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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C18P/G2 - 齐纳二极管 18V VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C18P/G2 - 齐纳二极管 18V
  • 电压, Vz:18V
  • 最大功耗:2.3W
  • 封装形式:DO-219AB
  • 封装类型:DO-219AB
  • 测试电??:25mA
  • 上海 0
    美国 0
    新加坡 0
    英国267
    1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C12P - 齐纳二极管 12V VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C12P - 齐纳二极管 12V
  • 电压, Vz:12V
  • 最大功耗:2.3W
  • 封装形式:DO-219AB
  • 封装类型:DO-219AB
  • 测试电流:50mA
  • 上海 0
    美国 0
    新加坡 0
    英国1388
    1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C10P - 齐纳二极管 10V VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C10P - 齐纳二极管 10V
  • 电压, Vz:10V
  • 最大功耗:2.3W
  • 封装类型:DO-219
  • 测试电流:50mA
  • 上海 0
    美国 0
    新加坡148
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C5V1P - 齐纳二极管 5.1V VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C5V1P - 齐纳二极管 5.1V
  • 电压, Vz:5.1V
  • 最大功耗:2.3W
  • 封装类型:DO-219
  • 测试电流:100mA
  • 上海 0
    美国 0
    新加坡3000
    英国605
    1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C3V6P - 齐纳二极管 3.7V VISHAY SEMICONDUCTOR - BZD27C3V6P - 齐纳二极管 3.7V
  • 电压, Vz:3.6V
  • 最大功耗:2.3W
  • 封装类型:DO-219
  • 测试电流:100mA
  • 上海 0
    美国 0
    新加坡 0
    英国594
    1 1 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - 1SMA5916BT3G - 齐纳二极管 4.3V ON SEMICONDUCTOR - 1SMA5916BT3G - 齐纳二极管 4.3V
  • 电压, Vz:4.3V
  • 最大功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装形式:SMA
  • 针脚数:2
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SMA
  • 测试电流:87.2mA
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - MMSZ4681T1G - 齐纳二极管 2.4V ON SEMICONDUCTOR - MMSZ4681T1G - 齐纳二极管 2.4V
  • 电压, Vz:2.4V
  • 最大功耗:0.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 针脚数:2
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:2-SOD-123
  • 测试电流:50μA
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ON SEMICONDUCTOR - 1N6285AG - 二极管 TVS ON SEMICONDUCTOR - 1N6285AG - 二极管 TVS
  • 电压, Vrwm:33.3V
  • 击穿电压范围:37.1V to 41V
  • 钳位电压 最大:53.9V
  • 二极管配置:Unidirectional
  • 封装形式:457
  • ??脚数:2
  • 功耗:5W
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:457
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 上海 0
    美国 0
    新加坡150
    英国605
    1 1 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQD1N60TF - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 1A DPAK FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQD1N60TF - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 1A DPAK
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:600V
  • 开态电阻, Rds(on):11.5ohm
  • 功耗:2.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:D-PAK
  • SMD标号:FQD1N60TF
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型, 替代:D-PAK
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:1A
  • 电流, Idm 脉冲:4A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - P6KE540A-E3/51 - 二极管 TVS VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - P6KE540A-E3/51 - 二极管 TVS
  • 二极管 TVS
  • 美国 0
    上海175
    美国876
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    TEXAS INSTRUMENTS - REF5025ID - 芯片 电压基准 2.5V 8-SOIC TEXAS INSTRUMENTS - REF5025ID - 芯片 电压基准 2.5V 8-SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:8-SOIC
  • 基准源电压:2.5V
  • 容差, 基准电压 & 老化:0.05%
  • 温度系数 ±:3 ppm
  • 电压基准类型:串联
  • 上海 0
    美国 0
    新加坡 0
    英国21
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - LM235Z. - 芯片 温度传感器 3TO-92 STMICROELECTRONICS - LM235Z. - 芯片 温度传感器 3TO-92
  • 针脚数:3
  • 封装类型:3-TO-92
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    TEXAS INSTRUMENTS - LM4040A20IDBZT - 芯片 并联电压基准 2.048V TEXAS INSTRUMENTS - LM4040A20IDBZT - 芯片 并联电压基准 2.048V
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:3-SOP
  • 基准源电压:2.048V
  • 容差, 基准电压 & 老化:0.1%
  • 温度系数 ±:15 ppm
  • 电压基准类型:并联
  • 上海19
    新加坡28
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    TEXAS INSTRUMENTS - REF02AU - 芯片 串联电压基准 5V 8-SOIC TEXAS INSTRUMENTS - REF02AU - 芯片 串联电压基准 5V 8-SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:8-SOIC
  • 基准源电压:5V
  • 容差, 基准电压 & 老化:0.2%
  • 温度系数 ±:4 ppm
  • 电压基准类型:串联
  • 上海 0
    新加坡904
    英国538
    1 1 询价,无需注册 订购
    TEXAS INSTRUMENTS - TPS79533DCQ - 芯片 线性稳压器 3.3V 500mA TEXAS INSTRUMENTS - TPS79533DCQ - 芯片 线性稳压器 3.3V 500mA
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:6-SOT-223
  • 上海 0
    新加坡408
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
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