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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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VISHAY SILICONIX - SI4486EY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N沟道 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:7.9A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.025ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2V
功耗:1.8W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国16 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6218PBF - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:-27A
电压, Vds 最大:-150V
开态电阻, Rds(on):150mohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-5V
功耗:250W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
封装类型:3-TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-150V
电流, Id 连续:-27A
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上海 0
新加坡 0
英国1076 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5210PBF - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:-40A
电压, Vds 最大:-100V
开态电阻, Rds(on):60mohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-4V
功耗:200W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-100V
电流, Id 连续:-40A
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上海 0
新加坡40
英国 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - NTJD4401NT1G - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):375mohm
封装类型:SC-88
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SC-88
晶体管类型:MOSFET
电流, Id 连续:0.63A
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上海 0
新加坡110
英国 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - NTJD4001NT1G - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):1500mohm
封装类型:SC-88
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SC-88
晶体管类型:MOSFET
电流, Id 连续:0.25A
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SI3445DV-T1-E3 - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:5.6A
电压, Vds 最大:-8V
开态电阻, Rds(on):0.042ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-1V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TSOP
针脚数:6
封装类型:6-TSOP
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-8V
电流, Id 连续:5.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1V
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上海 0
新加坡 0
英国255 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF3205PBF - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:110A
电压, Vds 最大:55V
开态电阻, Rds(on):8mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:150W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:55V
电流, Id 连续:110A
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上海 0
新加坡 0
英国266 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF640PBF - 场效应管 MOSFET N沟道 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):180mohm
封装类型:TO-220
封装类??:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:18A
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上海50
新加坡251
英国615 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SI1903DL-T1-E3 - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:Dual P Channel
开态电阻, Rds(on):0.995ohm
封装类型:SC-70
封装类型:6-SC-70
???体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:0.41A
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上海 0
新加坡 0
英国2633 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SUD10P06-280L-E3 - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:P Channel
开态电阻, Rds(on):170mohm
封装类型:TO-252
封装类型:TO-252
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-60V
电流, Id 连续:-10A
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SI7846DP-T1-E3 - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):50mohm
封装类型:SO
封装类型:SO-8
晶体管类???:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:150V
电流, Id 连续:6.7A
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上海 0
新加坡 0
英国15 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SI1539DL-T1-E3 - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:Dual N/P Channel
开态电阻, Rds(on):480mohm
封装类型:SOT-363
封装类型:SOT-363
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:630mA
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上海 0
新加坡 0
英国238 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP30B120KD-EP. - 晶体管 IGBT |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:60A
饱和电压, Vce sat 最大:1.2kV
最大功耗:300W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
针脚数:3
封装类型:TO-247AD
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - NGD15N41CLT4G - 晶体管 IGBT 15A 410V |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:410V
最大功耗:107W
电压, Vceo:410V
工作温度范围:-55°C to +175°C
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGPS60B120KDP. - 晶体管 IGBT |
晶体管类???:IGBT
集电极直流电流:105A
饱和电压, Vce sat 最大:2.75V
最大功耗:595W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:Super-247
针脚数:3
功耗:595W
封装类型:Super-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:105A
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上海 0
新加坡 0
英国9 |
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