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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TOSHIBA - 2SK3565 - 场效应管 MOSFET N 900V TO-220SIS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:900V
开态电阻, Rds(on):2.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:45W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:45W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:900V
电流, Id 连续:5A
电流, Idm 脉冲:15A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡7
英国125 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK3566 - 场效应管 MOSFET N 900V TO-220SIS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.5A
电压, Vds 最大:900V
开态电阻, Rds(on):6.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:40W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:40W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:900V
电流, Id 连续:2.5A
电流, Idm 脉冲:7.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡10
英??? 0 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK3797 - 场效应管 MOSFET N 600V TO-220SIS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:13A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.43ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:50W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:50W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:13A
电流, Idm 脉冲:52A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英??164 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK3569 - 场效应管 MOSFET N 600V TO-220SIS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:10A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:45W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:45W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:10A
电流, Idm 脉冲:40A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡9
英国 0 |
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1 |
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TOSHIBA - 2SK3562 - 场效应管 MOSFET N 600V TO-220SIS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):1.25ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:40W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:40W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:6A
电流, Idm 脉冲:24A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡10
英国579 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK3567 - 场效应管 MOSFET N 600V TO-220SIS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:3.5A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):2.2ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:35W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:35W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:3.5A
电流, Idm 脉冲:14A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英???539 |
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1 |
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TOSHIBA - 2SK3767 - 场效应管 MOSFET N 600V TO-220SIS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):4.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:25W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:25W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:2A
电流, Idm 脉冲:5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国1113 |
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1 |
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TOSHIBA - 2SK3561 - 场效应管 MOSFET N 500V TO-220SIS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.85ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:40W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:40W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:8A
电流, Idm 脉冲:32A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国345 |
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TOSHIBA - 2SK3563 - 场效应管 MOSFET N 500V TO-220SIS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:35W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:35W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:5A
电流, Idm 脉冲:20A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX202GB066HDS - 晶体管 IGBT模块 2X600V |
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:274A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:1V
工作??度范围:-40°C to +175°C
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:80ns
最大连续电流, Ic:275A
电压, Vces:600V
电压, Vrrm:600V
电流, Icm 脉冲:400A
电流, Ifs 最大:1000A
集电极电流, Ic 平均值:275A
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上海 0
新加坡4
???国 0 |
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SEMIKRON - SEMIX653GB176HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1700V |
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:619A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:1.2V
工???温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SEMiX 3s
封装类型:SEMiX 3s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:90ns
最大连续电流, Ic:650A
电压, Vces:1700V
电压, Vrrm:1700V
电流, Icm 脉冲:900A
电流, Ifs 最大:2900A
集电极电流, Ic 平均值:650A
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SEMIX452GB176HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1700V |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:430A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:1.2V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:105ns
最大连续电流, Ic:430A
电压, Vces:1700V
电压, Vrrm:1700V
电流, Icm 脉冲:600A
电流, Ifs 最大:2000A
集电极电流, Ic 平均值:430A
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SEMIX252GB126HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:270A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1.2V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:45ns
最大连续电流, Ic:270A
电压, Vces:1200V
电压, Vrrm:1200V
电流, Icm 脉冲:400A
电流, Ifs 最大:1000A
集电极电流, Ic 平均值:270A
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上海 0
新加坡 0
英国6 |
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SEMIKRON - SEMIX603GAR066HDS - 晶体管 IGBT模块 2X600V |
模块配置:Single with Diode
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:790A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:1V
工作温度范围:-40°C to +175°C
封装类型:SEMiX 3s
封装类型:SEMiX 3s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:145ns
最大连续电流, Ic:790A
电压, Vces:600V
电压, Vrrm:600V
电流, Icm 脉冲:1200A
电流, Ifs 最大:1800A
集电极电流, Ic 平均值:790A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX402GB066HDS - 晶体管 IGBT模块 2X600V |
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:509A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:1V
工作??度范围:-40°C to +175°C
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:125ns
最大连续电流, Ic:530A
电压, Vces:600V
电压, Vrrm:1600V
电流, Icm 脉冲:800A
电流, Ifs 最大:1800A
集电极电流, Ic 平均值:530A
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无库存 |
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