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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RX - 二极管0.5A 1206 TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RX - 二极管0.5A 1206
  • 二极管类型:小信号
  • 电流, If 平均:150mA
  • 电压, Vrrm:100V
  • 正向电压 Vf 最大:1V
  • 时间, trr 最大:5ns
  • 电流, Ifs 最大:2.0A
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:1206
  • 针脚数:2
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 反向电流, Ir 最大值:25nA
  • 外宽:1.7mm
  • 外部深度:0.95mm
  • 外部长度/高度:3.4mm
  • 封装类型:1206
  • 总功率, Ptot:500mW
  • 时间, trr 典型值:5ns
  • 电压, Vr 最高:75V
  • 电流, If @ Vf:100mA
  • 电流, Ifsm:500mA
  • 结温, Tj 最低:-65°C
  • 结温, Tj 最高:200°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海2750
    新加坡1639
    英国152732
    1 10 询价,无需注册 订购
    TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RY - 二极管0.5A 0805 TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RY - 二极管0.5A 0805
  • 二极管类型:小信号
  • 电流, If 平均:150mA
  • 电压, Vrrm:100V
  • 正向电压 Vf 最大:1V
  • 时间, trr 最大:5ns
  • 电流, Ifs 最大:2.0A
  • 封装形式:0805
  • 针脚数:2
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 反向电流, Ir 最大值:25nA
  • 外宽:1.45mm
  • 外部深度:0.95mm
  • 外部长度/高度:2.2mm
  • 封装类型:0805
  • 总功率, Ptot:500mW
  • 时间, trr 典型值:5ns
  • 电压, Vr 最高:75V
  • 电流, If @ Vf:100mA
  • 电流, Ifsm:500mA
  • 结温, Tj 最低:-65°C
  • 结温, Tj 最高:200°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海2309
    新加坡225
    英国2117
    1 10 询价,无需注册 订购
    TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RZ - 二极管0.35A 0603 TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RZ - 二极管0.35A 0603
  • 二极管类型:小信号
  • 电流, If 平均:150mA
  • 电压, Vrrm:100V
  • 正向电压 Vf 最大:1V
  • 时间, trr 最大:5 ns
  • 电流, Ifs 最大:2.0A
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 针脚数:2
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 反向电流, Ir 最大值:25nA
  • 外宽:1.0mm
  • 外部深度:0.85mm
  • 外部长度/高度:1.8mm
  • 封装类型:0603
  • 总功率, Ptot:350mW
  • 时间, trr 典型值:5ns
  • 电压, Vr 最高:75V
  • 电流, If @ Vf:100mA
  • 电流, Ifsm:350mA
  • 结温, Tj 最低:-65°C
  • 结温, Tj 最高:200°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海1010
    新加坡404
    英国 0
    1 10 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKN 240/16 - 标准恢复功率整流器 SEMIKRON - SKN 240/16 - 标准恢复功率整流器
  • 标准恢复功率整流器
  • 500A
  • 1800V (Vrrm)
  • DO-205AB
  • 美国3
    上海 0
    美国5
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKN 100/16 - 标准恢复功率整流器 SEMIKRON - SKN 100/16 - 标准恢复功率整流器
  • 标准恢复功率整流器
  • 200A
  • 1800V (Vrrm)
  • DO-205AC
  • 美国 0
    上海 0
    美国20
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKKD 26/16 - 晶闸管模块 SEMIKRON - SKKD 26/16 - 晶闸管模块
  • 晶闸管模块
  • 31A
  • 1600V
  • SEMIPACK 1
  • 美国 0
    上海 0
    美国12
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKN 130/16 - 标准恢复功率整流器 SEMIKRON - SKN 130/16 - 标准恢复功率整流器
  • 标准恢复功率整流器
  • 260A
  • 1800V (Vrrm)
  • DO-205AC
  • 美国 0
    上海 0
    美国1
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZX5T953GTA - 晶体管PNP SOT-223 ZETEX - ZX5T953GTA - 晶体管PNP SOT-223
  • 晶体管极性:PNP
  • 电压, Vceo:100V
  • 截止频率 ft, 典型值:125MHz
  • 功耗, Pd:1.6W
  • 集电极直流电流:5A
  • 直流电流增益 hFE:250
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:X5T953
  • 功耗:1.6W
  • 封装类型:SOT-223
  • 总功率, Ptot:3W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:5A
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:140V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:4A
  • 电流, Ic hFE:4A
  • 电流, Ic 最大:5A
  • 电流, Icm 脉冲:10A
  • 电阻, R1:60mohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:15
  • 表面安装器件:表面安装
  • 集电极电流, Ic 平均值:5A
  • 饱和电???, Vce sat 最大:240mV
  • 上海 0
    新加坡50
    英国676
    1 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZX5T949GTA - 晶体管PNP SOT-223 ZETEX - ZX5T949GTA - 晶体管PNP SOT-223
  • 晶体管极性:PNP
  • 电压, Vceo:30V
  • 截止频率 ft, 典型值:110MHz
  • 功耗, Pd:1.6W
  • 集电极直流电流:5.5A
  • 直流电流增益 hFE:225
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:X5T949
  • 功耗:1.6W
  • 封装类型:SOT-223
  • 总功率, Ptot:3W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:5.5A
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:50V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:5.5A
  • 电流, Ic hFE:5A
  • 电流, Ic 最大:5.5A
  • 电流, Icm 脉冲:20A
  • 电阻, R1:31mohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:40
  • 表面安装器件:表面安装
  • 集电极电流, Ic 平均值:5.5A
  • ??和电压, Vce sat 最大:170mV
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国452
    1 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZX5T853G - 晶体管NPN SOT-223 ZETEX - ZX5T853G - 晶体管NPN SOT-223
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:100V
  • 截止频率 ft, 典型值:130MHz
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:X5T853
  • 功耗:1.6W
  • 封装类型:SOT-223
  • 总功率, Ptot:3W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:6A
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:200V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:4A
  • 电流, Ic hFE:5A
  • 电流, Ic 最大:6A
  • 电流, Icm 脉冲:10A
  • 电阻, R1:36mohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:30
  • 表面安装器件:表面安装
  • 集电极电流, Ic 平均值:6A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:220mV
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZX5T851GTA - 晶体管NPN SOT-223 ZETEX - ZX5T851GTA - 晶体管NPN SOT-223
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:60V
  • 截止频率 ft, 典型值:130MHz
  • 功耗, Pd:1.6W
  • 集电极直流电流:6A
  • 直流电流增益 hFE:200
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-223
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:X5T851
  • 功耗:1.6W
  • 封装类型:SOT-223
  • 总功率, Ptot:3W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:6A
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:150V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:6A
  • 电流, Ic hFE:5A
  • 电流, Ic 最大:6A
  • 电流, Icm 脉冲:20A
  • 电阻, R1:35mohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:55
  • 表面安装器件:表面安装
  • 集电极电流, Ic 平均值:6A
  • 饱和电??, Vce sat 最大:210mV
  • 上海 0
    新加坡50
    英国106
    1 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZX5T851A - 晶体管NPN E LINE ZETEX - ZX5T851A - 晶体管NPN E LINE
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:60V
  • 截止频率 ft, 典型值:130MHz
  • 封装类型:E-Line
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 下降时间 @ Ic:760ns
  • 功耗:0.71W
  • 器件标记:X5T851
  • 封装类型:E-Line
  • 总功率, Ptot:710mW
  • 时间, t off:760ns
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用小信号
  • 最大连续电流, Ic:4.5A
  • 电压, Vcbo:150V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:5000mA
  • 电流, Ic hFE:5A
  • 电流, Ic 最大:4.5A
  • 电流, Icm 脉冲:15A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:55
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 集电极电流, Ic @下降时间测量:100mA
  • 饱和电压, Vce sat 最大:0.21V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZXMHC6A07T8TA - 场效应管 MOSFET H桥 SM8 ZETEX - ZXMHC6A07T8TA - 场效应管 MOSFET H桥 SM8
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道H-桥
  • 漏极电流, Id 最大值:1.8A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 功耗:1.7W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SM-8
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SM-8
  • 晶体管数:4
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:ZXMHC6A07
  • 功率, Pd:1.7W
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 漏极连续电流, Id P沟道:1.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs Rds N沟??:10V
  • 电压, Vgs Rds P沟道:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:1.8A
  • 电流, Idm 脉冲:8.7A
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:1.8ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:1.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 上海95
    新加坡 0
    英国149
    1 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZXMN10B08E6 - 场效应管 MOSFET N SOT-23-6 ZETEX - ZXMN10B08E6 - 场效应管 MOSFET N SOT-23-6
  • 晶体管极性:N沟道
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.23ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:10B8
  • 功率, Pd:1.1W
  • 封装类型:SOT-23-6
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 电流, Id 连续:1.9A
  • 电流, Idm 脉冲:9A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.23ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ZETEX - ZXMN6A25DN8 - 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8 ZETEX - ZXMN6A25DN8 - 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8
  • 晶体管极性:N沟道(双)
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 封装类型:SO
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SO-8 (SOIC-8)
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:ZXMN6A25D
  • 功率, Pd:1.25W
  • 总功率, Ptot:1.8W
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 电流, Id 连续:4.7A
  • 电流, Idm 脉冲:22A
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.055ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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