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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - 2SK4094 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A TO220 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.005ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.75W
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:100A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国95 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4181-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 525V 7.5A ZP |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:7.5A
电压, Vds 最大:525V
开态电阻, Rds(on):0.92ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:70W
封装类型:ZP
封装类型:ZP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:525V
电流, Id 连续:7.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国40 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4126 - 场效应管 MOSFET N沟道 650V 15A TO247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:15A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.72ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2.5W
封装类型:TO-3PB
封装类型:TO-3PB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:15A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国33 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4125 - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 17A TO247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:17A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.61ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2.5W
封装类型:TO-3PB
封装类型:TO-3PB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:17A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国32 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4124 - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 20A TO247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.43ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2.5W
封装类型:TO-3B
封装类型:TO-3B
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:20A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国26 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4123LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:450V
开态电阻, Rds(on):0.34ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:450V
电流, Id 连续:18A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国45 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4122LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 15.5A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:15.5A
电压, Vds 最大:450V
开态电阻, Rds(on):0.42ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:450V
电流, Id 连续:15.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国49 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4121LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 12A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:12A
电压, Vds 最大:450V
开态电阻, Rds(on):0.56ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:450V
电流, Id 连续:12A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国50 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4120LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 10A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:10A
电压, Vds 最大:450V
开态电阻, Rds(on):0.68ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:450V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国35 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4119LS - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 21A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:21A
电压, Vds 最大:400V
开态电阻, Rds(on):0.26ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:400V
电流, Id 连续:21A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国48 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4118LS - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 18A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:400V
开态电阻, Rds(on):0.34ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:400V
电流, Id 连续:18A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国50 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4117LS - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 15A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:15A
电压, Vds 最大:400V
开态电阻, Rds(on):0.42ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:400V
电流, Id 连续:15A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国7 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4116LS - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 12A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:12A
电压, Vds 最大:400V
开态电阻, Rds(on):0.54ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:400V
电流, Id 连续:12A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国24 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4101LS - 场效应管 MOSFET N沟道 650V 7A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:7A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):1.1ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国16 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4100LS - 场效应管 MOSFET N沟道 650V 6A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):1.35ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
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1 |
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