
新加坡 0
英国1 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VND5012AK-E - 芯片 驱动器 高压侧 2通道 POWERSSO24 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:24
工作温度范围:-40°C to +150??C
封装类型:PowerSSO
器件标号:5012
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:60A
通道配置:2/2
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上海 0
新加坡10
英国 0 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VND5004ASP30-E - 芯片 驱动器 高压侧 30-MPSO |
驱动芯片类型:高边
针脚数:30
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:MPSO
器件标号:5004
电源电压 最大:27V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:2
输出电流:100A
通道配置:2/2
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上海 0
新加坡5
英国112 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):250mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:0.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国4785 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VND14NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 12A DPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):35mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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无库存 |
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