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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - 3LP02C-TB-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-200mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):3.1ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:0.25W
封装类型:SOT-89
封装类型:CP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国85 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LP01S-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-100mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):10.4ohm
电压 @ Rds测??:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:0.15W
封装类型:SMCP
封装类型:SMCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国2278 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LP01SS-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-100mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):10.4ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:0.15W
封装类型:SOT-89
封装类型:SSFP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国99 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LP01M-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-100mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):10.4ohm
电压 @ Rds测??:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:0.15W
封装类型:MCP
封装类型:MCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LP01C-TB-E - 场效应管 MOSFET P沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-100mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):10.4ohm
电压 @ Rds测??:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:0.25W
封装类型:SOT-89
封装类型:CP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国82 |
1 |
1 |
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SANYO - 5LN01M-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100mA
电压, Vds 最大:50V
开态电阻, Rds(on):7.8ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:0.15W
封装类型:MCP
封装类型:MCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - 5LN01C-TB-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100mA
电压, Vds 最大:50V
开态电阻, Rds(on):7.8ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:0.25W
封装类型:SOT-89
封装类型:CP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国81 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LN04MH-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:350mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):1ohm
电压 @ Rds测???:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:0.6W
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.35A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国73 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LN03SS-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:350mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.9ohm
电压 @ Rds??量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:0.15W
封装类型:SOT-89
封装类型:SSFP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.35A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国2484 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LN03M-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:350mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.9ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:0.15W
封装类型:MCP
封装类型:MCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.35A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国1500 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LN02C-TB-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:300mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):1.2ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:0.25W
封装类型:SOT-89
封装类型:CP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国65 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LN01S-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:150mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):3.7ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:0.15W
封装类型:SMCP
封装类型:SMCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.15A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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无库存 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LN01SS-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:150mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):3.7ohm
电压 @ Rds??量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:0.15W
封装类型:SOT-89
封装类型:SSFP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.15A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国50 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LN01M-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:150mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):3.7ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:0.15W
封装类型:MCP
封装类型:MCP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.15A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡3012
英国2950 |
1 |
1 |
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SANYO - 3LN01C-TB-E - 场效应管 MOSFET N沟道 400V 3A SOT89 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:150mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):3.7ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:0.25W
封装类型:SOT-89
封装类型:CP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.15A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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无库存 |
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