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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
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ZILOG - EZ80F92AZ020SG - 芯片 8位闪存微控制器 |
存储器容量, RAM:8KB
计时器数:6
封装形式:LQFP
工作温度范围:0°C to +70°C
针脚数:100
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
RAM存储容量:8KB
位数:8
存储器容量:128Kb
存储器类型:闪存
定时器位数:16
封装类型:LQFP
微处理器/控制器特点:闪存, UARTs, I2C, SPI, IrDA EnDec.
时钟频率:20MHz
温度范围:商用
芯片标号:80F92
表面安装器件:表面安装
输入/输出线数:24
逻辑功能号:eZ80F92
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无库存 |
1 |
1 |
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ZILOG - EZ80F91AZ050SG - 芯片 8位闪存微控制器 |
Controller Family/Series:EZ80
磁芯尺寸:8bit
输入/输出数:32
程序存储器大小:256KB
存储器容量, RAM:16KB
处理器速度:50MHz
振荡器类型:External
计时器数:4
周边设备:RTC, PWM
接口:I2C, SPI, UART
PWM通道数:4
封装形式:LQFP
电源电压范围:3V to 3.6V
工作温度范围:0°C to +70°C
针脚数:144
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
RAM存储容量:16KB
位数:8
存储器容量:256KB
存储器类型:闪存
定时器位数:16
封装类型:LQFP
微处理器/控制器特点:闪存, UARTs, I2C, SPI, IrDA EnDec.
接口类型:I2C, SPI, UART
时钟频???:50MHz
温度范围:商用
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:80F91
表面安装器件:表面安装
输入/输出线数:32
逻辑功能号:eZ80F91
闪存容量:256KB
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
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1 |
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ZETEX - ZX5T953GTA - 晶体管PNP SOT-223 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:125MHz
功耗, Pd:1.6W
集电极直流电流:5A
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:X5T953
功耗:1.6W
封装类型:SOT-223
总功率, Ptot:3W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:5A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:140V
电流, Ic @ Vce饱和:4A
电流, Ic hFE:4A
电流, Ic 最大:5A
电流, Icm 脉冲:10A
电阻, R1:60mohm
直流电流增益 hfe, 最小值:15
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:5A
饱和电???, Vce sat 最大:240mV
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上海 0
新加坡50
英国676 |
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1 |
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ZETEX - ZX5T949GTA - 晶体管PNP SOT-223 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:110MHz
功耗, Pd:1.6W
集电极直流电流:5.5A
直流电流增益 hFE:225
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:X5T949
功耗:1.6W
封装类型:SOT-223
总功率, Ptot:3W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:5.5A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:50V
电流, Ic @ Vce饱和:5.5A
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:5.5A
电流, Icm 脉冲:20A
电阻, R1:31mohm
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:5.5A
??和电压, Vce sat 最大:170mV
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上海 0
新加坡 0
英国452 |
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ZETEX - ZX5T853G - 晶体管NPN SOT-223 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:130MHz
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:X5T853
功耗:1.6W
封装类型:SOT-223
总功率, Ptot:3W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:6A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:200V
电流, Ic @ Vce饱和:4A
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:6A
电流, Icm 脉冲:10A
电阻, R1:36mohm
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:6A
饱和电压, Vce sat 最大:220mV
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无库存 |
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1 |
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ZETEX - ZX5T851GTA - 晶体管NPN SOT-223 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:130MHz
功耗, Pd:1.6W
集电极直流电流:6A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:X5T851
功耗:1.6W
封装类型:SOT-223
总功率, Ptot:3W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:6A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:150V
电流, Ic @ Vce饱和:6A
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:6A
电流, Icm 脉冲:20A
电阻, R1:35mohm
直流电流增益 hfe, 最小值:55
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:6A
饱和电??, Vce sat 最大:210mV
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上海 0
新加坡50
英国106 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZX5T851A - 晶体管NPN E LINE |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:130MHz
封装类型:E-Line
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
下降时间 @ Ic:760ns
功耗:0.71W
器件标记:X5T851
封装类型:E-Line
总功率, Ptot:710mW
时间, t off:760ns
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:4.5A
电压, Vcbo:150V
电流, Ic @ Vce饱和:5000mA
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:4.5A
电流, Icm 脉冲:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:55
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic @下降时间测量:100mA
饱和电压, Vce sat 最大:0.21V
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无库存 |
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1 |
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ZETEX - ZXMHC6A07T8TA - 场效应管 MOSFET H桥 SM8 |
晶体管极性:N沟道/P沟道H-桥
漏极电流, Id 最大值:1.8A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
功耗:1.7W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SM-8
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SM-8
晶体管数:4
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ZXMHC6A07
功率, Pd:1.7W
最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
温度 @ 电流测量:25°C
漏极连续电流, Id P沟道:1.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电压, Vgs Rds N沟??:10V
电压, Vgs Rds P沟道:10V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:1.8A
电流, Idm 脉冲:8.7A
通态电阻, Rds on N沟道 最大:1.8ohm
通态电阻, Rds on P沟道 最大:1.5ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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上海95
新加坡 0
英国149 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN10B08E6 - 场效应管 MOSFET N SOT-23-6 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.23ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:SOT-23
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:10B8
功率, Pd:1.1W
封装类型:SOT-23-6
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电流, Id 连续:1.9A
电流, Idm 脉冲:9A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.23ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN6A25DN8 - 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8 |
晶体管极性:N沟道(双）
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.055ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:SO
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SO-8 (SOIC-8)
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ZXMN6A25D
功率, Pd:1.25W
总功率, Ptot:1.8W
温度 @ 电流测量:25°C
电流, Id 连续:4.7A
电流, Idm 脉冲:22A
通态电阻, Rds on 最大:0.055ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN6A11DN8 - 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8 |
晶体管极性:N沟道(双）
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.14ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:SO
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SO-8 (SOIC-8)
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ZXMN6A11D
功率, Pd:1.8W
总功率, Ptot:1.8W
温度 @ 电流测量:25°C
电流, Id 连续:2.7A
电流, Idm 脉冲:8.3A
通态电阻, Rds on 最大:0.14ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
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1 |
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ZETEX - ZXMN6A09GTA - 场效应管 MOSFET N SOT-223 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:7.5A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.045ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:3.9W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOT-223
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:ZXMN6A09
功率, Pd:2W
封装类型:SOT-223
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:6.9A
电流, Idm 脉冲:30.6A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.045ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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上海 0
新加坡 0
英国368 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMP3A16DN8 - 场效应管 MOSFET 双 PP SO-8 |
晶体管极性:N沟道(双）
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.045ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:SO
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SO-8 (SOIC-8)
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ZXMP3A16
功率, Pd:1.25W
总功率, Ptot:1.25W
温度 @ 电流测量:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电流, Id 连续:5.5A
电流, Idm 脉冲:20A
通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.045ohm
通态电阻, Rds on 最大:0.045ohm
阈值电压, Vgs th 最低:-1V
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无库存 |
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1 |
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ZETEX - ZXMN3A01E6 - 场效应管 MOSFET N SOT-23-6 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.12ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:SOT-23
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:3A1
功率, Pd:1.1W
封装类型:SOT-23-6
总功率, Ptot:1.1W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电流, Id 连续:3A
电流, Idm 脉冲:10A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.12ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
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ZETEX - ZXMN3A14F - 场效应管 MOSFET N SOT-23 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.065ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:314
功率, Pd:1.5W
封装类型:SOT-23 (TO-236)
总功率, Ptot:1.5W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电流, Id 连续:3.9A
电流, Idm 脉冲:18A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.065ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
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