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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - SFT1307-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 45V 14A TO251 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-14A
电压, Vds 最大:-45V
开态电阻, Rds(on):0.041ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1W
封装类型:TP-FA
封装类型:TP-FA
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国11 |
1 |
1 |
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SANYO - SCH1304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 2A SCH6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.17ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:0.8W
封装类型:SCH6
封装类型:SCH6
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国92 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH6331-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 3.5A MCPH6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-3.5A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.098ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1.5W
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH6
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:3.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国55 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH3360-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 1.8A MCPH3 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-1.8A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.235ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:0.9W
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:1.8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国89 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH3322-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 1000V 0.6A MCPH3 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-600mA
电压, Vds 最大:-100V
开态电阻, Rds(on):1.45ohm
???压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1W
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:0.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国684 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH3316-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 60V 1.2A MCPH3 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-1.2A
电压, Vds 最大:-60V
开态电阻, Rds(on):0.53ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1W
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:1.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国201 |
1 |
1 |
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SANYO - FSS174-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 6A SOT96 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-6A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.034ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1.6W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - FSS173-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 45V 6A SOT96 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-6A
电压, Vds 最大:-45V
开态电阻, Rds(on):0.035ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:2.4W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国59 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8306-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 100V 2A ECH8 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2A
电压, Vds 最大:-100V
开态电阻, Rds(on):0.225ohm
电压 @ Rds测??:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1.6mW
封装类型:ECH8
封装类型:ECH8
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国5 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8305-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 60V 4A ECH8 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-4A
电压, Vds 最大:-60V
开态电阻, Rds(on):0.085ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1.6W
封装类型:ECH8
封装类型:ECH8
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V
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上海 0
新加坡 0
英国404 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 7A ECH8 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-7A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.025ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1.6W
封装类型:ECH8
封装类型:ECH8
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V
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上海 0
新加坡 0
英国750 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH6341-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 5A CPH6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-5A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.059ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1.6W
封装类型:CPH6
封装类型:CPH6
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国20 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH3341-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 0.5A CPH3 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-5A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.045ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1.2W
封装类型:CPH3
封装类型:CPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡21
英国132 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH3331-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 200V 0.4A CPH3 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-400mA
电压, Vds 最大:-200V
开态电阻, Rds(on):5ohm
电??? @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1W
封装类型:CPH3
封装类型:CPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:0.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国332 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH3327-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 100V 0.6A CPH3 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-600mA
电压, Vds 最大:-100V
开态电阻, Rds(on):1.45ohm
???压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1W
封装类型:CPH3
封装类型:CPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:0.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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无库存 |
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