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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - CPH3324-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 60V 1.2A CPH3 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-1.2A
电压, Vds 最大:-60V
开态电阻, Rds(on):0.53ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:1W
封装类型:CPH3
封装类型:CPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:1.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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无库存 |
1 |
1 |
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SANYO - SFT1407-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 45V 14A TO251 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:14A
电压, Vds 最大:45V
开态电阻, Rds(on):0.028ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1W
封装类型:TP-FA
封装类型:TP-FA
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国331 |
1 |
1 |
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SANYO - SFT1403-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 35V 14A TO251 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:14A
电压, Vds 最大:35V
开态电阻, Rds(on):0.023ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1W
封装类型:TP-FA
封装类型:TP-FA
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:35V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国85 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH3475-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.8A MCPH3 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.18ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:0.8W
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:1.8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国56 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH3421-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 0.8A MCPH3 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:800mA
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.89ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:0.9W
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:0.8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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无库存 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH3416-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 1.8A MCPH3 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.8A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.22ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1W
封装类型:MCPH
封装类型:MCPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:1.8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - FW217-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 35V 6A SOT96 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:35V
开态电阻, Rds(on):0.044ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
功耗:1.8W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:35V
电流, Id 连续:6A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - FSS804-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 14A SOT96 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:14A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.01ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:3.3W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国90 |
1 |
1 |
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SANYO - FSS275-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 6A SOT96 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.043ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.9W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国38 |
1 |
1 |
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SANYO - FSS273-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 45V 8A SOT96 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:45V
开态电阻, Rds(on):0.022ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:2.4W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - FSS264-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 4A SOT96 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.085ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:2.4W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - FSS218-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 35V 8A SOT96 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:35V
开态电阻, Rds(on):0.026ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.8W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:35V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8402-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 10A ECH8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:10A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.015ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.6W
封装类型:ECH8
封装类型:ECH8
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.4V
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上海 0
新加坡 0
英国95 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH3431-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 200V 0.6A CPH3 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:600mA
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):2.4ohm
电??? @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1W
封装类型:CPH3
封装类型:CPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:0.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国155 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 1A CPH3 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.63ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1W
封装类型:CPH3
封装类型:CPH3
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国1673 |
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