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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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ZETEX - ZXMN6A11DN8 - 场效应管 MOSFET N DUAL SO-8 |
晶体管极性:N沟道(双）
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.14ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:SO
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SO-8 (SOIC-8)
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ZXMN6A11D
功率, Pd:1.8W
总功率, Ptot:1.8W
温度 @ 电流测量:25°C
电流, Id 连续:2.7A
电流, Idm 脉冲:8.3A
通态电阻, Rds on 最大:0.14ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN6A09GTA - 场效应管 MOSFET N SOT-223 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:7.5A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.045ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:3.9W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOT-223
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:ZXMN6A09
功率, Pd:2W
封装类型:SOT-223
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:6.9A
电流, Idm 脉冲:30.6A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.045ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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上海 0
新加坡 0
英国368 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMP3A16DN8 - 场效应管 MOSFET 双 PP SO-8 |
晶体管极性:N沟道(双）
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.045ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:SO
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SO-8 (SOIC-8)
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
SMD标号:ZXMP3A16
功率, Pd:1.25W
总功率, Ptot:1.25W
温度 @ 电流测量:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电流, Id 连续:5.5A
电流, Idm 脉冲:20A
通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.045ohm
通态电阻, Rds on 最大:0.045ohm
阈值电压, Vgs th 最低:-1V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN3A01E6 - 场效应管 MOSFET N SOT-23-6 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.12ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:SOT-23
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:3A1
功率, Pd:1.1W
封装类型:SOT-23-6
总功率, Ptot:1.1W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电流, Id 连续:3A
电流, Idm 脉冲:10A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.12ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN3A14F - 场效应管 MOSFET N SOT-23 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.065ohm
电压 @ Rds测量:10V
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:314
功率, Pd:1.5W
封装类型:SOT-23 (TO-236)
总功率, Ptot:1.5W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电流, Id 连续:3.9A
电流, Idm 脉冲:18A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.065ohm
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN2A01E6 - 场效应管 MOSFET N SOT-23-6 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.12ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
封装类型:SOT-23
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:2A1
功率, Pd:1.1W
封装类型:SOT-23-6
总功率, Ptot:1.1W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电流, Id 连续:3.03A
电流, Idm 脉冲:10A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.12ohm
阈值电压, Vgs th 最低:0.7V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN2A14F - 场效应管 MOSFET N SOT-23 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.06ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:214
功率, Pd:1W
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:1W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电流, Id 连续:4.1A
电流, Idm 脉冲:19A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.06ohm
阈值电压, Vgs th 最低:0.7V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMN2A03E6 - 场效应管 MOSFET N SOT-23-6 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.055ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
封装类型:SOT-23
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:2A3
功率, Pd:1.1W
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:1.1W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:4.5A
电流, Idm 脉冲:16A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.055ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
阈值电压, Vgs th 最低:0.7V
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上海30
??加坡 0
英国585 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50 - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:30A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.16ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:360W
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:227nC
功率, Pd:360W
单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
封装类型:TO-247
时间, trr 典型值:250ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最大重复雪崩能量 Ear:45mJ
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电压变化率 dv/dt:5V/ns
电流, Id 连续:30A
电流, Idm 脉冲:120A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.16ohm
重量:6g
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60Q - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:26A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.25ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:360W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:150nC
功率, Pd:360W
单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
封装类型:TO-247
时间, trr 典型值:250ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最大重复雪崩能量 Ear:45mJ
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电压变化率 dv/dt:5V/ns
电流, Id 连续:26A
电流, Idm 脉冲:104A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.25ohm
重量:6g
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0
新加坡 0
英国45 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50Q - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:26A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.2ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:300W
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:95nC
功率, Pd:300W
单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
封装类型:TO-247
时间, trr 典型值:250ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最大重复雪崩能量 Ear:30mJ
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电压变化率 dv/dt:5V/μs
电流, Id 连续:26A
电流, Idm 脉冲:104A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.2ohm
重量:6g
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0
新加坡 0
英国193 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N50 - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:24A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.23ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:300W
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:135nC
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247
时间, trr 典型值:250ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最大重复雪崩能量 Ear:30mJ
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电压变化率 dv/dt:5V/ns
电流, Id 连续:24A
电流, Idm 脉冲:96A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.23ohm
重量:6g
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
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上海 0
新加坡17
英国53 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):0.42ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:360W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:150nC
功率, Pd:360W
单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
封装类型:TO-247
时间, trr 典型值:250ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最大重复雪崩能量 Ear:45mJ
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:800V
电压变化率 dv/dt:5V/ns
电流, Id 连续:20A
电流, Idm 脉冲:80A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.42ohm
重量:6g
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N60 - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.35ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:151nC
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247
时间, trr 典型值:250ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最大重复雪崩能量 Ear:30mJ
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电压变化率 dv/dt:5V/ns
电流, Id 连续:20A
电流, Idm 脉冲:60A
结??, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.35ohm
重量:6g
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0
新加坡 0
英国17 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:15A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:200nC
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247
时间, trr 典型值:250ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
最大重复雪崩能量 Ear:30mJ
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:800V
电压变化率 dv/dt:5V/ns
电流, Id 连续:15A
电流, Idm 脉冲:60A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.6ohm
重量:6g
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0
新加坡 0
英国57 |
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