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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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NTE ELECTRONICS - NTE291 - 小信号双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:130V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:1.8W
集电极直流电流:4A
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:1.8W
封装类型:TO-220
直流电流增益 hfe, 最小值:2
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国25 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJW21194G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:250V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:20
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:3-TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:200mW
封装类型:3-TO-247
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:16A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
饱和电压, Vce sat 最大:250V
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上海 0
新加坡15
英国 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJW21193G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:250V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:30A
直流电流增益 hFE:20
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:3-TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:200mW
封装类型:3-TO-247
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:16A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
饱和电压, Vce sat 最大:250V
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上海 0
新加坡 0
英国61 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MBT35200MT1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:35V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:0.625mW
集电极直流电??:2A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:6-TSOP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:6-TSOP
直流电流增益 hfe, 最小值:400
饱和电压, Vce sat 最大:0.2V
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上海 0
新加坡 0
英国421 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - 达林顿双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
功耗, Pd:20W
集电极直流电流:5A
直流电流增益 hFE:1000
封装类型:TO-252
针脚数:3
封装类型:TO-252
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
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上海 0
新加坡150
英国 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - BUX85G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:450V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:50W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:4
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:3-TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:50W
封装类型:3-TO-220
直流电流增益 hfe, 最小值:30
饱和电压, Vce sat 最大:30V
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上海 0
新加坡 0
英国72 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MPS650G - 晶体管 NPN 40V TO92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:75MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:75
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:625mW
封装类型:TO-92
直流电流增益 hfe, 最小值:40
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上海 0
美国 0
新加坡392
英国 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MPS650G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:75MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:75
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.625W
封装类型:TO-92
直流电流增益 hfe, 最小值:40
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJD117G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:25MHz
功耗, Pd:1.75W
集电极直流电流:2A
???流电流增益 hFE:12
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:D-PAK
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.75W
封装类型:D-PAK
直流电流增益 hfe, 最小值:1
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国140 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - 2N6491G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:5MHz
功耗, Pd:1.8W
集电极直流电流:-15A
直流电???增益 hFE:5
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:3-TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:3-TO-220
直流电流增益 hfe, 最小值:150
饱和电压, Vce sat 最大:20V
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上海 0
新加坡40
英国63 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - 2N5401G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:150V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:500mA
直??电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.625W
封装类型:TO-92
直流电流增益 hfe, 最小值:240
饱和电压, Vce sat 最大:60V
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上海 0
新加坡 0
英国287 |
1 |
1 |
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LITTELFUSE - Q8025L6 - 双向晶闸管 |
电压, Vdrm:800V
电流, It 有效值:25A
封装类型:3-TO-220
晶闸管/双向晶闸管类型:双向晶闸管(TRIAC)
栅极触发电流, Igt, (Q1), t2+g+:80mA
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国25 |
1 |
1 |
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LITTELFUSE - Q4015L5 - 双向晶闸管 |
电压, Vdrm:400V
电流, It 有效值:15A
封装类型:3-TO-220
晶闸管/双向晶闸管类型:可控硅(SCR)
栅极触发电流, Igt, (Q1), t2+g+:50mA
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上海 0
新加坡 0
英国28 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - T2800DG - 双向晶闸管 |
电压, Vdrm:400V
电流, It 有效值:8A
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:3-TO-220AB
晶闸管/双向晶闸管类型:可控硅(SCR)
栅极触发电流, Igt, (Q1), t2+g+:25mA
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上海 0
新加坡50
英国23 |
1 |
1 |
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LITTELFUSE - SP721APP. - 二极管阵列 TVS |
封装类型:8-DIP
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上海 0
新加坡 0
英国25 |
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