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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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DIODES INC. - DSS4320T-7 - 晶体管 NPN SOT23 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:70mV
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上海 0
新加坡 0
英国250 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4540X-13 - 晶体管 NPN SOT89 0.9W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:70MHz
功耗, Pd:0.9W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.9W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:90mV
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上海 0
新加坡 0
英国195 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS60600MZ4-13 - 晶体管 PNP SOT223 1.2W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:150
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:50mV
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上海 0
新加坡 0
英国766 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DJT4030P-13 - 晶体管 PNP SOT223 1.2W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:150mV
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上海 0
新加坡 0
英国639 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DMJT9435-13 - 晶体管 PNP SOT223 1.2W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:160MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.8A
直流电流增益 hFE:125
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.8A
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:210mV
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上海 0
新加坡 0
英国495 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS60601MZ4-13 - 晶体管 NPN SOT223 1.2W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:150
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:40mV
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上海 0
新加坡 0
英国2010 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DJT4031N-13 - 晶体管 NPN SOT223 1.2W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:105MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:100mV
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上海 0
新加坡 0
英国1267 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG316P - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.6A SC70-6 |
晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:1.6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.19ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-1.6V
功耗:0.75W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-70
针脚数:6
器件标记:.36
封装类型:SC70
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:1.6A
电流, Idm 脉冲:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
阈值电压, Vgs th 最高:3V
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上海 0
美国235
新加坡 0
英国1881 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG315N - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 2A SC70-6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:30V
???态电阻, Rds(on):0.12ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:1.8V
功耗:0.75W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-70
针脚数:6
器件标记:.15
封装类型:SC70
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:2A
电流, Idm 脉冲:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
阈值电压, Vgs th 最高:3V
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上海 0
美国 0
新加坡200
英国965 |
1 |
1 |
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VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - 15S2TH06FP - 二极管 超快恢复型 600V 15A TO220 |
二极管类型:Fast Recovery
电压, Vrrm:600V
正向电压 Vf 最大:2.4V
时间, trr 最大:20ns
电流, Ifs 最大:115A
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-220
针脚数:2
封装类型:TO-220
电流, If 平均:15A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
时间, trr 典型值:20ns
正向电压, 于If:2.4V
正向电流 If:15A
电流, Ifsm:115A
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MURHB840CTG - 二极管 快速恢复型 |
二极管 快速恢复型
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MURHB860CTG - 二极管 快速恢复型 |
二极管 快速恢复型
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MURB1660CTG - 二极管 快速恢复型 |
二极管 快速恢复型
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MAC9NG - 晶闸管 |
晶闸管
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美国 0
上海 0
美国25
新加坡 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - 1SMC6.0AT3G - 瞬态电压抑制二极管 |
瞬态电压抑制二极管
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美国 0
上海 0
美国 0
新加坡100
英国572 |
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