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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - 2SK4099LS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 8.5A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8.5A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.94ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:8.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国48 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4098LS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 7A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:7A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):1.1ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4097LS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 9.5A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:9.5A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.65ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:9.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国163 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4096LS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 8A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.85ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国60 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4089LS - 场效应管 MOSFET N沟道 650V 12A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:12A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.72ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:12A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国32 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4088LS - 场效应管 MOSFET N沟道 650V 11A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:11A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.85ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:11A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国48 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4087LS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 14A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:14A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.61ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国19 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4086LS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11.5A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:11.5A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:11.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4085LS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 16A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.43ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国21 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4084LS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 14A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:14A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.52ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国12 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4064LS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 14A SOT186A |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:14A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.58ohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2W
封装类型:TO-220FI
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国41 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LP04MH-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-200mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):2.4ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:0.6W
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国82 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LP03S-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-250mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):1.9ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:0.15W
封装类型:SMCP
封装类型:SMCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.25A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国85 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LP03SS-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-250mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):1.9ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:0.15W
封装类型:SOT-89
封装类型:SSFP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.25A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国88 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LP03M-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-250mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):1.9ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:0.15W
封装类型:MCP
封装类型:MCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.25A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国1361 |
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