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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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LITTELFUSE - V575LA10P.. - 压敏电阻 575VRMS |
浪涌电流:2.5kA
系列:LA
抑制器类型:Transient Voltage
瞬态能量 10/1000us 最大:65J
额定电压, 直流:730V
额定电压, 交流:575V
封装类型:Disc
电容:90pF
电流, 峰值 8/20us 最大:2500A
表面安装器件:径向引线
钳位电压, 8/20us 最大:1500V
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上海 0
新加坡161
英国345 |
1 |
1 |
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LITTELFUSE - V275LA20CP - 金属氧化物压敏电阻 |
浪涌电流:6kA
系列:LA
抑制器类型:Transient Voltage
钳位电压:710V
额定电压, 交流:275V
封装??型:Disc
电流, 峰值 8/20us 最大:6000A
表面安装器件:径向引线
钳位电压, 8/20us 最大:710V
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上海 0
新加坡95
英国194 |
1 |
1 |
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LITTELFUSE - V150ZA1P.. - 金属氧化物压敏电阻 |
浪涌电流:1.2kA
系列:ZA
抑制器类型:Transient Voltage
钳位电压:250V
瞬态能量 10/1000us 最大:8J
额定电压, 直流:127V
额定电压, 交流:95V
封装类型:Disc
电容:250pF
电流, 峰值 8/20us 最大:1200A
表面安装器件:径向引线
钳位电压, 8/20us 最大:250V
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上海 0
新加坡290
英国 0 |
1 |
1 |
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LITTELFUSE - V12ZA1P.. - 金属氧化物压敏电阻 |
浪涌电流:100A
系列:ZA
抑制器类型:Transient Voltage
钳位电压:34V
瞬态能量 10/1000us 最大:0.6J
额定电压, 直流:8V
额定电压, 交流:6V
封装类型:Disc
电容:2500pF
电流, 峰值 8/20us 最大:100A
表面安装器件:径向引线
钳位电压, 8/20us 最大:34V
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上海 0
新加坡223
英国413 |
1 |
1 |
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SEMTECH - STF201-30.TCT - 二极管 TVS |
封装形式:SOT-23
针脚数:6
二极管类型:Bidirectional TVS
封装类型:6-SOT-23
工作温度范围:-40°C to +125°C
截止电压:5.25V
电压 Vbr:6V
电容, Cd典型值 @ Vr:60pF
脉冲峰值功率:100mW
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国40 |
1 |
1 |
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SEMTECH - SMDA12.TBT - 二极管 TVS 单向 |
电压, Vrwm:12V
击穿电压范围:13.3V
钳位电压 最大:24V
二极管配置:Unidirectional
封装形式:SOIC
针脚数:8
二极管类型:Unidirectional TVS
封装类型:8-SOIC
截止电压:12V
电压 Vbr:13.3V
电容, Cd典型值 @ Vr:150pF
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMTECH - UCLAMP0501H.TCT - 二极管 TVS 单向 |
电压, Vrwm:5V
击穿电压范围:6V
钳位电压 最大:12.5V
二极管配置:Unidirectional
封装形式:SOD-523
针脚数:2
二极管类型:Unidirectional TVS
封装类型:SOD-523
截止电压:5V
电压 Vbr:6V
电容, Cd典型值 @ Vr:160pF
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国168 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - NUP4201DR2G - 二极管 TVS 单向 |
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
二极管类型:Unidirectional TVS
封装类型:8-SOIC
截???电压:5V
电压 Vbr:6V
电容, Cd典型值 @ Vr:5pF
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上海 0
新加坡60
英国140 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - LC03-6R2G - 二极管 TVS 双向 |
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
二极管类型:Bidirectional TVS
封装类型:8-SOIC
电压 Vbr:6.8V
脉冲峰值功率:2000W
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡233
英国427 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - SMLVT3V3... - 二极管 TVS 单向 |
电压, Vrwm:3.3V
击穿电压范围:4.1V
钳位电压 最大:10.3V
二极管配置:Unidirectional
封装形式:SMB
针脚数:2
功耗:6W
二极管类型:Unidirectional TVS
封装类型:SMB
截止电压:3.3V
电压 Vbr:4.1V
电容, Cd典型值 @ Vr:5200pF
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上海 0
新加坡100
英国1324 |
1 |
1 |
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VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - 5KP40A-E3/54 - 二极管 TVS 5KW 500A P600 |
电压, Vrwm:40V
击穿电压范围:44.4V to 49.1V
钳位电压 最大:64.5V
二极管配置:Unidirectional
封装形式:P600
针脚数:2
功耗:8W
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上海 0
新加坡 0
英国135 |
1 |
1 |
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SEMTECH - SMDA12.TBT - 二极管 TVS 单向 |
电压, Vrwm:12V
击穿电压范围:13.3V
钳位电压 最大:24V
二极管配置:Unidirectional
封装形式:SOIC
针脚数:8
二极管类型:Unidirectional TVS
封装类型:8-SOIC
截止电压:12V
电压 Vbr:13.3V
电容, Cd典型值 @ Vr:150pF
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无库存 |
1 |
1 |
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LITTELFUSE - P6KE6.8A - 二极管 TVS |
电压, Vrwm:5.8V
击穿电压范围:6.45V to 7.14V
钳位电压 最大:10.5V
二极管配置:Unidirectional
封装形式:DO-204AC
针脚数:2
功耗:5W
二极管类型:Unidirectional TVS
封装类型:DO-204AC
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:5.8V
电压 Vbr:6.45V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
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上海35
新加坡 0
英国483 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - 1SMB10CAT3G - 二极管 TVS |
电压, Vrwm:10V
击穿电压范围:11.1V to 12.3V
钳位电压 最大:17V
二极管配置:Bidirectional
封装形式:SMB
针脚数:2
功耗:3W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
二极管类型:Bidirectional TVS
封装类型:SMB
截止电压:10V
电压 Vbr:11.69V
电容, Cd典型值 @ Vr:805pF
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C91P/G2 - 齐纳二极管 91V |
电压, Vz:91V
最大功耗:2.3W
封装形式:DO-219AB
封装类型:DO-219AB
测试电??:5mA
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无库存 |
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